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[发明专利]半导体装置-CN201410400103.7在审
发明人：藤本英俊 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置具备：n型的氮化物半导体层；绝缘层，选择性地设置在氮化物半导体层上；n型的第一氮化物半导体区域，设置在氮化物半导体层上及绝缘层上；n型的第二氮化物半导体区域，设置在绝缘层上；p型的第三氮化物半导体区域，设置在第一氮化物半导体区域和第二氮化物半导体区域之间；栅极绝缘膜，设置在第三氮化物半导体区域上；栅电极，设置在栅极绝缘膜上；第一电极，与第二氮化物半导体区域电连接；以及第二电极，设置在氮化物半导体层的绝缘层相反侧，与氮化物半导体层电连接。
半导体装置

[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法-CN202280004733.5在审
发明人：刘阳;杜卫星;游政昇;张铭宏 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、掺杂氮化物基半导体层、氮化物基绝缘层、栅电极和钝化层。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，第二氮化物基半导体层的带隙大于第一氮化物基半导体层的带隙。掺杂氮化物基半导体层设置在第二氮化物基半导体上方并具有第一宽度。氮化物基绝缘层设置在掺杂氮化物基半导体层上，并且具有小于第一宽度的第二宽度。栅电极设置在氮化物基绝缘层上方，并且具有大于第二宽度的第三宽度。钝化层设置在第二氮化物基半导体层上方，并且具有位于掺杂氮化物基半导体层和抵靠氮化物基绝缘层的栅电极。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]电子装置-CN202210348942.3在审
发明人：王裕霖;陈蔚宗 -专利权人：川奇光电科技(扬州)有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种电子装置包括基板、第一线路层、氧化物绝缘层与氮化物绝缘层。第一线路层配置在基板上，并包括外层金属层。外层金属层含有重量百分比在97％以上的钼。氧化物绝缘层配置在第一线路层上，并接触外层金属层。氮化物绝缘层配置在氧化物绝缘层上，其中氧化物绝缘层的厚度与氮化物绝缘层的厚度之间的厚度差大于或等于250纳米。在以上氧化物绝缘层与氮化物绝缘层两者厚度差大于或等于250纳米的条件下，氧化物绝缘层与第一线路层之间能产生足够强度的结合力，以减少或防止氧化物绝缘层与氮化物绝缘层剥离。
电子装置

[发明专利]电子装置及其线路结构-CN202210348347.X在审
发明人：王裕霖;陈蔚宗 -专利权人：川奇光电科技(扬州)有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：一种电子装置及其线路结构，电子装置包括基板、线路结构、氧化物绝缘层与氮化物绝缘层。线路结构配置在基板上，并包括外层金属层与内层金属层。外层金属层的成分不包括钼。内层金属层配置在外层金属层与基板之间，而内层金属层的成分包括钼。氧化物绝缘层配置在线路结构上，并直接接触外层金属层。氮化物绝缘层配置在氧化物绝缘层上，其中氧化物绝缘层位于氮化物绝缘层与外层金属层之间。外层金属层与氧化物绝缘层之间能产生足够强度的结合力，以减少或防止氧化物绝缘层与氮化物绝缘层剥离，进而降低或避免线路结构损坏。
电子装置及其线路结构

[发明专利]III族氮化物金属绝缘体半导体场效应晶体管-CN201280037909.3有效
发明人：储荣明;大卫·F·布朗;陈旭;亚当·J·威廉姆斯;卡里姆·S·保特罗斯 -专利权人： HRL实验室有限责任公司
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种场效应晶体管（FET）包括：III族氮化物沟道层；沟道层上的III族氮化物势垒层，其中势垒层的能带带隙大于沟道层的能带带隙；与一个III族氮化物层电耦接的源极；与一个III族氮化物层电耦接的漏极；用于将栅极与势垒层和沟道层电绝缘的栅极绝缘层叠层，其包括例如SiN的绝缘层，以及AlN层；位于源极与漏极之间的区域的栅极，其与绝缘层接触；并且其中AlN层与一个III族氮化物层接触。
iii 氮化物金属绝缘体半导体场效应晶体管

[发明专利]金属－绝缘体－金属电容结构及其制造方法-CN200510137452.5无效
发明人：王庆钧;李隆盛;林哲歆;罗文妙 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种金属－绝缘体－金属电容结构，是至少由上电极、下电极以及绝缘层所构成，其中绝缘层位于上电极与下电极之间。而这种金属－绝缘体－金属电容结构的特征在于下电极包括一层导体层以及金属氮化物多层结构。金属氮化物多层结构是位于导体层与绝缘层之间，且其氮含量逐渐向绝缘层的方向增加并为非结晶(amorphous)形态。由于金属氮化物多层结构的关系，可避免绝缘层形成结晶，以减少漏电流的损失。
金属绝缘体电容结构及其制造方法

[发明专利]光学信息记录介质及其制备方法-CN200510052684.0无效
发明人：苅屋田英嗣 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2005-03-03 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种光学信息记录介质包括氧化物/氮化物绝缘膜，所述的膜具有比SiON膜高的成膜速度，因而适合批量生产。记录介质在长期的环境试验后在折射率上几乎没有变化。ZnS－SiO₂制成的第一绝缘层、硅－镍氧化物/氮化物制成的氧化物/氮化物绝缘层、ZnS－SiO₂制成的第二绝缘层、GeN制成的第一界面层、Ge₂Sb₂Te₅制成的记录层、GeN制成的第二界面层、ZnS－SiO₂制成的第三绝缘层和反射层以上述顺序连续地布置在一透明基片上。在含氩气、氧气和氮气的混合气体气氛中通过反应溅射形成氧化物/氮化物绝缘层。使氧化物/氮化物绝缘层的折射指数低于第一绝缘层和第二绝缘层的折射指数，使无定形状态的记录层的光吸收系数低于晶体状态的记录层的光吸收系数。
光学信息记录介质及其制备方法

[发明专利]形成半导体设备的绝缘层的方法-CN200710004249.X无效
发明人：金俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成半导体设备的绝缘层的方法。在工艺室中的硅基底上形成绝缘层的方法包括的步骤为：在硅基底上形成氮化物层；此后，对硅基底和氮化物层执行热氧化工艺，其中，热氧化工艺产生渗透到氮化物层中的激发的氧自由基，从而在氮化物层和硅基底之间形成下氧化硅层，在氮化物层的上表面上同时形成上氧化硅层。
形成半导体设备绝缘方法

[发明专利]一种表面氮化绝缘导热结构的多层基板制造方法-CN201810797070.2在审
发明人：温惟善 -专利权人：惠州市鸿业新型材料有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面氮化绝缘导热结构的多层基板制造方法，包括原始基板，所述原始基板的内部开设有垂直通孔，且垂直通孔设置于原始基板的内部或是边缘处，所述原始基板上和垂直通孔的孔内裸露面均覆盖有氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层表面真空溅射有镀钛层，且镀钛层的表面电镀有镀铜层，从而形成氮化物绝缘层的表面和垂直通孔的敷铜层,在气氛烧结炉中通过温度，氧分压，氮气流量，露点的组合控制法在金属表面形成一定厚度的金属氮化物，这些氮化物很多具有良好的导热性，而且这些氮化物是在金属表面原位反应形成，有着良好的结合性，在原位反应形成的金属氮化物表面通过溅射和表面电镀技术形成敷铜线路板。
垂直通孔原始基板氮化物绝缘层金属氮化物表面氮化表面电镀多层基板金属表面绝缘导热原位反应氮化物镀钛层溅射导热性气氛烧结炉线路板表面真空氮气流量组合控制边缘处镀铜层敷铜层结合性裸露面氧分压敷铜露点制造覆盖

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN201210576962.2有效
发明人：尾崎史朗 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：具体而言，提供一种制造半导体器件的方法，可以在衬底上形成氮化物半导体层，通过ALD的蒸汽氧化在氮化物半导体层上形成第一绝缘层，通过ALD的氧等离子体氧化在第一绝缘层上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成栅电极，以及在氮化物半导体层上形成源电极和漏电极。该氮化物半导体层可以包括在衬底上的第一半导体层和在第一半导体层上的第二半导体层。
半导体器件制造方法

[发明专利]制作电绝缘层的方法-CN01124401.1有效
发明人：赖俊仁;陈建维 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-07-24 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种制作电绝缘层的方法，至少包括提供一晶片，所述晶片至少包括一底材；形成一硅层于所述底材上；形成一氮化物层于所述硅层上；蚀刻部分所述氮化物层与部分所述硅层以形成一渠沟，所述渠沟的底部露出所述底材；形成一四氧乙基硅层于所述渠沟内与所述氮化物层上，并填满所述渠沟以形成一电绝缘层；进行一蚀刻制程并设定所述四氧乙基硅层的一被蚀刻速率高于所述氮化物层的一被蚀刻速率以蚀刻部分的所述四氧乙基硅层；设定所述氮化物层的所述被蚀刻速率高于所述四氧乙基硅层的所述被蚀刻速率；及移除所述氮化物层。本发明利用氧化物层与氮化物层的不同的被蚀刻速率的方式，可以制作表面较为平坦的电绝缘层。
制作绝缘方法

[实用新型]氮化物绝缘的管圈式电加热器-CN200920123386.X无效
发明人：王魁汉;吴兴华;吴奔 -专利权人：乐清市华东仪表厂
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： H05B3/48 文献下载
摘要：本实用新型所采取的技术方案是：一种氮化物绝缘的管圈式电加热器，它是由保护管、氮化物绝缘层、电热丝构成，圆管型的保护管里面安放有电热丝，管内形成的空隙中填充氮化物绝缘层。本实用新型采用氮化物作绝缘物后可以彻底地解决这些问题。常温下，绝缘电阻可达G级。由于氮化物绝缘层在高温下具有优异的绝缘性能，在功率相同的情况下，加热器的体积可以做的很小，又由于其优良的导热性，不仅增加了其使用寿命，还可节约了大量的能源。再者，氮化物无毒，对环境无污染，无破坏。
氮化物绝缘管圈式电加热器

[发明专利]半导体发光器件-CN201310022156.5有效
发明人：孙孝根 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件，包括：包括第一氮化物层和在所述第一氮化物层上的第二氮化物层的第一导电型半导体层；在所述第一氮化物层上的具有多个突起的绝缘层；设置在所述绝缘层的所述多个突起之间的空隙；在所述第一导电型半导体层上的有源层；以及在所述有源层上的第二导电型半导体层，其中所述第二氮化物的表面具有不均匀的形状。
半导体发光器件

[发明专利]用于形成半导体器件隔离结构的方法-CN200610156458.1无效
发明人：郭尚炫;任洙贤 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-12-31 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于形成半导体器件的隔离结构的方法，所述半导体器件包括衬底，在所述衬底处已形成有栅极绝缘层、栅极导电层以及垫氮化物层，所述方法包括：刻蚀所述垫氮化物层、所述栅极导电层、所述栅极绝缘层和所述衬底的一部分以形成沟槽；形成沿着所述沟槽的内表面的壁氧化物层；在第一得到的结构上形成第一绝缘层以部分填充所述沟槽，所述第一得到的结构包括所述氧化物层；利用旋涂方法在第二得到的结构上形成第二绝缘层以填充所述沟槽，所述第二得到的结构包括所述第一绝缘层；将所述垫氮化物层用作抛光停止层来抛光所述第一和第二绝缘层；去除所述垫氮化物层；使所述第一和第二绝缘层凹陷；以及使所述第二绝缘层凹陷到预定深度。
用于形成半导体器件隔离结构方法

[发明专利]半导体发光器件-CN201510954206.2有效
发明人：李美姬;李俊熙;李所螺;张美萝 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提供一种半导体发光器件，其包括：第一导电型氮化物半导体层；活性层，形成在第一导电型氮化物半导体层下方；第二导电型氮化物半导体层，形成在活性层下方；台面区域，从第二导电型氮化物半导体层向上形成，从而暴露第一导电型氮化物半导体层；第二电极，形成在第二导电型氮化物半导体层下方；金属覆盖层，形成在第二导电型氮化物半导体层下方的拐角处，以覆盖第二电极的一部分；绝缘层，形成在金属覆盖层、第二电极和台面区域下方；绝缘层的开口，形成在与台面区域相对应的部分处，从而暴露第一导电型氮化物半导体层；第一电极，形成在绝缘层下方和开口中；导电衬底，形成在第一电极下方；第二电极垫，形成在暴露的金属覆盖层上方。
半导体发光器件

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