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- [发明专利]溶液加工-CN00818589.1有效
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翰宁·瑟林浩斯;理查德·H·费莱恩德;塔克·卡瓦斯
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造型逻辑有限公司;精工爱普生株式会社
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2000-12-21
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2003-06-18
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H01L51/40
- 一种在衬底上制作电子器件的方法，该器件包括在多个区域中的导电或半导体材料，器件的运行利用从第一区域到第二区域的电流，该方法包括：通过混和材料和液体形成一种混合物；在衬底上形成一种限定结构，它包括在衬底的第一面积中的第一区域和在衬底的第二面积中的第二区域，第一区域对于混合物的排斥力比第二区域大，该结构还包括从第二面积中由第一面积分开的第三面积中的第三区域，第一区域对于混合物的排斥力比第三区域大，并通过在衬底上涂覆混合物将材料沉积到衬底上，由此沉积的材料可以被第一区域的相对排斥力限制在定义器件的所述第一和第二区域的空间分开的区域上，并且凭借第一区域的相对排斥力在它们的平面内是电隔离的，并且它们将要从衬底的第一面积中消失，以便抵抗沉积材料的空间分开区域之间的跨过第一区域的电流流动。
- 溶液加工
- [发明专利]晶圆加工方法及加工装置-CN201910944565.8在审
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刘军
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长鑫存储技术有限公司
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2019-09-30
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2021-03-30
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H01L21/67
- 本发明涉及一种晶圆加工方法及加工装置，加工方法包括如下步骤：将晶圆放置于制程腔室内；使得反应溶液铺展覆盖于晶圆的待加工处理面上；对所述待加工处理面上的反应溶液进行加热，并控制加热温度为预设温度。由于将待加工处理面上的反应溶液进行加热控温，并控制加热温度为预设温度，当反应溶液为磷酸溶液时，预设温度例如在120℃以上，这样能避免反应溶液由于大量热损失而导致温度过低，从而能保证晶圆的待加工处理面上的反应温度，无需较多的蚀刻剂体积和较长的加工时间才能达到预设的蚀刻量，能提高对氮化硅的蚀刻选择性，及降低对二氧化硅的蚀刻量，此外，能够提高蚀刻均匀性，以及提高蚀刻工作效率。
- 加工方法装置
- [实用新型]晶圆加工装置-CN201921658167.1有效
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刘军
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长鑫存储技术有限公司
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2019-09-30
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2020-04-21
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H01L21/67
- 本实用新型涉及一种晶圆加工装置，包括制程腔室与加热机构。所述制程腔室用于放置晶圆。反应溶液提供机构，所述反应溶液提供机构用于将磷酸溶液输送到所述晶圆的待加工处理面上。所述加热机构用于对所述待加工处理面上的磷酸溶液进行加热处理。由于将待加工处理面上的磷酸溶液进行加热控温，并控制加热温度为120℃以上，这样能避免磷酸溶液由于大量热损失而导致温度过低，从而能保证晶圆的待加工处理面上的反应温度，无需较多的蚀刻剂体积和较长的加工时间才能达到预设的蚀刻量，能提高对氮化硅的蚀刻选择性，及降低对二氧化硅的蚀刻量，此外，能够提高蚀刻均匀性，以及提高蚀刻工作效率。
- 加工装置
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