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[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件-CN201710725264.7有效
发明人：孟虎;梁学磊;夏继业;黄奇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化，其中，形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动，对有源层具有空穴掺杂的效果，从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题，提升产品的性能。
一种薄膜晶体管及其制作方法电子器件

[发明专利]不锈钢和塑料的结合件及其加工方法-CN201710028878.X有效
发明人：张法亮;董晓佳;王成;张孟军;刘鸿章;唐红平;刘利强 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C25D11/34 文献下载
摘要：该不锈钢和塑料的结合件包括不锈钢基材，所述不锈钢基材的表面上形成有蜂窝状细孔，经过电化学钝化处理，所述蜂窝状细孔的表面上形成有氧化膜，所述电化学钝化处理的处理条件为0.5‑6V的电压，钝化时间为1‑30分钟，所述氧化膜至少包括铁氧化物、铬氧化物或镍氧化物中的两种，所述不锈钢基材上注塑成型有塑料材料，所述塑料材料嵌入所述蜂窝状细孔中。本发明的一个技术效果为所述氧化膜具有良好的隔热效果，提高不锈钢基材和塑料材料之间的结合作用力。
不锈钢塑料结合及其加工方法

[发明专利]一种影像传感器晶圆的键合方法-CN201310012320.4有效
发明人：李平 -专利权人：陆伟
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种影像传感器晶圆的键合方法，包括以下步骤：运用高密度等离子体化学气相淀积器件晶圆钝化层氧化物；对淀积钝化层氧化物的器件晶圆进行第一次化学机械研磨；将器件晶圆进行等离子体增强化学气相淀积法在原有的氧化物上再次淀积钝化层氧化物；对器件晶圆进行第二次化学机械研磨；将第二次化学机械研磨后的器件晶圆进行退火处理；将处理后的器件晶圆与进行等离子体增强化学气相淀积氧化物处理和化学机械研磨后的载片键合。
一种影像传感器方法

[发明专利]固态电解质前驱体、固态电解质及其制备方法-CN202110177364.7有效
发明人：徐鹏飞;王康平;郑东东;曹晨;李旭;华松 -专利权人：中创新航技术研究院（江苏）有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明提供一种固态电解质前驱体、固态电解质及其制备方法，该固态电解质前驱体包括氧化物固态电解质和位于氧化物固态电解质至少部分表面的钝化结构，钝化结构包含‑S‑M结构，‑S‑M结构为硫部分或全部地取代氧化物固态电解质表面的氧形成，M为氧化物固态电解质中的金属元素。通过利用该固态电解质前驱体，结合酸性聚合物添加剂制备的固态电解质，能够在提升界面稳定性的同时抑制锂枝晶的生长，避免锂枝晶穿过固态电解质导通正负极造成电池内部短路，有效提升锂离子电池的安全性能。
固态电解质前驱及其制备方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法-CN201310737670.7在审
发明人：刘胜芳;平山秀雄 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层以及钝化层，所述源漏极层包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的源极和漏极，所述栅极绝缘层的内部或与有源层相邻的栅极绝缘层的表层含有阻止氢与有源层中的氧结合的氢捕获元素，和/或有源层的表层或内部含有阻止氢与有源层中的氧结合的氢捕获元素，和/或钝化层的内部或与源漏极层相邻的钝化层的表层含有阻止氢与有源层中的氧结合的氢捕获元素。该氧化物半导体薄膜晶体管能防止氢与有源层中的氧结合形成氧空位，防止氧化物半导体薄膜晶体管性能劣化的现象发生。
氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

[实用新型]太阳能电池-CN202022265017.3有效
发明人：陈海燕;沈雯;邓伟伟;蒋方丹 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池，包括硅基底、依次设置在所述硅基底背面的隧穿层与掺杂多晶硅层，所述硅基底的正面形成有扩散层，所述扩散层具有相邻的第一区域与第二区域；所述太阳能电池还包括设置在所述第一区域的钝化减反射层、设置在所述第二区域的透明氧化物导电层、设置在所述透明氧化物导电层背离所述扩散层一侧表面上的正面电极。本申请太阳能电池通过在扩散层的第二区域设置透明氧化物导电层，可将既定的低温浆料设置到所述透明氧化物导电层上，并经固化得到所述正面电极，无需高温烧结；且在扩散层的第一区域设置钝化减反射层，保证正面钝化性能
太阳能电池

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310547619.X在审
发明人：周明杰;黄辉;张娟娟;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，阴极层由有机电子传输材料掺杂层，钝化材料层和铼的氧化物掺杂层组成，有机电子传输材料掺杂层包括有机电子传输材料及掺杂在有机电子传输材料中的锌的化合物，有机电子传输材料的HOMO能级在-6.5eV～-7.5eV，玻璃化转变温度在50℃～100℃，锌的化合物材料选自氧化锌、硫化锌、硒化锌和氯化锌中至少一种，钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍和氧化铜中至少一种，铼的氧化物掺杂层包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的金属材料。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种具有HAC-D特征的晶体硅双面太阳电池结构-CN201810198890.X在审
发明人：黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种具有HAC‑D特征的晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由重掺杂n型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；其背电场面由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅层、透明导电氧化物TCO层、金属栅线II，金属栅线II部分覆盖透明导电氧化物TCO层。相比于HIT和HAC‑D结构完全避免贵重的透明导电氧化物的使用，同时减少了载流子在TCO上传输所造成的串联电阻损耗。
透明导电氧化物金属栅线重掺杂双面太阳电池本征非晶硅钝化层晶体硅钝化基底载流子晶体硅太阳电池串联电阻导电区域短路电流发电能力发射极面减反射层开路电压场钝化电场面发射极光区域光特性传输覆盖

[发明专利]一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构-CN201810198911.8在审
发明人：袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构，以n型晶体硅片为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面由本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅层、透明导电氧化物TCO层、金属栅线II，其中，金属栅线II部分覆盖透明导电氧化物TCO层。相比于HIT和HAC‑D结构完全避免贵重的透明导电氧化物的使用，同时减少了载流子在TCO上传输所造成的串联电阻损耗。
透明导电氧化物金属栅线重掺杂双面太阳电池本征非晶硅钝化层非晶硅晶体硅异质结钝化基底载流子晶体硅太阳电池串联电阻导电区域短路电流发电能力发射极面减反射层开路电压场钝化电场面发射极光区域光特性传输覆盖

[发明专利]一种钝化半导体激光器腔面的方法-CN202210201931.2在审
发明人：张积波;刘琦;苏建;陈康;肖成峰 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明涉及一种钝化半导体激光器腔面的方法，属于半导体激光器腔面钝化领域。包括：使用解理划片机在样品P面解理位解理成长度为3cm以上的巴条；将解理后的样品浸入钝化液中，将钝化液容器放于恒温摇床中，在样品腔面形成硫化物钝化膜，然后将钝化后的样品取出，采用去离子水清洗，氮气吹干，钝化液包括肼、硫化铵和去离子水；将吹干后的样品装入镀膜夹具中，放入真空镀膜机中，在前后腔面蒸镀硒化物钝化膜，接着在前腔面蒸镀增透膜，在后腔面蒸镀高反膜。本发明的腔面氧化物可以与S2‑和Se2‑反应，去除氧化物的同时，钝化液在腔面形成硫化物钝化膜；Se2‑与腔面形成硒化物钝化膜，达到双重保护，有效减少表面态密度。
一种钝化半导体激光器方法

[发明专利]钢马口铁的钝化方法、钝化马口铁和涂覆的钝化马口铁-CN202180033377.5在审
发明人：斯特凡诺·马丁斯;乔瓦尼·阿斯坦戈 -专利权人：特诺恩股份公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C25D5/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种钝化马口铁的方法，包括以下步骤：a.在含有至少一种碱金属硫酸盐的水溶液中对马口铁进行至少一次阴极电解处理，以获得厚度小于6mC/cm2的锡氧化物表面层；b.在至少含有硫酸根离子和锆离子的水溶液中对步骤a得到的马口铁进行至少一次阴极电解处理，以在所述锡氧化物表面层上形成含锆钝化层，钝化层中锆的量至多为12mg/m2；c.对步骤b得到的钝化马口铁进行氧化处理以形成氧化钝化层，所述氧化处理包括至少一个选自以下的步骤：c1.将马口铁与氧化性水溶液接触；c2.对马口铁进行阳极电解处理。
马口铁钝化方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法、组件和系统-CN202210112013.2在审
发明人：沈承焕;陈程;季根华;张耕;曹俊;赵影文;包杰;胡圣杰;黄策;陈嘉;马丽敏 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该太阳能电池，包括硅衬底、依次叠设于硅衬底背面的掺杂层和钝化层，钝化层开有局域裸露掺杂层的电极槽，电极槽设有背面电极；背面电极包括依次叠设于局域裸露的掺杂层背面的种子金属硅化物层、种子金属氧化物薄层、混合导电层和外金属层；种子金属硅化物层为钼硅化物层、镍硅化物层和钛硅化物层中的一层或多层，种子金属氧化物薄层为钼氧化物薄层、镍氧化物薄层和钛氧化物薄层中的一层或多层，种子金属氧化物薄层的厚度不大于20nm。
一种太阳能电池及其制备方法组件系统

[实用新型]一种太阳能电池、组件和系统-CN202220245915.9有效
发明人：沈承焕;陈程;季根华;张耕;曹俊;赵影文;包杰;胡圣杰;黄策;陈嘉;马丽敏 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该太阳能电池，包括硅衬底、依次叠设于硅衬底背面的掺杂层和钝化层，钝化层开有局域裸露掺杂层的电极槽，电极槽设有背面电极；背面电极包括依次叠设于局域裸露的掺杂层背面的种子金属硅化物层、种子金属氧化物薄层、混合导电层和外金属层；种子金属硅化物层为钼硅化物层、镍硅化物层和钛硅化物层中的一层或多层，种子金属氧化物薄层为钼氧化物薄层、镍氧化物薄层和钛氧化物薄层中的一层或多层，种子金属氧化物薄层的厚度不大于20nm。
一种太阳能电池组件系统

[实用新型]一种太阳能电池及其组件和系统-CN202220245952.X有效
发明人：沈承焕;季根华;陈程;张耕;曹俊;赵影文;包杰;杨俊楠;黄策;陈嘉;马丽敏 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种太阳能电池及其组件和系统，太阳能电池包括硅衬底及其背面的掺杂层，掺杂层设有背面电极：其包括设于掺杂层背面的种子金属硅化物层及叠设于种子金属硅化物层的背面局部区域的种子金属氧化物薄层、混合导电层和外金属层，种子金属硅化物层为镍硅化物层、钛硅化物层和钼硅化物层中的一层或多层，种子金属氧化物薄层为镍氧化物薄层、钛氧化物薄层和钼氧化物薄层中的一层或多层，混合导电层为种子金属氧化物与种子金属‑外金属合金体相互扩散形成的结构；种子金属硅化物层的未设外金属层的背面区域设有钝化抗划层。该太阳能电池无需增设钝化膜和激光开槽，不易被划伤，接触电阻率更低，电流传输性更好，防金属烧穿性更好，成本低。
一种太阳能电池及其组件系统

[发明专利]绿色高效N型单晶硅异质结电池技术-CN202111365941.1在审
发明人：宋太伟 -专利权人：上海日岳新能源有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该绿色高效的N型单晶硅异质结电池，主要由N型单晶硅、正面高浓度掺磷非晶硅层、正面氧化物钝化层、正面减反透明导电膜层、正面银栅线阴极、背面高浓度掺硼非晶硅层、背面氧化物钝化层、背面薄金属或合金层、背面氧化物层
绿色高效单晶硅异质结电池技术

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