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[发明专利]一种用于薄膜沉积系统的沉积单元-CN201880018055.1有效
发明人： T.M.斯帕思;L.W.塔特 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于薄膜沉积系统的沉积单元包括沉积头中的一个或多个以及气体歧管。各沉积头包括：具有多个气体开口的输出面、包括多个沉积头气体端口的安装面、以及连接的气体通道。气体歧管包括附接面，附接面具有一个或多个界面区域，各界面区域包括在与沉积头气体端口相对应的位置中的多个歧管气体端口。各沉积头在界面区域中以定位在歧管气体端口与沉积头气体端口之间的密封元件来紧固到气体歧管。各沉积头的安装面及气体歧管的附接面包括对准特征，对准特征用于使各沉积头与气体歧管的界面区域对准。
一种用于薄膜沉积系统单元

[发明专利]沉积设备和用于清洗沉积设备的方法-CN202210932235.9在审
发明人：李宰承;郑泰薰 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种沉积设备和一种用于清洗沉积设备的方法，沉积设备能够清洗沉积在线性沉积源上的沉积副产物。沉积设备包含：衬底支撑件，衬底支撑于其上；线性沉积源，分别将源气体和反应气体喷射到衬底上；源气体供应单元，配置成将源气体供应到线性源气体喷嘴单元；反应气体供应单元，配置成将反应气体供应到线性反应气体喷嘴单元；清洗气体供应单元，配置成供应清洗气体以对至少一个喷嘴单元执行原位清洗；以及驱动单元，配置成移动衬底支撑件或线性沉积源。
沉积设备用于清洗方法

[发明专利]高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法-CN202111137580.5有效
发明人：李卫民;吴挺俊;陈玲丽;朱雷;俞文杰 -专利权人：上海集成电路材料研究院有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。设备包括腔体、载台、靶枪、第一气体供给系统及第二气体供给系统；腔体包括相互连通的溅射部和沉积部，溅射部位于沉积部的上方，溅射部的水平表面积小于沉积部的水平表面积；靶枪位于溅射部内，靶枪上设置有靶材；载台用于承载待沉积的衬底，衬底上具有待沉积区，沉积过程中，待沉积区位于靶枪的正下方；第一气体供给系统包括第一气体管路和第一气体喷淋头，第一气体喷淋头为复数个；第二气体供给系统包括第二气体管路，一端与第二气体源相连通，另一端延伸到沉积部内，以向沉积部供应第二气体，第二气体包括反应气体和/或保护气体。本发明有助于提高沉积效率和良率。
通量薄膜沉积设备方法

[发明专利]薄膜沉积方法-CN201711293365.8在审
发明人：赵炳哲;李相镇;李仁焕;陈光善 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明一实施例的薄膜沉积方法包括：提供形成图案的基板的步骤；表面处理步骤，利用沉积抑制气体形成沉积抑制层，所述沉积抑制气体用于抑制在所述图案上端的薄膜沉积；薄膜沉积步骤，利用工艺气体在包括所述表面处理的所述图案上沉积所述薄膜；其中，所述沉积抑制气体为包括氟的气体。
薄膜沉积沉积抑制图案薄膜沉积步骤表面处理步骤沉积抑制层工艺气体气体形成上端基板沉积薄膜

[发明专利]一种薄膜填充方法-CN201110070705.7无效
发明人：孟令款 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜填充方法，首先在反应腔室中通入含有含硅基气体、含氧气体、惰性气体及流动性气体的反应气体；通过HDP CVD工艺在沟槽或间隙中形成第一沉积薄膜；停止通入含硅基气体及含氧气体，继续通入刻蚀性气体和流动性气体，对第一沉积薄膜表面进行溅射；停止通入刻蚀性气体，继续通入含硅基气体及含氧气体，在经过溅射的第一沉积薄膜表面进行薄膜沉积，形成第二沉积薄膜；停止通入含硅基气体及含氧气体，继续通入刻蚀性气体和流动性气体，对第二沉积薄膜表面进行溅射；重复后两步，停止通入刻蚀性气体，继续通入含硅基气体及含氧气体，在经过溅射的第二沉积薄膜表面进行薄膜沉积，形成完全填充沟槽或间隙的第三沉积薄膜。
一种薄膜填充方法

[发明专利]一种化学气相沉积系统-CN201710188533.0有效
发明人：郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学气相沉积系统，包括：化学沉积室；所述化学沉积室包括反应腔体；设置与化学沉积室外的高温加热装置；与化学沉积室相连通的气体供给系统；所述气体供给系统包括气体源进气管与固体源气体进气管，所述固体源气体进气管位于气体源进气管的管内；所述固体源气体进气管的出口与所述化学沉积室的反应腔体相连通；所述气体源进气管的出口与所述化学沉积室的反应腔体相连通；与化学沉积室的反应腔体相连通的真空系统。与现有技术相比，本发明将固体源气体进气管与气体源气体进气管分开，使固体源气体完全不受气体源气体的影响，从而实现对固体源气体的控制。
一种化学沉积系统

[发明专利]一种硅通孔刻蚀装置-CN201310751543.2在审
发明人：倪图强;李俊良 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种硅通孔刻蚀装置，包括：反应腔，基座，射频功率发生装置和反应气体供气系统；所述基座设置在反应腔内，反应气体供气系统供应刻蚀气体和沉积气体到反应腔内，射频功率发生装置施加射频功率到反应腔内；待处理基片设置在所述基座上，其特征在于所述反应气体供气系统包括刻蚀气体供应管道和沉积气体供应管道，所述刻蚀气体供应管道通过一个刻蚀气体阀门连接到第一反应气体输入端；所述沉积气体供应管道通过一个沉积气体阀门连接到第二反应气体输入端；所述刻蚀气体供应管道联通到一个刻蚀气体喷口向反应腔喷入刻蚀气体，所述沉积气体供应管道联通到一个沉积气体喷口，向反应腔喷入沉积气体。
一种硅通孔刻蚀装置

[发明专利]用于将气体注入外延腔室的设备-CN201580024685.6在审
发明人：李学斌;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;阿维纳什·舍韦盖尔;金以宽;尼欧·O·谬;阿布舍克·杜贝 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：可依序或同时提供沉积气体与蚀刻气体以改善外延层沉积特性。气体分配组件可与沉积气体源及蚀刻气体源耦接。在沉积气体与蚀刻气体提供至处理腔室的处理空间前，沉积气体与蚀刻气体可维持分开。气体分配组件的出口可经配置而将沉积气体与蚀刻气体以各式特性提供至处理空间中。在一个实施方式中，将蚀刻气体传送至处理空间的气体分配组件的出口可相对于基板表面而向上成角度。
用于气体注入外延设备

[发明专利]薄膜沉积装置-CN201811548590.6在审
发明人：李洪宰 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜沉积装置，包括：腔室，提供在基板上沉积薄膜的沉积空间；气体供给部，具备至少一个向所述基板供给原料气体与反应气体且排出残留气体的气体供给模块，具备到所述沉积空间的上部；以及基板支撑部，具备到所述沉积空间的下部，安装基板且与所述气体供给部进行相对移动；且所述气体供给模块具备向所述基板供给原料气体的一对原料气体供给通道、及相隔具备到所述一对原料气体供给通道的一侧而向所述基板供给反应气体的反应气体供给通道，且包括在所述一对原料气体供给通道之间排出残留气体的第一排气通道本发明的薄膜沉积装置在通过原子层沉积法沉积薄膜时，可最大限度地抑制在供给处理气体的气体供给部产生粉末。
薄膜沉积装置原料气体供给气体供给部沉积空间基板供给残留气体沉积薄膜反应气体气体供给原料气体排出反应气体供给原子层沉积法基板支撑部安装基板处理气体排气通道相对移动基板腔室相隔

[发明专利]薄膜沉积系统及薄膜沉积方法-CN201780096325.6在审
发明人：赵小虎;林茂仲 -专利权人：深圳市柔宇科技有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种薄膜沉积系统，包括原子层沉积单元(1)、化学气相沉积单元(2)以及清洗气体喷出单元(3)；原子层沉积单元(1)设置有第一组气体喷出单元(11)，化学气相沉积单元(2)设置有第二组气体喷出单元(21)，清洗气体喷出单元(3)包括至少一个设置于原子层沉积单元(1)以及化学气相沉积单元(2)之间的主清洗气体喷嘴(31)；第一组气体喷出单元(11)连接原子层沉积反应需要的第一反应源，第二组气体喷出单元(21)连接化学气相沉积反应需要的第二反应源。还公开了一种薄膜沉积方法。
薄膜沉积系统方法

[发明专利]用于薄膜沉积装置的原料气体供应装置和残留气体处理装置及其方法-CN200780048068.5有效
发明人：金一镐 -专利权人：株式会社COWINDST;金一镐
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜沉积装置，具体地说，涉及一种包括：原料气体供应装置，用于对薄膜沉积装置提供形成薄膜的金属材料；残留气体处理装置，在薄膜沉积后处理残留气体。本发明薄膜沉积装置的原料气体供应装置，包括：运输气体供应部，与薄膜沉积目标物隔一定间隔安装，向沉积薄膜的薄膜沉积用腔室提供用于运输金属材料的运输气体；原料气体产生部，储存上述金属材料，升华上述金属材料与上述运输气体混合；运输气体注入线，连接上述运输气体供应部和原料气体产生部，将运输气体和原料气体转送到上述薄膜沉积用腔室，具有用于将运输气体或原料气体维持在金属材料升华点以上的加热器。
用于薄膜沉积装置原料气体供应残留处理及其方法

[实用新型]一种化学气相沉积系统-CN201720306140.0有效
发明人：郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种化学气相沉积系统，包括化学沉积室；化学沉积室包括反应腔体；设置于化学沉积室外的高温加热装置；与化学沉积室相连通的气体供给系统；气体供给系统包括气体源进气管与固体源气体进气管，固体源气体进气管位于气体源进气管的管内；固体源气体进气管的出口与所述化学沉积室的反应腔体相连通；气体源进气管的出口与所述化学沉积室的反应腔体相连通；与化学沉积室的反应腔体相连通的真空系统。与现有技术相比，本实用新型将固体源气体进气管与固体源气体进气管分开，使固体源气体完全不受气体源气体的影响，使两种源无交叉污染生长；通过将固体源移到固体加热装置里，使其不受高温辐射的影响，实现对固体源蒸发速率的控制
一种化学沉积系统

[发明专利]一种喷气面积增大的气相沉积炉-CN202210540369.6在审
发明人：张余 -专利权人：天津得瑞伯机电设备有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种喷气面积增大的气相沉积炉，涉及化工设备技术领域，该气相沉积炉包括炉体，炉体的内腔设为沉积腔，沉积腔内设气体喷头导管，气体喷头导管与气体导管连通，气体导管置于炉体的外部，气体喷头导管上设有从各个角度向沉积腔喷射的若干个气体扩散喷头，气体扩散喷头与气体喷头导管导通。本发明的气体扩散喷头能够从各个角度向沉积腔喷射气体，可将气体大面积均匀喷出，实现气体与待处理高温材料的充分反应，克服了气体与待处理高温材料反应不均匀导致的材料损坏的缺陷。
一种喷气面积增大沉积

[发明专利]用于沉积钝化膜的设备和用于沉积钝化膜的方法-CN201710032931.3在审
发明人：李宰承;尹哲;韩宰贤 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于沉积钝化膜的设备和一种用于沉积钝化膜的方法，其在单个腔室中沉积层压有多个材料层的钝化膜。所述用于沉积钝化膜的设备，包含衬底支撑件，衬底通过衬底支撑件支撑；线性沉积模块部件，其包括与第一轴方向平行安置的线性沉积源，且线性沉积模块部件横越衬底并且在其上沉积钝化膜；气体供应部件，其向线性沉积模块部件选择性并且交替地供应第一沉积气体和第二沉积气体；驱动部件，其在与第一轴方向交叉的第二轴方向移动衬底支撑件或线性沉积模块部件，其中可通过层压由第一沉积气体沉积的第一材料层和由第二沉积气体沉积的第二材料层形成钝化膜。
用于沉积钝化设备方法

[发明专利]等离子体化学气相沉积系统及方法-CN201811069708.7有效
发明人：孙元成;宋学富;杜秀蓉;张晓强;钟利强;杨晓会 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明是关于一种等离子体化学气相沉积系统。该沉积系统包括等离子体沉积装置，该等离子体沉积装置包括等离子体炬和沉积室。该沉积系统还包括：尾气循环装置、新鲜气体供给装置和在线监控装置，该尾气循环装置一端连接于沉积室的排气口，另一端连接于等离子体炬的进气口；该新鲜气体供给装置，连接于等离子体炬的进气口；该在线监控装置用于实时检测气体组分、温度、沉积室压力及沉积基体温度。本发明还提出了一种等离子体化学气相沉积方法。本发明方法将等离子体化学气相沉积系统排放的气体经简单处理后进行气体循环使用，克服现有技术气体消耗较大的问题，大大降低气体成本，同时保证沉积系统的稳定性。
等离子体化学沉积系统方法

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