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[发明专利]自对准顶部过孔-CN202180083332.9在审
发明人： 朴灿鲁;本山幸一;郑镇权;崔起植;杨智超 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：自对准顶部过孔本发明的实施例包括一种用于制造半导体器件的方法和所得结构。在衬里上图案化芯轴，其中衬里位于半导体衬底上。在芯轴的侧壁上形成隔离物。在衬里的暴露表面上并且在隔离物之间的多个间隙内形成电介质材料线。去除芯轴。从隔离物之间的多个间隙中的至少一个间隙内去除电介质材料线中的至少一个电介质材料线。在每个间隙内形成导电金属。导电金属被图案化以形成金属互连线和过孔。去除多个隔离物和剩余的电介质材料线。
对准顶部

[发明专利]纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造-CN201780041377.3有效
发明人： S·V·恩古源;山下典洪;程慷果;T·J·小黑格;朴灿鲁;E·利宁格;李俊涛;S·梅赫塔 -专利权人：泰塞拉公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了具有形成为半导体器件的BEOL或MOL层的一部分的气隙隔离物的半导体器件，以及制造这种气隙隔离物的方法。例如，一种方法包括在基板上形成第一金属结构和第二金属结构，其中第一和第二金属结构彼此相邻设置，在第一和第二金属结构之间设置绝缘材料。蚀刻绝缘材料以在第一和第二金属结构之间形成空间。使用夹断沉积工艺在第一和第二金属结构上沉积一层介电材料，以在第一和第二金属结构之间的空间中形成气隙，其中气隙的一部分在第一金属结构和第二金属结构中的至少一个的上表面上方延伸。
纳米尺度半导体器件间隔构造

[发明专利]包括拉伸应变和压缩应变的鳍片部分的鳍片堆叠-CN202180076382.4在审
发明人：程慷果;J·弗鲁吉尔;谢瑞龙;朴灿鲁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/161 文献下载
摘要：提供了一种鳍式单片半导体结构、其制造方法和半导体器件。该鳍式单片半导体结构包括衬底层(21)，相对于衬底层垂直延伸的鳍片结构，该鳍片结构包括垂直堆叠的层，其包括具有第一应变类型的底部半导体鳍区(34)，具有第二应变类型的顶部层半导体鳍区(26”)，以及在顶部半导体鳍片区(26”)和底部半导体鳍片区之间且将其电隔离的介电层(36A)，其中第一应变类型与第二应变类型不同。制造结构的方法包括在电介质层(22)内形成至少一个沟槽(24)并向下延伸至衬底层(21)，在至少一个沟槽(24)内并与衬底层(21)相邻地外延形成底部半导体基础区，其中外延形成底部半导体基础区进一步包括通过纵横比俘获在底部半导体基区内的缺陷，在底部半导体基底区上的至少一个沟槽(24)内外延形成第一半导体鳍片区(34)，该第一半导体鳍片区(34)具有第一应变类型，以及在第一半导体鳍片区域(34)上方的至少一个沟槽(24)内外延形成第二半导体鳍片区域(26”)，该第二半导体鳍片区域(26')具有第二应变类型，其中该第一应变类型与该第二应变类型不同。包括鳍式单片半导体结构的半导体器件在相同鳍的电隔离部分具有不同的应变特性。
包括拉伸应变压缩部分堆叠

[发明专利]具有环绕接触的纳米片晶体管-CN202111412565.7在审
发明人： J·弗鲁吉尔;谢瑞龙;程慷果;朴灿鲁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：实施例包括一种形成半导体器件的方法和所得器件。该方法可以包括在分层的纳米片的半导体层的暴露的部分上形成源极/漏极。该方法可以包括在源极/漏极上形成牺牲材料。该方法可以包括形成覆盖牺牲材料的电介质层。该方法可以包括利用接触衬垫代替牺牲材料。半导体器件可以包括第一栅极纳米片堆叠和第二栅极纳米片堆叠。半导体器件可以包括与第一纳米片堆叠接触的第一源极/漏极和与第二纳米片堆叠接触的第二源极/漏极。半导体器件可以包括位于第一源极/漏极与第二源极/漏极之间的源极/漏极电介质。半导体器件可以包括与第一源极/漏极、第二源极/漏极以及源极/漏极电介质接触的接触衬垫。
具有环绕接触纳米晶体管

[发明专利]接触结构-CN201910112883.8在审
发明人： 朴灿鲁;蔡东辰 -专利权人：格芯公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及接触结构。本公开涉及半导体结构，并且更特别地，涉及接触结构以及制造方法。所述方法包括：使位于邻近栅极结构之间并且位于源极/漏极金属化的金属化覆盖层下方的隔离区凹陷；将所述金属化覆盖层平面化至所述邻近栅极结构的水平；以及形成在所述邻近栅极结构的侧面上并且在所述邻近栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化的源极/漏极接触。
栅极结构金属化源极/漏极接触结构邻近覆盖层半导体结构隔离区平面化凹陷侧面延伸制造

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