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[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202010155488.0在审
发明人：樋口鮎美;赤西勇哉 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供对表面具有金属层的基板进行处理的基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括：氧化金属层形成工序，通过向基板的表面供给氧化流体而在金属层的表层形成包含1个原子层或多个原子层的氧化金属层；及氧化金属层去除工序，通过向基板的表面供给蚀刻液而将氧化金属层从基板的表面去除交替地多次执行氧化金属层形成工序与氧化金属层去除工序。最终溶存氧浓度低于初始溶存氧浓度，最终溶存氧浓度为在多次执行的氧化金属层去除工序中的最后执行的最终氧化金属层去除工序中向基板的表面供给的蚀刻液中的溶存氧浓度，初始溶存氧浓度为在最终氧化金属层去除工序之前执行的初始氧化金属层去除工序中向基板供给的蚀刻液中的溶存氧浓度
处理方法装置

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN201410387764.0有效
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成有栅极，在所述栅极的顶面形成有硬掩膜层，其中所述硬掩膜层的表面上形成有自然氧化层；采用氢氟酸溶液酸洗完全去除所述自然氧化层；采用磷酸旧液去除所述硬掩膜层，同时在所述栅极氧化层上形成氧化硅层。根据本发明的方法，可有效去除硬掩膜表面上的自然氧化层，同时采用磷酸旧酸进行氮氧化硅硬掩膜层的去除的同时，在栅极两侧的栅极氧化层上又形成了氧化硅层，使栅极氧化层厚度未发生改变，有利于控制离子注入的深度，进而提高了器件的良率和电学性能
一种半导体器件制作方法

[发明专利]铝合金壳体及其制备方法和个人电子设备-CN201611265160.4有效
发明人：廖重重;王钰;陈梁 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C25D11/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝合金壳体及其制备方法和个人电子设备，该铝合金壳体包括铝合金基体(1)和氧化膜层(2)；所述铝合金基体(1)上具有狭缝(3)；所述氧化膜层(2)包括内层阳极氧化膜层(21)以及外层阳极氧化膜层(22)；所述内层阳极氧化膜层(21)具有内层阳极氧化膜层纳米孔；所述外层阳极氧化膜层(22)具有外层阳极氧化膜层纳米孔，所述内层阳极氧化膜层纳米孔的密度为200‑550个/平方微米，所述外层阳极氧化膜层纳米孔的密度为该铝合金壳体从壳体外侧表面看为连续的金属层，金属层中的狭缝可用于作为天线槽。金属层表面的氧化膜层起到了良好的遮蔽作用，使得狭缝表观不可见，壳体整洁光滑，具有较好的金属质感。
阳极氧化膜层铝合金壳体纳米孔内层氧化膜层狭缝个人电子设备铝合金基体金属层制备壳体外侧表面金属层表面金属质感不可见天线槽壳体可用遮蔽光滑整洁

[实用新型]一种消除光刻针孔危害的可控硅结构-CN201020240832.8有效
发明人：耿开远;周健;朱法扬 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧，所述二次氧化层厚度小于一次氧化层厚度。
一种消除光刻针孔危害可控硅结构

[发明专利]叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法-CN201811633012.2有效
发明人：张滔;向超宇;朱佩;罗植天 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种叠层结构，至少包括一个叠层单元，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层，且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成第三金属氧化物薄膜。
结构及其制备方法发光二极管

[发明专利]可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法-CN200710044802.2有效
发明人：陈泰江;王心 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：公开了一种可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面生长第一氧化层；图案化所述第一氧化层，以暴露对应栅极位置的第一氧化层；去除该暴露对应栅极位置的第一氧化层；将所述衬底浸泡在去离子水中生长第二氧化层；在所述第一氧化层和第二氧化层表面形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层形成栅极。本发明的可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法能够精确地控制栅极氧化层的厚度，满足不同阈值电压的需要。
可调整栅极氧化厚度半导体器件制造方法

[发明专利]半导体集成电路中的垫氧化层的形成方法-CN02108451.3有效
发明人：黄良田;陈心怡;张忠吉 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-04-01 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种半导体集成电路中的垫氧化层的形成方法，是于硅晶圆上形成一层厚度比后续工艺所需的垫氧化层的厚度略大一些的零层氧化层，随后进行微影与蚀刻工艺，图案化零层氧化层与硅晶圆，以于硅晶圆中形成数个对准用标记。然后进行一清洗工艺将光阻与部分零层氧化层去除，一来可避免光阻的残留，另外也可控制零层氧化层的厚度直到零层氧化层的厚度与后续工艺所需的垫氧化层的厚度一致。
半导体集成电路中的氧化形成方法

[发明专利]半导体器件制备方法-CN202210643959.1在审
发明人：叶家明;李庆民;林滔天;葛成海;祝进专 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述半导体器件制备方法，包括以下步骤：提供衬底；采用炉管工艺，在衬底上形成第一栅氧化层；采用热氧化工艺，基于衬底靠近第一栅氧化层的部分，形成第二栅氧化层；其中，第一栅氧化层和第二栅氧化层共同构成栅氧化层在栅氧化层远离衬底的表面形成栅极。上述半导体器件制备方法中，既保证了可以制备所需的栅氧化层厚度，又保证了衬底表面的栅氧化层具有相当高的质量，进而减小了半导体器件的热载流子效应，使得半导体器件的性能达到最佳化。此外，由于衬底表面的栅氧化层是热氧化工艺制备的，故栅氧化层的均匀性好，有利于提高半导体器件的耐压能力。
半导体器件制备方法

[实用新型]一种珠光颜料-CN202121269678.1有效
发明人：林景忠 -专利权人：福建波普画材科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C09C1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种珠光颜料，它包括珠光颜料层和包覆在珠光颜料层的反射层，所述反射层外表面依次包覆有四氧化三铁层、氧化铅层、氧化锌层和保护层，所述反射层为氧化钛层或氮化钛层，所述保护层为氧化铝层或二氧化硅层本实用新型的珠光颜料通过在云母基材层上依次设置有多层不同折射率氧化物层，通过多层氧化物的折射和衍射珠光颜色更加柔和；同时还能够在磁场作用下营造立体效果，应用范围更加广泛。
一种珠光颜料

[发明专利]一种分离栅MOSFET的制作方法-CN202111065259.0在审
发明人：张楠;黄健;孙闫涛;顾昀浦;刘静 -专利权人：捷捷微电（上海）科技有限公司
申请日： 2021-09-11 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法，包括：选取硅衬底并依次淀积第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层；对硅外延层表面刻蚀形成沟槽；形成分离栅氧化层；在沟槽内形成分离栅多晶硅；使分离栅多晶硅暴露于分离栅氧化层外；以干法刻蚀方式刻蚀分离栅多晶硅，使其顶部低于第三氧化层的最高处，形成一凹陷区域；在沟槽内沉积氧化层，以填满凹陷区域，在凹陷区域内形成多晶硅间隔离氧化层；在多晶硅间隔离氧化层上方的沟槽内形成栅极氧化层；在由栅极氧化层形成的沟槽内形成栅极多晶硅。本发明通过将分离栅多晶硅向下刻蚀出凹陷区域，再向凹陷区域内填充氧化层来形成多晶硅间隔离氧化层的方法，能够形成厚度较厚且形貌完整的多晶硅间隔离氧化层。
一种分离 mosfet 制作方法

[实用新型]一种用于观察强光源的减光滤光片-CN201921712035.2有效
发明人：吴临红;刘军;邹维;刘辉;叶永洋;刘功豪 -专利权人：江西水晶光电有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于观察强光源的减光滤光片，包括由玻璃制成的基底，该基底上从内至外依次镀有第一二氧化钛层、第一铬层、第一二氧化硅层、第二二氧化钛层、第二铬层、第三二氧化钛层、第二二氧化硅层、第四二氧化钛层、第三铬层、第五二氧化钛层、第三二氧化硅层、第六二氧化钛层、第四铬层、第七二氧化钛层、第四二氧化硅层。本实用新型提供以常用的二氧化硅、二氧化钛和高反射高吸收的铬金属为原料，结合滤光曲线和加工工艺，在玻璃表面以特定顺序和厚度进行镀膜，形成一种用于观察强光源的滤光片，不仅具有光衰减特性，并且制造成本低、经济效益高
一种用于观察光源滤光

[实用新型]一种紫蓝色增透镀膜玻璃-CN202122480805.9有效
发明人：张山山;李险峰;王家亮;沈晓晨;张金鹏 -专利权人：中建材光电装备（太仓）有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫蓝色增透镀膜玻璃，包括玻璃基底层和氧化锆层一，所述玻璃基底层的上方固定有氧化钛层一，且氧化钛层一的上方设置有氧化硅层一，所述氧化硅层一的上方固定有氧化钛层二，且氧化钛层二的上方设置有氧化硅层二，所述氧化锆层一固定于氧化硅层二的上方，所述玻璃基底层的下方设置有氧化钛层三，且氧化钛层三的下方固定有氧化硅层三。该紫蓝色增透镀膜玻璃，与现有的普通镀膜玻璃相比，玻璃基底层上下各五层薄膜，以对称结构沉积，共十层膜，使得该紫蓝色增透镀膜玻璃在可见光范围内透过率极高，各项性能满足使用要求，同时外观呈紫蓝色，增添了镜片玻璃外观种类
一种紫蓝色增透镀膜玻璃

[发明专利]形成接触洞的方法-CN201711470650.2有效
发明人：张峰溢;邹世芳;李甫哲;蒋欣妤;陈昱磬 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种形成接触洞的方法，包含提供一导电线，一掩模层覆盖并接触导电线，一高介电常数层覆盖并接触掩模层，一第一氧化硅层覆盖并接触高介电常数层，其中高介电常数层包含一第一金属氧化物层、一第二金属氧化物层和一第三金属氧化物层由下至上堆叠，接着进行一干蚀刻，蚀刻第一氧化硅层、高介电常数层和掩模层直至曝露出导电线，以形成一接触洞，最后进行一湿蚀刻，蚀刻第一氧化硅层、第三金属氧化物层和第二金属氧化物层并且保留第一金属氧化物层，以扩大接触洞。
形成接触方法

[发明专利]薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法-CN201910971659.4有效
发明人：温志杰;魏伯州 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设计及制造领域，特别是涉及一种薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法，薄膜堆叠结构的制备方法包括：形成氧化硅层的步骤；形成氮化硅层的步骤；以及形成氢氮氧化硅缓冲层的步骤，其中，所述氢氮氧化硅缓冲层形成于所述氧化硅层与所述氮化硅层之间本发明在氧化硅层及氮化硅层之间插入氢氮氧化硅缓冲层，降低了氧化硅层及氮化硅层间的应力梯度，从而最大限度地减小层间应力差引起的剪应力，提高氧化硅层及氮化硅层的结合强度，防止氧化硅层及氮化硅层间由于应力不平衡引起的开裂风险
薄膜堆叠结构三维存储器及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法-CN201510565095.6在审
发明人：李世彬;王美娟;陈乐毅;李杭倩;张鹏;王亚飞;陈志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法，包括：在透明的衬底上形成氧化锌层；将形成了氧化锌层的衬底置于生长溶液中进行反应，在氧化锌层上生长形成铝掺杂氧化锌纳米棒层；在铝掺杂氧化锌纳米棒层上形成氧化铝层；在氧化铝层上形成钙钛矿光敏感层；在钙钛矿光敏感层上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成背电极层。本发明的实施例中，采用铝掺杂氧化锌纳米棒层作为电子传输层，其具有较大的表面积和较好的电子传输能力；氧化铝层形成铝掺杂氧化锌纳米棒层上，作为修饰阻挡层，可以改善氧化锌纳米棒的缺陷；这样，使得本发明实施例的基于铝掺杂氧化锌纳米棒的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率得到了提高
一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法