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[发明专利]一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池-CN202010369109.8在审
发明人：李正平;刘超;杨杰;任栋樑;陈昌明;徐小娜;周国平 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-02 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明通过以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层，对晶硅表面具有优良的钝化效果，从而减少界面载流子复合，提高异质结电池转换效率。
一种氧化薄膜钝化异质结太阳电池

[实用新型]一种太阳能电池及其组件和系统-CN202220245951.5有效
发明人：季根华;沈承焕;陈程;张耕;曹俊;赵影文;包杰;胡圣杰;钱嘉伟;陈嘉;马丽敏 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种太阳能电池及其组件和系统，该太阳能电池包括：硅衬底及叠设于硅衬底背面的掺杂层，掺杂层设有背面电极；背面电极包括覆设于整个掺杂层背面的种子金属硅化物层及依次叠设于种子金属硅化物层的背面局部区域的种子金属氧化物薄层、混合导电层和外金属层，种子金属硅化物层为钼硅化物层、镍硅化物层和钛硅化物层中的一层或多层叠加，种子金属氧化物薄层为钼氧化物薄层、镍氧化物薄层和钛氧化物薄层中的一层或多层叠加形成的薄层结构；种子金属硅化物层的未设有外金属层的背面区域还设有钝化抗划层该太阳能电池无需额外增设钝化膜和激光开槽，结构更简单，且不易被划伤，接触电阻率更低，防金属烧穿性能更好，能降低电池成本。
一种太阳能电池及其组件系统

[发明专利]具有钝化层的半导体器件-CN201810385657.2有效
发明人：马强 -专利权人：苏州远创达科技有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钝化层的半导体器件，包括半导体本体，其包括第一表面；所述第一表面上设置有接触电极，所述接触电极至少包括2层，所述接触电极层堆叠，第一接触电极设置于所述第一表面，所述第一表面上邻近接触电极设置有层间介质层和钝化层，所述层间介质层包括在第一表面上的氮化物层、及所述氮化物层上的氧化物层，所述钝化层在氧化物层上，所述氧化物层的下表面延伸至第一接触电极的上表面下方，其上表面延伸至最上层接触电极的下表面上方。
具有钝化半导体器件

[发明专利]钝态金属活化方法和其用途-CN201811373037.3在审
发明人： Y·艾茵艾莉;D·格尔曼;B·莎拉特斯福;A·克瑞斯博格 -专利权人：泰克年研究发展基金会公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：公开了使用含氟阴离子的组合物进行的活化金属比如自钝化的金属的表面的方法，和金属‑氧化物溶解的方法。还公开了用于在相对低的温度和环境大气下融合(焊接、钎焊等)自钝化的金属的方法，和使用金属‑氧化物来源在自钝化的金属上电沉积金属的方法。
金属钝化活化含氟阴离子钝态金属电解质电化学电池氧化物来源电化学沉积金属环境大气可充电性阳极材料低腐蚀高效率氧化物钎焊上电焊接溶解融合

[实用新型]一种Cu电极太阳能电池-CN201420404854.1有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Cu电极太阳能电池，包括Cu背电极、Al背场、P型硅、N型发射极、钝化层、透明导电氧化物薄膜和Cu正电极，所述Cu背电极、Al背场、P型硅、N型发射极、钝化层、透明导电氧化物薄膜和Cu
一种 cu 电极太阳能电池

[发明专利]一种提高医用β型钛合金表面耐腐蚀性的电化学处理方法-CN201210510287.3有效
发明人：李季;李述军;侯文韬;郝玉琳;杨锐 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：在医用β型钛合金表面制备复合氧化物非晶膜层，包括对钛合金表面的阴极极化和阳极钝化；首先，通过对钛合金表面阴极极化，去除合金表面在空气中自发形成的氧化膜和上面附着的尘埃污染物；然后，进行阳极钝化生成稳定而致密的复合氧化物非晶膜层本发明适用富于含Nb、Zr等元素的β型医用钛合金，制备的钝化膜呈非晶态，表面具有很高的耐蚀性、致密性和稳定性，具有很好的生物相容性；同时，所制备的氧化膜层通过化学及电化学原理直接生成于基体，有利于增强基体与氧化层间的结合力；不受基材形状的限制，可在形状复杂的基体上制备均匀的钝化膜。
一种提高医用钛合金表面腐蚀性电化学处理方法

[发明专利]半导体器件的钝化方法-CN202110034018.3有效
发明人：张继宇;李颖;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的钝化方法，涉及半导体相关的技术领域，该半导体器件的钝化方法，包括如下步骤：将解理的巴条放入到腔室内进行氧化处理；抽真空，利用形成的氢等离子体对巴条的腔面进行清洗处理,并利用形成的氦等离子体对巴条的腔面进行清洗处理；在清洗处理后保持氦气源开启并形成氦等离子体的状态下，对巴条的腔面进行钝化处理，可以加速钝化过程。本发明提供的一种半导体器件的钝化方法将自然解理的巴条进行氧化处理，使巴条腔面上的氧化物的厚度均一，避免了在清洗过程中，出现清洗不完全和过清洗的问题，且利用氢等离子体和氦等离子体依次对腔面进行清洗，保持氦气源开启时进行钝化，能够对氧化物层彻底清洗并容易钝化。
半导体器件钝化方法

[发明专利]自还原生产费托合成钴基催化剂及其应用-CN201410409076.X有效
发明人：李德宝;刘岩;贾丽涛;侯博;王俊刚;陈从标 -专利权人：中国科学院山西煤炭化学研究所
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： B01J23/75 文献下载
摘要：一种自还原生产费托合成钴基催化剂包括氧化钴，氧化物载体和表面钝化氧化钴：氧化钴以金属计，金属钴15-35wt%，其余为氧化物载体；通过在沉积沉淀法制备催化剂载体过程引入有机碳源，利用有机碳源在惰性气氛下分解产生弱还原组分单质炭的特点，将含炭载体浸渍钴后焙烧，实现钴基催化剂焙烧和自还原的同步，得到表面钝化的自还原后的催化剂，大大降低钴基催化剂的在线还原温度。
还原生产费合成催化剂及其应用

[发明专利]包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板-CN201110461343.4有效
发明人：林训;金大焕;崔秉国;李瑟 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开一种包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板，其用于平板显示设备。所述薄膜晶体管基板包括：透明基板；设置在该透明基板上的具有氧化物半导体材料的薄膜晶体管层；设置在该薄膜晶体管层的整个表面上的钝化层；像素电极，该像素电极形成在该钝化层上并通过形成在该钝化层上的接触孔接触该薄膜晶体管层
包含氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]电子发射体-CN98801204.9无效
发明人：巴布·查拉马勒;松·P·帕克;查里斯·A·罗威尔 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1998-06-26 - 公布日： 1999-12-01 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电子发射体(121,221,321,421),包含其上制作有钝化层(120,220,320,420)的电子发射体结构(118)。钝化层(120,220,320,420)由下列元素的氧化物中的一种和它们的组合制成Ba、Ca、Sr、In、Sc、Ti、Ir、Co、Sr、Y、Zr、Ru、Pd、Sn、Lu、Hf、Re、La、Ce、Pr、Nd在最佳实施例中,电子发射体结构(118)由钼制成,而钝化层(120,220,320,420)由功函数低于钼的功函数的发射增强氧化物制成。
电子发射

[发明专利]ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法-CN201310169847.8在审
发明人：魏志鹏;田珊珊;方铉;唐吉龙;李金华;方芳;楚学影;王晓华;王菲 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明涉及一种ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，该方法包括：硫钝化，与InP表面自体氧化物发生化学反应而清洗，并生成硫化物钝化膜，消除InP表面悬键并使InP表面与外界隔绝；对InP基片进行快速热退火，使In-S键更好的结合，并且去除InP表面多余的单质硫层；利用ALD沉积AlN薄膜，AlN薄膜将InP表面形成保护层，防止InP表面硫钝化层重新被氧化。本发明有效提高钝化质量，有效解决了硫钝化退化。
ald 制备 inp 半导体激光器中的表面钝化方法

[发明专利]一种阵列基板的制造方法-CN201610206328.8在审
发明人：杜振源;吴振中;张家铭 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板的制造方法，包括：形成一第一金属层于一基板的上方，该第一金属层包括一栅极；形成一图案化的栅极绝缘层于基板的上方以覆盖第一金属层，并形成一金属氧化物层于栅极绝缘层的上方；形成一第二金属层于栅极绝缘层的上方，该第二金属层包括一漏极和一源极，该金属氧化物层位于漏极与源极之间；形成一钝化层于栅极绝缘层及第二金属层的上方；以及形成一透明导电层于钝化层的上方。相比于现有技术，本发明将诸如氧化铟镓锌的金属氧化物层作为硬掩膜层，可透过硬掩膜层来形成具有陡峭状图案边缘的钝化层，进而改善L0漏光情形，并且提升入射光的穿透率。
一种阵列制造方法

[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统-CN201910211585.4在审
发明人：早乙女辽一;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;新江定宪 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述场效应晶体管包括：基体材料；钝化层；在它们之间形成的栅绝缘层；源电极和漏电极，其形成为与所述栅绝缘层接触；在至少所述源电极和所述漏电极之间形成的且与所述栅绝缘层、所述源电极和所述漏电极接触的半导体层；和与所述栅绝缘层接触且经由所述栅绝缘层面对所述半导体层的栅电极，其中所述钝化层包含第一钝化层和形成为与该第一钝化层接触的第二钝化层，所述第一钝化层包含含有Si和碱土金属的第一复合金属氧化物，且所述第二钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合金属氧化物
钝化层栅绝缘层场效应晶体管漏电极源电极复合金属氧化物图像显示装置半导体层碱土金属显示元件基体材料稀土元素栅电极

[发明专利]一种轻量化车身的涂装方法及轻量化车身-CN201610847745.0在审
发明人：刘鹤;杨宇威;葛俊 -专利权人：北京新能源汽车股份有限公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： B05D7/14 文献下载
摘要：本发明涉及汽车领域，特别涉及一种轻量化车身的涂装方法，包括以下步骤：(A)将铝合金白车身在硫酸体系的电解液中，形成氧化物膜；(B)将形成氧化物膜后的铝合金白车身置于钝化液中，形成钝化层；或者将形成氧化膜后的铝合金白车身置于95～98℃的水中进行封闭；(C)对形成钝化层或者封闭后的铝合金白车身涂覆密封胶、抗石击涂料及阻尼材料。整个过程尽量避免涂覆漆料及高温烘烤，大大降低了VOC以及二氧化碳的排放量。而且本发明方法简单，方法简单，简化了涂装的工艺流程，降低了生成成本。
一种量化车身方法

[发明专利]一种非晶氧化物薄膜晶体管光学感应器及电子设备-CN202110570756.X在审
发明人：罗志猛;李源;谢雄才 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管光学感应器及电子设备，非晶氧化物薄膜晶体管光学感应器包括：基板；底栅至少部分覆盖基板；第一顶栅绝缘层至少部分覆盖基板和底栅；有源层至少部分覆盖第一顶栅绝缘层；欧姆接触层至少部分覆盖第一顶栅绝缘层；源漏极层至少部分覆盖第一顶栅绝缘层和欧姆接触层；第二顶栅绝缘层至少部分覆盖有源层；顶栅层覆盖第二顶栅绝缘层；钝化层至少部分覆盖顶栅层和源漏极层，钝化层对应顶栅层处设有通孔；光伏部件至少部分覆盖钝化层。本发明使用刻蚀阻挡型非晶氧化物与光伏器件叠层结构制作光学感应器，规避了背沟道非晶氧化物稳定性及均匀性差的问题，同时保证光学感应器具有较大的像素填充率。
一种氧化物薄膜晶体管光学感应器电子设备