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[发明专利]一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物厚膜外延层的方法-CN202310599840.3在审
发明人：杨学林;沈波;吴俊慷;张立胜;陈正昊;付星宇 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物厚膜外延层的方法，首先在陶瓷衬底表面沉积填充材料，然后研磨抛光，获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并对其表面进行等离子体处理和/或原位NH3处理；最后生长单晶III族氮化物厚膜外延层。本发明不仅实现了在陶瓷衬底上外延生长单晶材料，还充分利用陶瓷衬底与III族氮化物热膨胀系数匹配的优点，实现了低热失配的高质量厚膜外延，并通过等离子体处理和/或原位NH3处理解决了二维材料表面难成核和外延层存在两种面内取向的问题。陶瓷衬底优异的热导率也为高压大电流大功率器件的应用提供了便利，基于成熟的产业链，还可以实现大尺寸、低成本的晶圆级制造。
一种陶瓷衬底生长 iii 氮化物外延方法

[发明专利]一种增强型氮化镓基电子器件及其制备方法-CN202310594594.2在审
发明人：杨学林;郭富强;唐宁;孙真昊;陈正昊;吴俊慷;陈帅宇;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型氮化镓基电子器件及其制备方法，通过在GaN缓冲层生长完成后将栅极区域刻蚀为“V”型槽形成半极性面或非极性面，削弱GaN极化效应，并结合薄Al(In,Ga)N势垒层进一步降低残余极化效应，实现栅极区域2DEG的本征完全耗尽，且在栅极介质淀积后也达到完全没有或者极低二维电子气浓度，实现阈值电压的有效正向提升；在栅极与源极以及栅极与漏极之间的access区域为薄Al(In,Ga)N势垒层与全极性面（c面）GaN异质结构，通过钝化介质层恢复得到高浓度2DEG。本发明能够实现更高阈值电压的增强型GaN基电子器件，有效降低刻蚀带来的界面态问题，显著提升器件栅极可靠性，并能有效提高工艺重复性和成品率，推动GaN基功率电子器件的产业化进程。
一种增强氮化电子器件及其制备方法

[发明专利]一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物的方法-CN202310044590.7有效
发明人：杨学林;沈波;吴俊慷;陈正昊;杨鸿才;郭富强 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物的方法。先在陶瓷衬底表面沉积填充材料并研磨抛光获得光滑表面，和/或，在表面形成Al‑O化合物层或二维材料层；然后依次在表面形成氮化物层和二维材料层，再生长单晶III族氮化物。通过在陶瓷衬底上沉积填充材料并研磨和抛光实现光滑的表面；在表面形成Al‑O化合物层或二维材料层以优化下一步氮化物的c轴取向；后续的氮化物层为单晶III族氮化物的生长提供极化场，保证其生长取向，并促进生长过程的成核；二维材料层为III族氮化物层的生长提供有序的六方结构，保证生长出单晶六方结构的III族氮化物。该方法实现了在陶瓷衬底上外延生长单晶III族氮化物，提高了晶体质量和散热性能，并大幅降低了成本。
一种陶瓷衬底生长 iii 氮化物方法

[发明专利]一种Si衬底上高质量AlN薄膜材料的制备方法-CN202310052527.8在审
发明人：杨学林;沈波;陈正昊;吴俊慷;蔡子东;杨鸿才;郭富强 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si衬底上高质量AlN薄膜材料的制备方法，以Si(111)为衬底，先在其表面形成一层氧化铝层；然后对氧化铝层进行高温处理，形成α‑氧化铝过渡层或者AlON/α‑氧化铝复合过渡层；再在α‑氧化铝过渡层或者AlON/α‑氧化铝复合过渡层上生长高质量AlN薄膜。本发明利用α‑氧化铝的表面结构改善AlN成核层晶粒间的取向差异，以AlON为AlN成核层和α‑氧化铝层之间良好的过渡层，实现晶格常数的渐变，减少缺陷的形成。α‑氧化铝过渡层还可以平衡外延生长过程中的应力和应变，降低外延片的翘曲；有效控制螺位错密度，减小电子器件的漏电；对于射频电子器件还可以减少Al向Si(111)衬底的扩散，从而减小射频损耗。
一种 si 衬底质量 aln 薄膜材料制备方法

[发明专利]一种提高宽禁带半导体载流子浓度的方法-CN202211204973.8有效
发明人：杨学林;沈波;黄华洋;陈正昊;杨志坚;王新强 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高宽禁带半导体载流子浓度的方法，通过高温退火结合原位高强度紫外光照的方法提高宽禁带半导体材料中的载流子浓度，包括：室温下用光子通量1017~1019 cm‑2 s‑1的高强度紫外光照射宽禁带半导体材料，在保持紫外光照射的同时，让宽禁带半导体材料升温至退火温度，维持退火温度一段时间，然后降温至室温，结束紫外光照射，得到载流子浓度提高的宽禁带半导体材料。该方法操作简单，不影响宽禁带半导体材料的生长过程，保持最优的晶体质量，同时可以有效降低宽禁带半导体材料中补偿性缺陷的密度，提高载流子浓度，从而提高器件的性能和可靠性，具有很强的实用性。
一种提高宽禁带半导体载流子浓度方法

[实用新型]一种含沙漏型散射体的高速公路声子晶体声屏障-CN202122528680.2有效
发明人：秦晓春;李俊陵;马保龙;倪安辰;滕玉禄;陈正昊 -专利权人：北京市高速公路交通工程有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： E01F8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含沙漏型散射体的高速公路声子晶体声屏障，包括：固定底座、顶部固定帽和沙漏型散射体；所述固定底座上设有卡槽；所述卡槽与所述沙漏型散射体的底部匹配；所述沙漏型散射体能够借助于所述卡槽卡在所述固定底座上，并通过螺丝固定与所述固定底座上；所述顶部固定帽固定设置在所述沙漏型散射体的顶部，用以固定所述沙漏型散射体散射体。本实用新型提供的声子晶体声屏障能够实现最大程度地对高速公路噪声频段500‑2500Hz的噪声进行控制，尤其是对主要噪声频段800‑1250Hz的交通噪声进行显著降低，可以降低受声点处的声压级，使声屏障的降噪效果更有效、更具有针对性。
一种沙漏散射高速公路晶体屏障

[发明专利]一种在任意自支撑衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法-CN202110370494.2有效
发明人：杨学林;沈波;刘丹烁;沈剑飞;蔡子东;陈正昊;马骋 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在任意自支撑衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，首先在任意自支撑衬底上沉积氮化物层，然后将单晶六方结构二维材料(如石墨烯)转移至氮化物层上，形成氮化物和六方结构二维材料复合缓冲层，然后进行AlN的成核以及GaN的外延生长，形成大面积连续GaN单晶薄膜。该方法基于氮化物和六方结构二维材料复合缓冲层，无需利用单晶同质强极性AlN或GaN衬底，也无需对二维材料表面进行破坏性处理形成悬挂键，工艺简单，可重复性好，实现了在任意自支撑衬底上生长单晶GaN薄膜，可用于制作GaN基大功率器件和柔性器件。
一种任意支撑衬底生长氮化薄膜方法

[实用新型]一种结合Bragg散射和腔体共振的声屏障顶端加强降噪装置-CN202122526492.6有效
发明人：秦晓春;倪安辰;陈正昊 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： E01F8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种结合Bragg散射和腔体共振的声屏障顶端加强降噪装置，包括：直立屏体、固定底板、第一散射吸声体、第二散射吸声体和第三散射吸声体；所述固定底板固定安装在所述直立屏体的顶端；所述第一散射吸声体、所述第二散射吸声体和所述第三散射吸声体依次并排固定设置在所述固定底板上；所述第一散射吸声体、所述第二散射吸声体和所述第三散射吸声体均由多个结构相同的声子晶体单胞并排组成；所述第一散射吸声体的声子晶体单胞的长度＞第二散射吸声体的声子晶体单胞的长度＞第三散射吸声体的声子晶体单胞的长度。本实用新型提供的声屏障顶端加强降噪装置能够实现最大程度地对公路噪声频段400‑2500Hz的噪声进行控制。
一种结合 bragg 散射共振屏障顶端加强装置

[实用新型]一种带信息展示的宽频多带高速公路声子晶体声屏障-CN202122528666.2有效
发明人：秦晓春;倪安辰;陈正昊 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： E01F8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带信息展示的宽频多带高速公路声子晶体声屏障，包括：固定底座、显示基板组件、连接系梁、沙漏型散射体和岩棉介质；固定底座上设有卡槽；卡槽与沙漏型散射体的底部匹配；沙漏型散射体能够借助于卡槽卡在固定底座上，并通过螺丝固定于固定底座上；连接系梁固定设置在沙漏型散射体的中部，用以固定沙漏型散射体；显示基板组件固定设置在所述连接系梁上；显示基板组件包括：框架、多块显示模组和电源单元；框架固定设置在连接系梁上；多块显示模组拼合构成能够覆盖框架的显示屏用以展示交通信息或广告信息。本实用新型提供的声屏障能够实现最大程度地对高速公路噪声频段160‑2500Hz的噪声进行控制和信息展示。
一种信息展示宽频高速公路晶体屏障

[发明专利]一种降低硅基氮化镓材料中镓扩散引起的射频损耗的方法-CN202110870325.5在审
发明人：杨学林;沈波;马骋;刘丹烁;蔡子东;陈正昊 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低硅基氮化镓材料中镓扩散引起的射频损耗的方法。在高阻硅衬底上进行外延生长前，通过预先进行的一炉AlN生长，对反应室中喷淋头和石墨盘等用AlN进行覆盖，从而有效阻挡了残余Ga向硅衬底中的扩散，进而降低了硅衬底和外延层界面处因Ga杂质引入的空穴造成的寄生电导，降低了硅基氮化镓射频器件的射频损耗。本发明方法能够有效抑制GaN材料在硅衬底上的外延过程中因残余Ga向硅衬底扩散带来的射频损耗，将对提高硅基氮化镓射频器件的性能发挥重要作用。
一种降低氮化材料扩散引起射频损耗方法

[发明专利]硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法-CN202010039835.3在审
发明人：杨学林;沈波;魏来;马骋;吴珊;沈剑飞;刘丹烁;蔡子东;黄华洋;陈正昊 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法，在高阻硅衬底上外延一层n型单晶硅，得到复合硅衬底，再在其上外延氮化铝和后续的氮化镓薄膜，通过复合硅衬底掺杂的n型电子与铝原子扩散带来的空穴流子复合，从而使硅衬底维持在高阻状态，降低硅基氮化镓射频器件的射频损耗。该方法在有效抑制器件射频损耗的同时，不会降低外延层的晶体质量，不影响器件的稳定性，而且操作简单快捷，成本可控。
氮化射频器件损耗抑制方法

[发明专利]一种高含杂废水过滤器-CN201611149711.0在审
发明人：晏振辉;俞勇;金豫佳;唐杰;陈正昊;李超;阮剑波 -专利权人：上海市固体废物处置中心
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： B01D29/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种高含杂废水过滤器，包括框架和过滤器本体；过滤器本体包括进水管、滤袋、支撑底座和出水管，进水管设置于过滤器本体的上端，出水管设置于过滤器本体的下端，支撑底座位于所述框架内，滤袋设置于支撑底座的上方；框架包括横杆和竖杆，其中，横杆连接在竖杆的上端组成四面立体结构。本发明一种高含杂废水过滤器具有成本低、固液分离效果好、能有效降低COD值、安装简单、操作方便的优点。
一种高含杂废水过滤器

[发明专利]一种医疗废物焚烧高浓度烟气制酸设备及方法-CN201611150454.2在审
发明人：唐杰;王利飚;阮剑波;王海宁;苏永良;陈正昊 -专利权人：上海市固体废物处置中心
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C01B7/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种医疗废物焚烧高浓度烟气制酸设备，包括烟气输送系统、烟气洗涤系统、循环冷却系统、烟气排放系统；循环冷却系统包括顺次相连的循环水泵、换热器、第一螺旋喷嘴和第二螺旋喷嘴；烟气洗涤系统设置有循环水池，循环水池中的水做吸收剂用于吸收烟气中的酸性气体；循环水泵与循环水池相连；本发明还公开了一种医疗废物焚烧高浓度烟气制酸的方法，本发明具有能有效减少飞灰和污水中氯含量，同时可制备得酸的优点。
一种医疗废物焚烧浓度烟气设备方法

[发明专利]聚氨酯固化丙烯酸酯树脂防雾耐磨涂料及其制备方法-CN201010562424.9无效
发明人：王俊俊;陈正昊;董绍天;高云鹤 -专利权人：上海旺俊化工有限公司
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C09D175/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚氨酯固化丙烯酸酯树脂防雾耐磨涂料及其制备方法，聚氨酯固化丙烯酸酯树脂防雾耐磨涂料是采用包括如下质量份的组分制备的：亲水性丙烯酸酯树脂130～190份，封闭型聚醚异氰酸酯固化剂210～525份，催化剂二月桂酸二丁基锡2.00～5.00份，所述封闭型聚醚异氰酸酯固化剂是以聚丙二醇和异佛尔酮二异氰酸酯为原料，反应获得聚醚异氰酸酯预聚体，然后再与封闭剂甲乙酮肟反应而获得的；测试结果表明，本发明制备的聚氨酯固化丙烯酸酯树脂涂料防雾能力强，透明性和耐磨性能好，生产成本低，在保持涂层优良防雾效果前提下，提高其表面耐磨性，应用前景广阔。
聚氨酯固化丙烯酸酯树脂耐磨涂料及其制备方法

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