专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种滚动成型的高强耐磨氧化-CN202021689344.5有效
  • 徐利民;李国;黄文军 - 萍乡市禾田陶瓷有限公司
  • 2020-08-13 - 2021-03-12 - C04B41/90
  • 本实用新型公开了一种滚动成型的高强耐磨氧化球,包括氧化球本体,所述氧化球本体的表面设置有高强度,所述高强度的表面设置有耐磨;所述高强度包括钢合金,所述钢合金的表面固定连接有铝合金。本实用新型通过设置高强度、钢合金、铝合金、钛合金、耐磨、碳化铬、高锰钢和碳化钨相互配合,达到了提高氧化球强度和耐磨性能的优点,使氧化球在长期受到挤压时,能够有效的提高氧化球的强度,防止氧化球出现挤压损坏,延长了氧化球的使用寿命,同时氧化球在受到摩擦时,能够有效的提高氧化球的耐磨性能,防止氧化球出现摩擦损坏,延长了氧化球的使用寿命。
  • 一种滚动成型高强耐磨氧化铝
  • [发明专利]一种氧化纤维复合模块及其制备方法-CN201911368628.6有效
  • 傅超;岳耀辉;李梅;鹿明;徐亮;王成龙 - 山东鲁阳浩特高技术纤维有限公司
  • 2019-12-26 - 2022-04-15 - C04B35/80
  • 本发明涉及耐火纤维技术领域,尤其涉及一种氧化纤维复合模块及其制备方法。所述氧化纤维复合模块包括:氧化纤维针刺毯复合;包覆在所述氧化纤维针刺毯复合外表面的保护;所述保护由包括聚合硅凝胶、超细氧化粉、丙烯酸弹性乳液、分散剂和润湿剂的原料制备得到。所述氧化纤维复合模块中,保护可以有效保护氧化纤维针刺毯复合不受损伤,同时,在高温下不会发生脱落。所述氧化纤维复合模块抗热风蚀性能好,与氧化纤维针刺毯复合对耐高温起双重作用;其膨胀性能利于模块件的缝隙填充,有效隔绝热量传播。因此,本发明提供的氧化纤维复合模块不易开裂,环境适应性较强。
  • 一种氧化铝纤维复合模块及其制备方法
  • [实用新型]一种阳极氧化-CN201921079379.4有效
  • 王文强 - 天津市津川精密电子有限公司
  • 2019-07-11 - 2020-04-21 - B32B9/00
  • 本实用新型公开了一种阳极氧化板,包括第一氧化板和第二氧化板,所述第一氧化板的外侧中部开有插接槽,所述第一氧化板的左端固定连接有隔热,所述隔热的左端固定连接有反光,所述第一氧化板的右端固定连接有蜂窝板,所述蜂窝板的侧壁上均开有圆孔,所述蜂窝板的右端固定连接有第二氧化板,所述第二氧化板的外侧中部固定连接有插接条,所述第二氧化板的外侧贯穿插接有连接管。该阳极氧化板,通过设备整体结构,能够加强氧化板整体强度,并且增大阳极氧化板散热效率,通过插接槽和插接条结构,使得各个阳极铝板连接更加稳定;通过隔热和反光结构,使得氧化板具有隔热的效果。
  • 一种阳极氧化铝
  • [发明专利]一种Si衬底上高质量AlN薄膜材料的制备方法-CN202310052527.8在审
  • 杨学林;沈波;陈正昊;吴俊慷;蔡子东;杨鸿才;郭富强 - 北京大学
  • 2023-02-02 - 2023-03-21 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种Si衬底上高质量AlN薄膜材料的制备方法,以Si(111)为衬底,先在其表面形成一氧化;然后对氧化进行高温处理,形成α‑氧化过渡或者AlON/α‑氧化复合过渡;再在α‑氧化过渡或者AlON/α‑氧化复合过渡上生长高质量AlN薄膜。本发明利用α‑氧化的表面结构改善AlN成核晶粒间的取向差异,以AlON为AlN成核和α‑氧化之间良好的过渡,实现晶格常数的渐变,减少缺陷的形成。α‑氧化过渡还可以平衡外延生长过程中的应力和应变,降低外延片的翘曲;有效控制螺位错密度,减小电子器件的漏电;对于射频电子器件还可以减少Al向Si(111)衬底的扩散,从而减小射频损耗。
  • 一种si衬底质量aln薄膜材料制备方法
  • [实用新型]一种P型硅背表面钝化结构-CN201620579845.5有效
  • 赵斌;唐立丹;王冰 - 辽宁工业大学
  • 2016-06-15 - 2016-11-02 - H01L31/0216
  • 包括:衬;第一氧化,其设置在所述衬上方;以及第一AZO钝化膜,其设置在所述第一氧化的上方;第二氧化,其设置在所述第一AZO钝化膜上方;第二AZO钝化膜,其设置在所述第二氧化的上方;第三氧化,其设置在所述第二AZO钝化膜上方;第三AZO钝化膜,其设置在所述第三氧化的上方;其中,所述第一氧化、第二氧化和第三氧化的厚度相同,所述第一AZO钝化膜、第二AZO钝化膜和第三AZO钝化膜的厚度依次递增。本实用新型的有益效果是:减少了单一氧化钝化结构中氧化钝化的厚度,在保证钝化性能的同时,解决了现有技术中银浆难以烧穿钝化达到硅片表面的问题,有提高了钝化结构与硅基体的电性能。
  • 一种型硅背表面钝化结构

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