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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]正极活性物质的制造方法及二次电池、以及车辆-CN202280014457.0在审
发明人：吉谷友辅;平原誉士;宫入典子;早川昌彦;门马洋平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：提供一种充放电容量大的正极活性物质。另外，提供一种新颖的正极活性物质。在利用共沉淀法得到包含镍、钴及锰的钴化合物(还被称为前体)之后，以第一温度对混合锂化合物和钴化合物而得的混合物进行加热，在粉碎或研碎的混合物之后，以比第一温度高的第二温度再进行加热，在混合添加物之后进行第三加热处理，由此制造正极活性物质。第一温度的范围为400℃以上且700℃以下的范围。第二温度的范围为高于700℃且为1050℃以下的范围。
正极活性物质制造方法二次电池以及车辆

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810146247.2有效
发明人：山崎舜平;早川昌彦;筱原聪始 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在使用氧化物半导体的底栅型的晶体管中，提供如下结构，即：对栅电极层施加较高的栅电压的情况下，缓和在漏电极层的端部近旁（及源电极层的端部近旁）会发生的电场集中且抑制开关特性的劣化，而提高可靠性。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状设定为锥形形状，且重叠于沟道形成区上的绝缘层的厚度为0.3μm以下，优选为5nm以上且0.1μm以下。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状的下端部的锥形角θ设定为60°以下，优选设定为45°以下，更优选设定为30°以下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201710588496.2有效
发明人：山崎舜平;早川昌彦;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201210401500.7有效
发明人：山崎舜平;早川昌彦;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201510128932.9在审
发明人：津吹将志;吉富修平;辻隆博;细羽幸;坂田淳一郎;户松浩之;早川昌彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210368465.3在审
发明人：山崎舜平;早川昌彦;筱原聪始 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在使用氧化物半导体的底栅型的晶体管中，提供如下结构，即：对栅电极层施加较高的栅电压的情况下，缓和在漏电极层的端部近旁（及源电极层的端部近旁）会发生的电场集中且抑制开关特性的劣化，而提高可靠性。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状设定为锥形形状，且重叠于沟道形成区上的绝缘层的厚度为0.3μm以下，优选为5nm以上且0.1μm以下。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状的下端部的锥形角θ设定为60°以下，优选设定为45°以下，更优选设定为30°以下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]显示装置和电子装置-CN201210362478.X有效
发明人： 早川昌彦;山崎优;安藤由香里;宮川恵介;小山润;纳光明;安西彩;山崎舜平;瀬尾哲史;安部宽子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种显示装置和电子装置，其中由于环境温度的改变和随时间改变导致的光发射元件的电流变化的影响可抑制。本发明的显示装置具有光发射元件，串联至光发射元件的驱动晶体管，监视光发射元件，串联至监视光发射元件的限制晶体管，用于供应恒流至监视光发射元件的恒流源，和用于输出等于输入电势的电势的电路。光发射元件的第一电极经驱动晶体管连接至电路的输出端，经限制晶体管连接至电路输入端的监视光发射元件的第一电极。驱动晶体管的沟道长度L1和沟道宽度W1，和限制晶体管的沟道长度L2和沟道宽度W2满足L1/W1∶L2/W2=1∶2到1∶10。
显示装置电子装置

[发明专利]显示装置以及其驱动方法-CN201180020396.0有效
发明人： 早川昌彦;冈野真也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-04-04 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明的一个方式的目的是提供一种抑制在图像保持期间中消耗的电力的显示装置。一种显示装置，包括利用从转换器或者备份电路供给的电力驱动的液晶显示面板。当负荷大的写入工作时在使用转换器供给固定电位的同时对电容器进行充电，而当负荷小的图像保持期间时优先从电容器供给固定电位而不使用转换器。
显示装置及其驱动方法

[发明专利]显示装置-CN201080062018.4有效
发明人：胁本研一;早川昌彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：借助于简单的结构和简单的操作降低显示装置的功耗。显示装置包括输入装置。根据从输入装置输出的图像操作信号，来控制图像信号到驱动器电路的输入。具体而言，与输入装置在被操作时相比，输入装置未被操作时图像信号的输入更不频繁。相应地，能够防止使用显示装置时造成的显示退化（显示质量的恶化）并且能够降低不使用显示装置时消耗的功率。
显示装置

[发明专利]显示设备及其驱动方法-CN201080061885.6有效
发明人：胁本研一;早川昌彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：液晶显示设备包括设置于液晶显示面板的端部附近的光学传感器、设置在液晶显示面板的显示区域中的像素、以及监测像素。光学传感器监测从液晶显示面板侧面传递来的光的亮度。其晶体管截止状态电流较低的像素和监测像素被提供有显示静态图像的电位，光学传感器至少检测透射监测像素的液晶层的光，且当亮度变化率达到预定值时，位于液晶显示面板的显示区域中的像素和监测像素再次被提供电位，从而保持静态图像被显示。
显示设备及其驱动方法

[发明专利]显示装置的显示方法-CN201180006612.6有效
发明人：胁本研一;早川昌彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种适于数字数据文件提供的图像的显示方法；和/或一种显示装置的显示方法，其中根据显示装置的状态或应用户的请求调节图像质量和功耗来显示图像。利用数字数据文件提供的图像以及所述数字数据文件提供的并且与显示装置的操作相关联的数据，在显示装置上显示所述图像，在该显示装置中，多个像素具有连接到其截止态电流被减小的开关元件的像素电极。
显示装置显示方法

[发明专利]苯甲酰胺化合物-CN201080056213.6无效
发明人： 早川昌彦;吉村诚司;流石大辅;小池贵德;二川原充启;奥村光晶;槙圭介 -专利权人：安斯泰来制药株式会社
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C07D213/75 文献下载
摘要：本发明提供作为GK活化剂有用的化合物。本发明人对有望作为糖尿病、II型糖尿病、肥胖症、代谢综合征以及由上述疾病引起的关联疾病的治疗用药物组合物的有效成分的具有GK活化作用的化合物进行了研究，确认本发明的苯甲酰胺化合物具有优良的GK活化作用，从而完成了本发明。即，本发明的苯甲酰胺化合物具有GK活化作用，能够作为糖尿病、II型糖尿病、肥胖症、代谢综合征以及由上述疾病引起的关联疾病的预防和/或治疗剂使用。
甲酰胺化合物

[发明专利]元件基板、检查方法及半导体装置制造方法-CN201110437283.2有效
发明人：加藤清;泉小波;早川昌彦;镰田康一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-03-02 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括半导体层的基板，其中可以高可靠度评价元件的特性，以及其评价方法。本发明的包括半导体层的基板具有其中天线线圈和半导体元件串联连接的闭环电路，且其上形成有该电路的区域的表面覆盖有绝缘膜。通过使用这种电路，可以实施无接触检查。此外，环形振荡器可以替代该闭环电路。
元件检查方法半导体装置制造

[发明专利]驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备-CN201080038479.8有效
发明人： 早川昌彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-10-05 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一个目的是当将使用非晶半导体形成其沟道的薄膜晶体管用于仅使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的驱动器电路时，提供一种驱动器电路，其中根据阈值电压的改变程度补偿阈值电压。该驱动器电路包括单极晶体管，该单极晶体管包含布置在半导体层上下的第一栅极和第二栅极，它们之间提供有绝缘层，在该驱动器电路中，用于控制晶体管的切换的第一信号输入到第一栅极，用于控制晶体管的阈值电压的第二信号输入到第二栅极，并且根据包括在晶体管的源极和漏极之间流动的电流在内的电流消耗的值控制所述第二信号。
驱动器电路包括显示设备电子设备

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201080039723.2有效
发明人：津吹将志;吉富修平;辻隆博;细羽幸;坂田淳一郎;户松浩之;早川昌彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。
半导体器件制造方法

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