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[发明专利]具有陶瓷棒为夹层的复合装甲板及其制备方法-CN202210569813.7在审
发明人：曲作鹏;陈威 -专利权人：曲作鹏
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： F41H5/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有氧化铝陶瓷棒为夹层的复合装甲板及其制备方法，包括：装甲板层和陶瓷棒。陶瓷棒由芯部纯氧化铝陶瓷和其表层的氧化铝陶瓷与复相陶瓷复合层，经热压烧结复合而成。其中复合层是由碳化钛与氧化铝烧结而成。复合层中的碳化钛与钢水润湿性好，有利于与浇入的钢水焊合。氧化铝芯部与复合层中的陶瓷同材质，烧结成型性好。本申请提供的氧化铝陶瓷棒为夹层的复合装甲板及其制备方法，陶瓷棒与装甲板层之间的连接强度高，复合装甲板的防弹性能好。
具有陶瓷夹层复合装甲及其制备方法

[实用新型]一种建筑用轻质保温结构-CN202221173291.0有效
发明人：周致中;戴锡明 -专利权人：无锡市明江保温材料有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： E04B1/80 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种建筑用轻质保温结构，其技术方案岩棉板，所述岩棉板粘连在外墙上；复合氧化铝板，所述复合氧化铝板设置在岩棉板外侧面，所述复合氧化铝板包括两层MJF氧化铝芯材层和矿物棉复合硬板，所述矿物棉复合硬板位于MJF氧化铝芯材层之间；暗扣件，所述暗扣件安装在岩棉板上，所述暗扣件承托复合氧化铝板的底部，本实用新型优点在于优化保温层布置，不通过单纯增加厚度提高保温能力，通过设置暗扣结构对保温板支撑，减少传统钢板的使用
一种建筑质保结构

[发明专利]氧化铝模板、高度垂直有序锑纳米线阵列及其制备方法-CN202010455838.5有效
发明人：方耀国;田秀君;李敏;吴月;陈淑青 -专利权人：苏州凌威新能源科技有限公司;湖南新敏雅新能源科技有限公司;四川新敏雅电池科技有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C25D11/16 文献下载
摘要：本申请提供一种氧化铝模板的制备方法，包括如下步骤：提供铝箔；在所述铝箔的第一面形成有序排列的多个凹坑结构；将所述铝箔通过阳极氧化形成氧化铝模板，其中，所述多个凹坑结构进一步氧化形成多个有序排列的孔阵列；在所述氧化铝模板的第一面沉积导电层；在所述导电层上沉积支撑层；除去所述氧化铝模板第二面的铝箔和部分氧化铝层，暴露到所述多个有序排列的孔阵列；对所述氧化铝模板进行扩孔处理。本申请在电解氧化铝模板之前，在其上形成有序排列的凹坑结构，所述凹坑结构在阳极氧化后转化为有序排列的孔阵列，凹坑结构分布越有序，形成的孔阵列越有序，可通过调节凹坑结构的有序度来调节孔阵列的有序度，从而获得高度有序的孔阵列
氧化铝模板高度垂直有序纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法-CN201710213902.7有效
发明人：岂云开;杨淑敏;顾建军 -专利权人：河北民族师范学院
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C25D11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法，所述Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜包括Co纳米层、Co纳米线和多孔氧化铝薄膜，所述Co纳米层位于所述多孔氧化铝薄膜的表面，所述Co纳米线位于所述多孔氧化铝薄膜的孔洞中，所述Co纳米层厚度、Co纳米线长度及Co纳米线的分布密度均从薄膜一端至另一端递减。本发明提供的Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜具有高饱和度虹彩渐变结构色和渐变的磁性，并且其制备方法简单，成本较低，在防伪、绘画、装饰、化妆品、显像技术、染料敏化和太阳能电池等领域具有广阔的用途
一种 co 纳米多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法

[发明专利]排气净化催化剂-CN201580046648.5有效
发明人：木村聪朗;堀村弘幸;山口拓未;远藤武士;饭室昭宏;大岛亮一;法师人央记;中原祐之辅 -专利权人：本田技研工业株式会社;三井金属矿业株式会社
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： B01J23/63 文献下载
摘要：提出一种排气净化催化剂，其具有：形成于由陶瓷或金属形成的基材的表面的第一催化剂层、和形成于该第一催化剂层的上侧的第二催化剂层，前述第一催化剂层含有贵金属、OSC材和氧化铝，且以OSC材：氧化铝＝1：7～1：3的质量比率含有OSC材和氧化铝，前述第二催化剂层含有贵金属、OSC材和氧化铝，且以OSC材：氧化铝＝1：1～10：0的质量比率含有OSC材和氧化铝。
排气净化催化剂

[发明专利]一种炒锅及其制作方法-CN202111075737.6有效
发明人：余成有 -专利权人：厦门佰顺兴自动化科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： A47J36/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种炒锅及其制作方法，其中，所述炒锅包括锅体，所述锅体包括铝基层、氧化铝涂层、氧化铝钛涂层和特氟龙涂层，所述氧化铝涂层等离子喷涂在所述铝基层的内表面上，所述氧化铝钛涂层等离子喷涂在所述氧化铝涂层上，所述特氟龙涂层涂覆在所述氧化铝钛涂层上。本发明通过先喷涂一层氧化铝涂层，可以起到绝缘作用，避免电腐蚀，使得氧化铝钛涂层不容易脱落，同时由于氧化铝涂层的孔隙率较低，因此可以使用普通的特氟龙作为不粘涂层，大大降低了成本。
一种炒锅及其制作方法

[发明专利]一种具有抗PID性能的PERC电池结构及其制备方法-CN201810112634.4在审
发明人：吴俊旻;张鹏;常青;谢耀辉;余波 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抗PID性能的PERC电池结构，包括硅衬底，所述硅衬底的正面依次设置有二氧化硅层和正面氮化硅层，所述硅衬底的反面依次设置有背面氧化铝层和背面氮化硅层；所述二氧化硅层和正面氮化硅层之间设置有正面氧化铝层，所述正面氧化铝层厚度为4±0.5nm；所述二氧化硅层厚度为2±0.5nm，所述正面氮化硅层厚度为80±9nm，所述背面氧化铝层厚度为4±0.5nm，所述背面氮化硅层厚度为130±10nm。本发明的电池结构具有正面氧化铝膜层，而且通过合理设计的正面氧化铝膜层的厚度以及其他膜层的厚度，使得该电池结构具有更强的抗PID性能，非常有效，十分值得推广。
氮化硅层电池结构氧化铝层二氧化硅层背面硅衬底氧化铝膜层依次设置制备膜层

[发明专利]一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法-CN200810119967.6有效
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法，步骤如下：在晶硅衬底(1)背面淀积铝层(2)，利用阳极氧化将铝层(2)制成阳极氧化铝孔阵列(3)，生成的阳极氧化铝孔要贯穿整个铝层，之后在阳极氧化铝孔阵列(3)上淀积背接触电极(4)，并进行退火，使背接触电极(4)通过阳极氧化铝孔与晶硅衬底(1)形成欧姆接触。
一种制备太阳电池局域接触方法

[发明专利]一种超薄多孔氧化铝模板的转移方法-CN201310102327.5无效
发明人：邓晨华;许小红;丁古巧;王芳;秦秀芳 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C25D11/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄多孔氧化铝模板的转移方法。包括如下步骤：（1）将铝片置于电解液中进行第一次氧化；（2）去除经所述第一次氧化处理后的所述铝片上的多孔氧化铝层，然后再置于所述电解液中进行第二次氧化得到多孔氧化铝模板；（3）在所述多孔氧化铝模板的正面旋涂保护胶；（4）将所述多孔氧化铝模板置于腐蚀液中去除铝基；（5）然后用滤纸或网漏将步骤（4）得到的所述多孔氧化铝模板转移至浸泡液中去除阻挡层；（6）将步骤（5）得到的所述多孔氧化铝层模板转移至基底上即完成对所述多孔氧化铝模板的转移本发明中的超薄多孔氧化铝模板与其它物理溅射方法结合可以较廉价的制备出各种材料的纳米点阵列结构，而且可以通过调节模板的孔径和孔间距来改变纳米单元的大小和间距，从而改变纳米材料的性能。
一种超薄多孔氧化铝模板转移方法

[发明专利]锂电极及包含它的锂二次电池-CN201811374538.3有效
发明人：禹庚火;孙政佑;尹钟建;河会珍 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：所述锂电极包含：锂金属层；形成在所述锂金属层上的氧化铝(Al2O3)层；以及形成在所述氧化铝(Al2O3)层上的碳层。根据本发明，氧化铝层可以防止非水电解质和锂金属层之间直接反应。特别是，由于氧化铝层不具有导电性，在锂金属层和氧化铝层之间产生锂析出，因此保护层上不会析出锂金属。进一步地，碳层的作用是在碳层上生成稳定的SEI膜。
电极包含二次电池

[发明专利]一种金属铝基氮化铝封装基板及其制备方法-CN201210533907.5有效
发明人：王文峰;张军;李明鹤;彭雷 -专利权人：武汉铂岩科技有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属铝基氮化铝封装基板及其制备方法，属于微电子材料领域。该封装基板包括一金属铝基底，在金属铝基底表面形成的多孔型阳极氧化铝膜，和在阳极氧化铝膜表面形成的氮化铝薄膜，其中阳极氧化铝膜的孔隙率由金属铝基底到氮化铝薄膜方向逐渐降低。该封装基板的制备方法是以金属铝为基底，在铝的一面进行阳极氧化产生一层多孔型阳极氧化铝膜，然后在阳极氧化铝膜上真空沉积氮化铝薄膜。本发明的金属铝基氮化铝封装基板，通过对金属铝基底进行阳极氧化处理，在铝基底与氮化铝薄膜之间形成一层热膨胀系数渐变的阳极氧化铝热应力缓冲层，显著改善了抗热冲击能力，在300℃热冲击下无开裂现象，能更好地应用于半导体芯片封装的后续工艺
一种金属氮化封装及其制备方法

[发明专利]驱动背板及其制备方法、显示面板-CN202210487953.X在审
发明人：郑帅;宋志伟 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：驱动背板包括基底、氧化物半导体层、氧化铝层、氧化硅层、源极、漏极以及栅极。氧化物半导体层设置在基底上，且包括沟道和位于沟道相对两侧的源极接触部和漏极接触部；氧化铝层覆盖在氧化物半导体层的表面，氧化铝层中开设有开口，开口裸露出沟道；氧化硅层设置在氧化铝层远离氧化物半导体层的一侧，氧化硅层填充于开口，并与沟道的表面接触；源极和漏极设置在氧化硅层远离氧化铝层的一侧；栅极设置在氧化物半导体层靠近基底的一侧或氧化硅层靠近源极的一侧。
驱动背板及其制备方法显示面板

[发明专利]一种大面积电子场致发射纳米结构阵列及其制备方法-CN200710029815.2无效
发明人：任山;刘向阳 -专利权人：中山大学
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：该场致发射体结构如下：在基体上均匀分布有与基体垂直的、具有针尖状尖端结构的锥形氧化铝纳米锥，在氧化铝纳米锥上涂覆一层电子场致发射材料，在氧化铝基体的孔洞里面填充导电的电极材料。制备方法为：首先对铝箔或附着在基底上的铝进行电化学阳极氧化处理得到表面为带纳米孔洞氧化铝膜的基体；用能与氧化铝反应的浸蚀液对所得的氧化铝膜进行浸蚀处理得到所述大面积有序氧化铝纳米锥阵列；在氧化铝基体的孔洞里面填充导电的电极材料，在氧化铝纳米锥阵列上再涂覆一层电子场致发射材料，制备得到一种新型的大面积电子场致发射纳米结构阵列。
一种大面积电子发射纳米结构阵列及其制备方法

[发明专利]一种氮化铝-氧化铝薄膜及其制备方法和应用-CN202010277909.7在审
发明人：蒋书森;吕文龙 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化铝‑氧化铝薄膜及其制备方法和应用，属于电子器件技术领域。本发明提供的氮化铝‑氧化铝薄膜的制备方法先将衬底升温至150～350℃，得到待沉积硅衬底；在真空条件下，向原子层沉积室通入三甲基铝气流，得到第一原子沉积层；通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化，然后向原子层沉积室通入氨水气流，得到第一氮化铝‑氧化铝沉积层；通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化；重复通入三甲基铝气流‑净化‑通入氨水气流‑净化的步骤，在待沉积硅衬底上得到氮化铝‑氧化铝薄膜。本发明得到的氮化铝‑氧化铝薄膜具有较低的漏电流密度，介电性能优异。
一种氮化氧化铝薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种含铬的氧化铝材料-CN201611056192.3在审
发明人：刘正英 -专利权人：佛山市尚好门窗有限责任公司
申请日： 2016-11-26 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C22C29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种含铬的氧化铝材料，所述的氧化铝材料是通过在氧化铝材料中掺杂金属铬而得。氧化铝陶瓷相与金属铬之间的润湿性并不好，但金属铬粉表面极易生成一层致密的氧化铬膜。这层膜很稳定，在干燥的氢气中加热到一定高温也不会还原成金属铬。在制作含铬的氧化铝材料时，通过铬表面的氧化铬和氧化铝生成固溶体，以降低它们表面之间的界面能来改善润湿性，使金属相和陶瓷相之间产生结合。
一种氧化铝材料

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