“氮化镓外延结构”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9595375个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种含氧复合缓冲层结构及提高氮化镓系外延层晶体质量的方法-CN201810780248.2在审
发明人：武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种含氧复合缓冲层结构及提高氮化镓系外延层晶体质量的方法。本发明包括衬底加热处理、衬底表面离化处理、高含氧氮化铝层溅射、低含氧氮化铝层溅射和外延层生长五个阶段。本发明通过调变在蓝宝石基板上利用磁控反应溅射沉积氮化铝薄膜时,通入氧气溅镀多层不同含氧量的氮化铝薄膜层,最终获得匹配外延层生长的高晶体质量氮化铝复合薄膜过渡层。本发明的优点：通过在蓝宝石基板上构建一种含氧组份不同的氮化铝复数层薄膜结构材料作为缓冲层成长氮化镓系外延层，能明显提高氮化镓系外延层晶体质量。
含氧氮化镓系外延层蓝宝石基板外延层晶体氮化铝层氮化铝溅射磁控反应溅射氮化铝薄膜层氮化铝薄膜复合缓冲层薄膜结构衬底表面衬底加热复合薄膜含氧量复数层高晶体过渡层缓冲层生长调变多层构建溅镀离化组份沉积匹配氧气

[发明专利]一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构-CN201410057090.8在审
发明人：陈振 -专利权人：江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构，包括硅衬底，该硅衬底上从下至上依次生长有AlN成核层，渐变AlXGa1-XN缓冲层，周期性GaN/AlGaN超晶格插入层，氮化镓层。本发明提供的这种氮化镓外延结构能够有效的阻止Si原子从衬底层扩散到GaN层中，减少了氮化镓外延层中的位错等缺陷密度，提高了半绝缘GaN的晶体质量和表面形貌，优化了生长工艺，降低了生长成本，提高了产品的良率此外，该半绝缘氮化镓基高电子迁移率晶体管（HEMTs）具有更高的电子迁移速率、高功率密度等优点。
一种衬底生长氮化外延结构

[发明专利]提高Si衬底LED出光效率的外延结构及制备方法-CN201410816545.X在审
发明人：张宁;任鹏;刘喆;李晋闽;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种提高Si衬底LED出光效率的外延结构及制备方法，所述结构，包括：一衬底和依次制作在其上的BP反光层、氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型导电氮化镓层和多量子阱层，该多量子阱层制作在n型导电氮化镓层上面的一侧，另一侧形成一台面；一p型氮化铝镓层和依次制作在其上的p型氮化镓层和接触层，一上电极，其制作在接触层上；一下电极，其制作在n型导电氮化镓层上面的台面上。本发明可以解决Si衬底与外延GaN材料之间较大的晶格失配、且提高LED出光效率的问题。
提高 si 衬底 led 效率外延结构制备方法

[发明专利]低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法-CN202011387036.1有效
发明人：王琦;梁智文;王新强;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氮化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。
损耗氮化射频材料外延结构制备方法

[发明专利]基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED及制备方法-CN201510505779.7有效
发明人：胡晓龙;王洪;蔡镇准;齐赵毅 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-08-15 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED及制备方法。本发明采用湿法腐蚀剥离蓝宝石衬底的方法可以用于制备垂直结构LED。通过切割氮化镓外延层、热酸清洗，释放氮化镓应力；电镀无应力的镍基板，抛光金属基板；制备倾斜氮化镓侧壁，金属牺牲层，侧壁保护层；蓝宝石衬底抛光，一次性切割，腐蚀N极性面氮化镓等关键步骤实现蓝宝石衬底与氮化镓外延层的分离本发明的方法不会影响GaN有源层的晶体质量，从而可以保证垂直结构LED的发光效率。 1
制备蓝宝石电镀氮化镓外延层垂直结构LED 氮化物LED 衬底转移应力调控氮化镓衬底侧壁保护层氮化镓侧壁金属牺牲层一次性切割衬底抛光发光效率关键步骤抛光金属湿法腐蚀极性面镍基板基板热酸源层切割清洗剥离腐蚀释放保证

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488405.8在审
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488429.3在审
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488975.7在审
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488978.0在审
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710487779.8有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488979.5有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓外延片的钝化方法-CN201710826751.2有效
发明人：王波;房玉龙;尹甲运;张志荣;郭艳敏;李佳;芦伟立;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓外延片的钝化方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓外延层；在所述氮化镓外延层上生长势垒层；在所述势垒层上沉积铝原子；将所述氮化镓外延片暴露在空气中，以使得所述氮化镓外延片在空气中氧化形成氧化层作为钝化层。
氮化外延钝化方法

[发明专利]一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备和使用方法-CN201710754132.7有效
发明人：孔欣 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备和使用方法，晶体管包括氮化镓外延结构、源电极、漏电极和两个栅电极；所述的源电极和漏电极分别与氮化镓外延结构形成欧姆连接，所述的两个栅电极均位于源电极和漏电极之间，两个栅电极均包括总线和与总线连接的多个分支线，所述的总线与氮化镓外延结构形成肖特基接触，分支线的四周采用介质包裹并深入至氮化镓外延结构的沟道层，同时两个栅电极的分支线呈叉指状排布。
一种氮化电子迁移率晶体管及其制备使用方法

[实用新型]一种氮化镓高电子迁移率晶体管-CN201721087795.X有效
发明人：孔欣 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括氮化镓外延结构、源电极、漏电极和两个栅电极；所述的源电极和漏电极分别与氮化镓外延结构形成欧姆连接，所述的两个栅电极均位于源电极和漏电极之间，两个栅电极均包括总线和与总线连接的多个分支线，所述的总线与氮化镓外延结构形成肖特基接触，分支线的四周采用介质包裹并深入至氮化镓外延结构的沟道层，同时两个栅电极的分支线呈叉指状排布。
一种氮化电子迁移率晶体管

[发明专利]氮化镓基微纳米锥结构发光二极管及其制备方法-CN201610108576.9在审
发明人：熊卓;魏同波;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种氮化镓基微纳米锥结构发光二极管，包括衬底和衬底上的外延层，所述外延层包括n型氮化镓层，其中所述n型氮化镓层上包括绝缘介质层，所述绝缘介质层上具有刻蚀至所述n型氮化镓层的多个微纳米孔；在所述的微纳米孔中生长有外延至绝缘介质层之上的多个n型氮化镓微纳米锥，在所述微纳米锥的锥面上设置有多量子阱层。通过该制备方法得到一种氮化镓基微纳米锥结构发光二极管，这种结构既可实现长波长发光二极管，也可以用于无荧光粉单芯片白光等领域。
氮化镓基微纳米结构发光二极管及其制备方法