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[发明专利]有机发光器件及其制作方法-CN201910272539.5有效
发明人：刘华龙;吴聪原 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：有机发光器件从下至上依次包括基板、氧化铟锡层、半导体层以及像素定义层，其中所述半导体层用以覆盖所述氧化铟锡层上的异物颗粒使所述氧化铟锡层厚度均匀。有机发光器件的制作方法包括步骤：制作氧化铟锡层、制作半导体层、图形化处理和制作像素定义层。本发明通过在所述氧化铟锡层上制作所述半导体层，可覆盖住氧化铟锡层存在的异物颗粒，避免异物颗粒处引起的亮点或暗点的亮度不均(mura)问题，保证了有机发光器件整体亮度均匀。
有机发光器件及其制作方法

[发明专利]一种镓锡氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法和应用-CN201810654056.7在审
发明人：刘川;郑集文;王昭桂;李敏敏;柯秋坛 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种镓锡氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法和应用，包括在衬底上制备栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极，所述有源层为镓锡氧化物半导体薄膜。本发明的镓锡氧化物半导体薄膜晶体管，摒弃了目前主流氧化物半导体中常用的锌、铟等稀有金属，仅采用镓锡金属盐溶液即制备出高性能、低成本、稳定的氧化物半导体薄膜晶体管。本发明提供的镓锡氧化物半导体薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，电子迁移率可达8cm²/(V·s)以上；并且可以通过调节Ga元素和Sn元素的含量来调节载流子迁移率，并使阈值电压在‑20V
锡氧化物半导体薄膜晶体管制备方法和应用电子迁移率源层制备氧化物半导体薄膜氧化物半导体载流子迁移率半导体薄膜稀有金属栅绝缘层阈值电压低成本锡金属盐溶液源漏极晶体管衬底主流

[发明专利]一种氧化镓基金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法-CN201710072915.7有效
发明人：梁红伟;夏晓川 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，提供了一种氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。以半绝缘氧化镓单晶为基体，其表面依次为非掺杂氧化镓层、锡层和图形化锡层；未被图形化锡层覆盖的锡层表面为氧化物介质层，氧化物介质层与图形化锡层间形成开口，开口数量是成对的，开口区域小于图形化锡层区域；开口区域的表面依次为钛层和金层，分别作为源电极和漏电极；氧化物介质层表面依次为钛层和金层，作为栅电极。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管的制备难题，实现新型氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管的研制。
一种氧化基金氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种半导体氧化物包覆镍钴铝酸锂三元材料的制备方法-CN201810539373.4在审
发明人：王夏阳;寇亮;张超;张诚;王继峰;田占元;邵乐 -专利权人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料及其制备方法，以半导体氧化物为改性剂对镍钴铝酸锂材料表面进行包覆：将半导体氧化物分散于有机溶剂中，向其中添加镍钴铝酸锂三元材料，混合均匀后喷雾干燥；半导体氧化物为氧化锡、氧化铟、氧化锡锑、氧化铟锡中的一种或几种。
半导体氧化物镍钴铝酸锂三元材料制备包覆材料热稳定性充放电容量循环稳定性喷雾干燥氧化锡锑氧化铟锡有机溶剂包覆的改性剂敏感度氧化锡氧化铟

[发明专利]掺杂型金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用-CN201910896373.4在审
发明人：徐苗;徐华;吴为敬;陈为峰;王磊;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂型金属氧化物半导体，该掺杂型金属氧化物半导体为掺杂有稀土氧化物的氧化铟锡或氧化铟锡锌半导体，该掺杂型金属氧化物半导体可以在较低的氧化镱或氧化镨掺杂浓度下，有效抑制薄膜中的氧空位浓度，其迁移率可以保持在较高的值；关键的，形成的薄膜能避免光照对I‑V特性和稳定性的影响，大幅度提高金属氧化物半导体器件在光照下的稳定性。本发明还提供该掺杂型金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。
金属氧化物半导体掺杂型薄膜光照掺杂金属氧化物半导体器件薄膜晶体管稀土氧化物氧化铟锡锌氧化铟锡有效抑制迁移率氧化镨氧化镱氧空位半导体应用

[发明专利]一种氧化锡光子晶体负载氧化钨和硫化镉半导体薄膜及其制备方法和应用-CN201811526279.1在审
发明人：陈梦诗 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜技术领域，公开了一种氧化锡光子晶体掺杂氧化钨和硫化镉半导体薄膜及其制备方法和应用。所述半导体薄膜是将氯化钨加入溶剂中配置反应前驱液，将氧化锡光子晶体放入高压反应釜内胆，将反应前驱液倒入高压反应釜内胆，密封后干燥在80～120℃恒温反应后，再在450～500℃下进行退火，得到氧化锡光子晶体负载氧化钨薄膜；再将氧化锡光子晶体负载氧化钨薄膜分别浸泡在醋酸镉和硫化钠水溶液中，自然晾干后在氮气环境下370～450℃煅烧制得。该方法采用溶剂热合成，在氧化锡光子晶体上掺杂氧化钨颗粒，再用原位合成法负载硫化镉颗粒，制作出半导体薄膜。该薄膜可作为太阳能电池的阳极应用在太阳能电池领域中。
光子晶体氧化锡半导体薄膜制备方法和应用反应前驱液高压反应釜氧化钨薄膜硫化镉氧化钨内胆掺杂半导体薄膜技术太阳能电池领域退火硫化钠水溶液硫化镉颗粒溶剂热合成氧化钨颗粒原位合成法太阳能电池氮气环境恒温反应自然晾干阳极醋酸镉氯化钨放入溶剂烧制薄膜密封浸泡配置应用

[发明专利]一种锗-铒掺杂二氧化锡多层复合薄膜及其制备方法-CN202011575069.9有效
发明人：李东珂;夏丽霞;李怡欢;严莲;翟章印;陈贵宾 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜及其制备方法，本发明利用高真空多射频靶磁控溅射系统，在清洗后的衬底上，交替进行铒掺杂二氧化锡子层和非晶锗子层的溅射沉积，将沉积得到的铒掺杂二氧化锡/非晶锗多层复合半导体薄膜在氮气环境中进行热退火处理，使非晶锗子层内锗原子聚集晶化形成锗量子点，得到交替层叠结合在衬底上的锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜。本发明采用在铒掺杂二氧化锡半导体薄膜中插入锗量子点层，利用锗量子点的电子强关联特性敏化增强铒发光中心的光学活性，提高其发光效率；通过调节锗量子点的微观尺寸，可以改变其电子关联特性，实现对铒掺杂氧化物半导体材料中铒发光中心的光学调控
一种掺杂氧化多层复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结-CN03150667.4无效
发明人：季振国;何振杰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-08-27 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明的用于半导体器件的铟锡氧化物pn结，其p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.01－0.3，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.01－0.3。由于铟锡氧化物是宽禁带半导体材料，且对可见光透明，因此本发明的铟锡氧化物pn结在光电子领域有重要的应用前景，如用于透明的电子器件，高温电子器件等。
一种用于半导体器件氧化物 pn

[发明专利]微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置-CN202210505336.8在审
发明人：黄青青;管云芳 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：该方法包括：提供微型LED外延片；在该外延片的第二半导体层上设置氧化铟锡层；将外延片的第一半导体层、多层量子阱结构、第二半导体层和氧化铟锡层转移到临时衬底上并暴露出第一半导体层；在第一半导体层上设置阴极金属层；围绕阴极金属层刻蚀直至暴露出氧化铟锡层，以形成台面结构；在暴露出的氧化铟锡层上设置阳极金属层；在以上形成的结构上设置钝化层并开设接触孔；在接触孔暴露出的金属层上设置金属凸点；将金属凸点与驱动基板键合；去除临时衬底，暴露出氧化铟锡层。根据该方案，可将透明的氧化铟锡层作为共用阳极，从而提高了出光效率并且增大了出光面。
微型 led 器件制备方法以及显示装置

[发明专利]制造并使用具有平滑表面形态的氧化锡膜的方法-CN201980032955.6在审
发明人：曾为民;曹勇 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-02 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开内容一般涉及使用掺杂的锡靶通过物理气相沉积制备的氧化锡膜。半导体膜可包括锡和氧，并且可在包括硅掺杂的锡靶的PVD腔室中形成。另外地，与没有掺杂的靶的类似地形成的膜相比，所述半导体膜可为平滑的。可通过对包括占总靶的0.5原子量％至5原子量％的量的硅的硅掺杂的锡溅射靶施加电偏置来沉积所述半导体膜。与在没有掺杂的靶的情况下形成的类似地形成的氧化锡膜相比，所述半导体膜具有平滑表面形态。
制造使用具有平滑表面形态氧化方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210835537.4在审
发明人：杨谨嘉;陈文斌;陈祖伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括基板、金属氧化物半导体层、第一栅极、源极以及漏极。金属氧化物半导体层的材料包括铟锌氧化物、铟钨氧化物、铟钨锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锡氧化物以及铟镓锌锡氧化物中的至少一者。金属氧化物半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区、位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的沟道区、位于第一掺杂区中的第一结晶区以及位于第二掺杂区中的第二结晶区。第一结晶区与第二结晶区的结晶度大于沟道区的结晶度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物-CN202010517239.1在审
发明人：大卫·查尔斯·史密斯;理查德·怀斯;阿潘·马霍罗瓦拉;帕特里克·A·范克利蒙布特;巴特·J·范施拉芬迪克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物。在半导体器件制造中使用薄氧化锡膜作为间隔物。在一个实现方式中，薄氧化锡膜被共形沉积到具有第一材料(例如，氧化硅或氮化硅)的暴露层和包括第二材料(例如硅或碳)的多个突出特征的半导体衬底上。例如，可以使用原子层沉积来沉积10‑100nm厚的氧化锡层。然后，氧化锡膜被从水平表面去除，而不被从突出特征的侧壁完全去除。接下来，突出特征的材料被蚀刻掉，从而在衬底上留下氧化锡间隔物。含锡颗粒可以通过将其转化成挥发性氢化锡而从处理室中去除。
半导体器件制造中的氧化薄膜间隔

[发明专利]半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物-CN202011403430.X在审
发明人：大卫·查尔斯·史密斯;理查德·怀斯;阿潘·马霍罗瓦拉;帕特里克·A·范克利蒙布特;巴特·J·范施拉芬迪克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物。在半导体器件制造中使用薄氧化锡膜作为间隔物。在一个实现方式中，薄氧化锡膜被共形沉积到具有第一材料(例如，氧化硅或氮化硅)的暴露层和包括第二材料(例如硅或碳)的多个突出特征的半导体衬底上。例如，可以使用原子层沉积来沉积10‑100nm厚的氧化锡层。然后，氧化锡膜被从水平表面去除，而不被从突出特征的侧壁完全去除。接下来，突出特征的材料被蚀刻掉，从而在衬底上留下氧化锡间隔物。含锡颗粒可以通过将其转化成挥发性氢化锡而从处理室中去除。
半导体器件制造中的氧化薄膜间隔

[发明专利]半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物-CN201710498301.5有效
发明人：大卫·查尔斯·史密斯;理查德·怀斯;阿潘·马霍罗瓦拉;帕特里克·A·范克利蒙布特;巴特·J·范施拉芬迪克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物。在半导体器件制造中使用薄氧化锡膜作为间隔物。在一个实现方式中，薄氧化锡膜被共形沉积到具有第一材料(例如，氧化硅或氮化硅)的暴露层和包括第二材料(例如硅或碳)的多个突出特征的半导体衬底上。例如，可以使用原子层沉积来沉积10‑100nm厚的氧化锡层。然后，氧化锡膜被从水平表面去除，而不被从突出特征的侧壁完全去除。接下来，突出特征的材料被蚀刻掉，从而在衬底上留下氧化锡间隔物。含锡颗粒可以通过将其转化成挥发性氢化锡而从处理室中去除。
半导体器件制造中的氧化薄膜间隔

[发明专利]一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜及其制备方法-CN201710292102.9在审
发明人：周培;邓广才;朱小英 -专利权人：成都川烯科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜，包括石墨烯薄膜，和铟锡氧化物半导体透明导电膜，碎裂为若干碎片的所述铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合于所述石墨烯薄膜的表面。本发明还公开了一种复合柔性透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤在衬底上生长石墨烯薄膜；将生长好石墨烯薄膜的衬底的石墨烯面，贴在胶膜上；将衬底与石墨烯薄膜剥离开来；将石墨烯薄膜与铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合在一起，然后加压使铟锡氧化物半导体透明导电膜碎裂并附着在石墨烯薄膜的表面，完成复合柔性透明导电薄膜的制备。本发明将碎裂的铟锡氧化物半导体透明导电膜与石墨烯薄膜复合在一起，在保留石墨烯薄膜原有优点的基础上有效降低了方阻。
一种基于石墨复合柔性透明导电薄膜及其制备方法

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