专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高压MOS器件沟槽区域的制程方法-CN200810020804.2无效
  • 张瑜劼 - 和舰科技(苏州)有限公司
  • 2008-07-25 - 2010-01-27 - H01L21/762
  • 本发明提供了一种高压MOS器件沟槽区域的制程方法,其特征在于:步骤1:在硅衬底表面定义出需要进行沟槽隔绝蚀刻的区域;步骤2:对定义出来的区域采用高密度等离子体进行干法蚀刻;步骤3:高温湿润条件下,在沟槽表面生成牺牲氧化层;步骤4:采用配比比例1∶100的氢氟酸溶液作为蚀刻剂将牺牲氧化层全部蚀刻掉;步骤5:蚀刻后的沟槽表面进行干法氧化,生长出规定厚度的氧化层,并进行高温退火处理。采用本设计的沟槽区域的制程方法,藉由牺牲氧化层的生成及缓慢蚀刻,改善了沟槽的折角氧化层厚度及平滑度的均匀性,使整个高压MOS器件的可靠性得到大幅提高。
  • 高压mos器件沟槽区域方法
  • [实用新型]一种组合式水循环陶瓷工艺品-CN201520973497.5有效
  • 陈亦非 - 龙海市华亚工艺有限公司
  • 2015-11-30 - 2016-08-03 - B44C5/00
  • 本实用新型涉及一种组合式水循环陶瓷工艺品,包括中空底座、口杯和花洒,所述中空底座的中间位置设置有凹槽,所述中空底座在所述凹槽的任意一侧设有一开口,所述中空底座的开口装置有所述口杯,所述口杯的中间位置设有一通孔,口杯面向所述凹槽的一侧设有相应的溢流口;所述中空底座内部在凹槽下方设有一蓄水槽,所述凹槽设有通向所述蓄水槽的透水孔;所述口杯上装置有所述花洒,所述花洒通过一小型水泵和相应的管道连接到所述蓄水槽。本实用新型通过中空底座、口杯和花洒实现有序配合,有效提高水循环陶瓷工艺品的观赏价值。
  • 一种组合式水循环陶瓷工艺品
  • [实用新型]可分布储油润滑的垫圈-CN02241450.9无效
  • -
  • 2002-07-23 - 2003-06-18 - F16B43/00
  • 一种可分布储油润滑的垫圈,主要包括一垫圈本体,其特征是该垫圈本体侧表面上设有多个凹槽,该凹槽不贯穿另一侧面,且该些凹槽可环绕于轴孔一圈或一圈以上,该凹槽可储存容置润滑油体,该垫圈本体与其它垫圈结合,而当其它垫圈被转动或该垫圈本体被转动时,即由凹槽上所容置的油体,而可分布润滑该垫圈本体与其它垫圈相对应的接触面,同时使侧表面接触摩擦后产生的微屑容置于该凹槽内,进而可排除扭力上升及减少阻力,可适用于液晶屏幕与底座组合架的结合
  • 分布储油润滑垫圈
  • [发明专利]一种重金属浓碱液体中铬黄浓度的检测方法-CN201410362612.5有效
  • 李晓丽;孙婵骏;何勇 - 浙江大学
  • 2014-07-28 - 2014-11-05 - G01N21/65
  • 本发明公开了一种重金属浓碱液体中铬黄浓度的检测方法,该方法以不同铬黄浓度的重金属浓碱液体作为测试样本,获取各个测试样本在设定波数范围内以硅片为衬底时的拉曼光谱,并根据所有测试样本的拉曼光谱,分别采用连续投影算法和多元线性回归分析法确定定标波数,根据各个测试样本的铬黄浓度,以及相应拉曼光谱中各个定标波数的峰强与520cm-1的峰强的比值构建浓度-强度比的线性回归模型作为定标模型,利用定标模型测量得到待测样本中铬黄的浓度。利用Raman测试进行分析,操作简单,不需要进行繁琐、耗时的样品制备过程,同时避免了其他来源的干扰进而保证了测试的铬黄的准确性,且以硅作为对比大大提高了测试的准确性。
  • 一种重金属液体铬黄浓度检测方法
  • [发明专利]一种重金属浓酸液体中铬黄浓度的检测方法-CN201410362520.7有效
  • 李晓丽;孙婵骏;何勇 - 浙江大学
  • 2014-07-28 - 2014-11-05 - G01N21/65
  • 本发明公开了一种重金属浓酸液体中铬黄浓度的检测方法,该方法以不同铬黄浓度的重金属浓酸液体作为测试样本,获取各个测试样本在设定波数范围内以硅片为衬底时的拉曼光谱,并根据所有测试样本的拉曼光谱,分别采用连续投影算法和多元线性回归分析法确定定标波数,根据各个测试样本的铬黄浓度,以及各个定标波数的峰强与520cm-1的峰强的比值构建浓度-强度比的第一线性回归模型作为定标模型,利用定标模型测量得到待测样本中铬黄的浓度。利用Raman测试进行分析,操作简单,不需要进行繁琐、耗时的样品制备过程,同时避免了其他来源的干扰进而保证了测试的铬黄的准确性,且以硅作为对比大大提高了测试的准确性。
  • 一种重金属液体铬黄浓度检测方法
  • [发明专利]后水翼复合双体滑行艇-CN201210468270.6有效
  • 杨松林;崔健;朱仁庆;刘福伟;王保明 - 江苏科技大学
  • 2012-11-20 - 2013-02-20 - B63B1/24
  • 本发明公开了一种后水翼复合双体滑行艇,包括艇体、推进装置和设置在艇体后部的割划水翼,艇艏至舯偏后艇体采用改良的双体滑行艇线型,后艇体底部在舯偏后整体阶跃提升,艇体底部线型从艇艏至舯偏后艇体采用由深V型逐渐过渡到V型,由V型逐渐过渡到中间圆弧连接双V型,或中间水平线连接双V型;双体间隙由近似的带倒圆角的等腰梯形逐渐过渡到圆弧形再过渡到V形或水平形与舯偏后顺接。
  • 后水翼复合滑行
  • [发明专利]一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件-CN202010164411.X有效
  • 田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 - 上海华力微电子有限公司
  • 2020-03-10 - 2023-09-15 - H10B20/25
  • 本发明提供了一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件,包括:有源区、位于有源区一侧的沟槽隔离结构、位于有源区上的第一氧化硅层、位于沟槽隔离结构和第一氧化硅层上的栅极结构、位于栅极结构两侧的侧墙、依次位于栅极结构上的难熔硅化物层和第二氮化硅层,以及连接难熔硅化物层的接触孔,沟槽隔离结构表面高于所述第一氧化硅表面。阴极端放置在沟槽隔离结构区域,阳极端放置在有源区,由于沟槽隔离结构区域和有源区形成了台阶,难熔硅化物层也形成台阶,在台阶难熔硅化物的晶粒尺寸与平面存在差异,有利于阴极端金属离子的迁移,迁移后的金属离子不易重新返回阴极端
  • 一次性可编程器件制造方法
  • [实用新型]一种槽跳链自动处理装置-CN202222904240.7有效
  • 付恩军;乔成灏;李民;李垒 - 山西汇永青峰选煤工程技术有限公司
  • 2022-11-01 - 2023-05-12 - B08B1/00
  • 本实用新型提供一种槽跳链自动处理装置,包括气缸,所述气缸的右侧固定连接有固定板,所述固定板的右侧固定连接有连接筒,气缸的输出端固定连接有活动推头;本实用新型通过气缸、连接筒、电磁阀体和传输软管的配合,开启电磁阀体可通过传输软管将气体传输至气缸,然后气缸的输出端带动活动推头和柱销本体进行运动,进而可将柱销推进槽内链轮与链条接触,此时因槽未停车,链条将柱销本体带进链轮,从而完成跳链处理,解决现有技术中跳链后,常规处理方式为人工操作,需要停车、锁电、验电等一系列手续,工人进入槽将专用楔子、木棒等塞进链轮与链条接触,然后爬出后点动槽进行处理,相对比较麻烦,而且具有一定的危险性等问题。
  • 一种浅槽跳链自动处理装置
  • [实用新型]一种压缩机用活塞销及活塞连杆组件-CN202222770161.1有效
  • 熊伟;朱宇杉;朱金江;王新南;甘应新;耿李强 - 黄石东贝压缩机有限公司
  • 2022-10-20 - 2023-03-24 - F04B39/00
  • 本实用新型公开一种压缩机用活塞销及活塞连杆组件,所述活塞销中部设有环形的油槽,所述活塞销的外周面在所述油槽设有平面槽,所述平面槽的深度不超过所述油槽的深度,所述平面槽的长度小于所述活塞销的轴向长度;所述平面槽在所述活塞销的外圆上形成有一对接触边线,所述接触边线在所述油槽处断开。本压缩机用活塞销通过在活塞销最大弧面作出改进,设置所述平面槽将原本的弧面结构改进为小平面结构,使活塞销与连杆的接触线由一条接触线变成了二条接触线,能够减少局部的压强,使运行时局部线性接触承压减小,改善受力磨损
  • 一种压缩机活塞连杆组件
  • [发明专利]一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法-CN200510111420.8有效
  • 伍宏;陈晓波 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2005-12-13 - 2007-06-20 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法,包括如下步骤:首先确定栅氧加厚区域,即将从靠近硅区域与沟道隔离区域交界的硅区域内到硅区域与沟道隔离区域交界定义为栅氧加厚区域(a);然后修改相应的光刻板版图;再进行沟道隔离和阱离子注入,再在所述栅氧加厚区域(a)生长一层厚栅氧,再进行光刻并完全刻蚀掉晶体管中间部分的厚栅氧;最后生长栅氧的和淀积多晶硅栅。本发明通过加厚靠近沟道隔离区域的栅氧的方法来改善MOS场效应管中由反窄沟道效应引起的阈值电压(Vt)下降的问题。
  • 一种减小mos场效应管反窄沟道效应方法
  • [实用新型]一种高强度易拆卸螺栓-CN201220628234.7有效
  • 王立新 - 安徽六方重联机械股份有限公司
  • 2012-11-25 - 2013-07-10 - F16B35/00
  • 本实用新型公开了一种高强度易拆卸螺栓,包括有螺栓头和螺杆,螺杆上端与螺栓头的连接设有弧形连接部,螺杆包括上端的光杆段和下端的螺纹段,光杆段上套有垫片,螺纹段上设有与螺杆轴线平行的槽。本实用新型结构简单,设计合理,采用在螺杆上端与螺栓头的连接设置弧形连接部的设计,消除了应力集中点,有效的提升了螺栓的机械强度,延长了使用寿命;采用在螺杆的螺纹段上设置槽的设计,当螺栓因为生锈而不易拆卸时,可从加入润滑油,从而有效地方便了拆卸操作。
  • 一种强度拆卸螺栓
  • [发明专利]MOS场效应管及其制作方法-CN200510111431.6有效
  • 伍宏;陈晓波 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2005-12-13 - 2007-06-20 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种MOS场效应管,该MOS管在其宽度方向的两端靠近沟道隔离区域和硅区域交界的硅区域内的某处到沟道隔离区域和硅区域交界的栅氧的厚度大于MOS管中间区域的栅氧厚度。本发明一种制作MOS场效应管的方法,在双栅氧刻蚀步骤中,只刻蚀掉低压MOS管硅区域中间部分的中压厚栅氧,保留MOS管宽度方向的两端靠近沟道隔离区域和硅区域交界的硅区域内的某处到沟道隔离区域和硅区域交界的中压厚栅氧
  • mos场效应及其制作方法

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