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[实用新型]一种方形复合式壳型电极半导体探测器-CN201820477209.0有效
发明人：李正;刘曼文 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种方形复合式壳型电极半导体探测器，包括正面沟槽电极、反面沟槽电极和中央柱状电极，其中正面沟槽电极、反面沟槽电极和中央柱状电极由半导体基体通过刻蚀、扩散掺杂的方法制备形成，正面沟槽电极和反面沟槽电极环绕于中央柱状电极之外，其中，正面沟槽电极和反面沟槽电极为矩形中空电极；正面沟槽电极刻蚀成结构相同，且结构上互为互补的两半，在正面沟槽电极间没有刻蚀的部分形成斜纹状半导体基体，且斜纹状半导体基体宽度小于10μm；正面沟槽电极和中央柱状电极上覆盖有电极接触层，正面未覆盖电极接触层的其他半导体基体表面覆盖二氧化硅绝缘层，底面设置有二氧化硅衬底层。
电极正面沟槽中央柱半导体基体沟槽电极刻蚀半导体探测器复合式斜纹状壳型半导体基体表面二氧化硅绝缘层电极接触层二氧化硅覆盖电极矩形中空扩散掺杂衬底层接触层底面覆盖制备环绕

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202310384155.9有效
发明人：韩瑞津;陈忠奎;曾辉 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括步骤：提供一衬底；在衬底正面及背面形成不同深度的正面沟槽和背面沟槽，所述背面沟槽的位置和延伸方向与所述正面沟槽的位置和延伸方向对应；于所述衬底正面、正面沟槽的顶部、侧壁和底部，所述衬底背面、背面沟槽的顶部、侧壁和底部同时形成氧化硅薄膜。本发明通过背面沟槽侧壁氧化硅薄膜压应力抵消正面沟槽侧壁氧化硅薄膜压应力，使晶圆变得平坦，从而解决晶圆马鞍型翘曲问题。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体件的制造方法-CN201510752088.7有效
发明人：高桥睦也;山田秀一;村田道昭 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体件的制造方法，包括：形成沟槽，该沟槽具有第一沟槽部分以及第二沟槽部分，第二沟槽部分是形成为与第一沟槽部分的下部连通的沟槽部分并以比第一沟槽部分的角度更陡峭的角度朝下部延伸，沟槽具有在第一沟槽部分与第二沟槽部分之间不存在拐角部分的形状，沟槽定位在正面上并利用干蚀法形成；将包括粘合剂层的保持部件附着至正面，正面形成有正面上的沟槽；在附着保持部件的状态下，从基板的背面使基板变薄；以及在变薄之后，从正面去除保持部件。
半导体制造方法

[发明专利]能实现理想平面结击穿电压的MOSFET器件-CN202210540307.5在审
发明人：姜鹏 -专利权人：无锡紫光微电子有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种能实现理想平面结击穿电压的MOSFET器件，在N型衬底的正面设有N型漂移区，在N型漂移区的正面设有沟槽，在对应沟槽内侧的N型漂移区的正面设有P型基区，在对应沟槽外侧的N型漂移区的正面设有N型截止环，在沟槽的侧面以及底面、靠近沟槽的P型基区的正面与N型截止环的正面设有沟槽氧化层，在对应沟槽位置的沟槽氧化层内设有沟槽介质，在沟槽介质内埋设有场板，在P型基区的正面设有阳极电极，阳极电极覆盖部分沟槽介质
实现理想平面击穿电压 mosfet 器件

[实用新型]能实现理想平面结击穿电压的MOSFET器件-CN202221192337.3有效
发明人：姜鹏 -专利权人：无锡紫光微电子有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种能实现理想平面结击穿电压的MOSFET器件，在N型衬底的正面设有N型漂移区，在N型漂移区的正面设有沟槽，在对应沟槽内侧的N型漂移区的正面设有P型基区，在对应沟槽外侧的N型漂移区的正面设有N型截止环，在沟槽的侧面以及底面、靠近沟槽的P型基区的正面与N型截止环的正面设有沟槽氧化层，在对应沟槽位置的沟槽氧化层内设有沟槽介质，在沟槽介质内埋设有场板，在P型基区的正面设有阳极电极，阳极电极覆盖部分沟槽介质
实现理想平面击穿电压 mosfet 器件

[发明专利]用于纳米孔阵列的自密封流体通道-CN201280019456.1有效
发明人：党兵;彭红波 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：一种形成纳米孔阵列的方法包括：对衬底的正面层进行构图以形成正面沟槽，所述衬底包括设置在所述正面层与背面层之间的掩埋层；在构图的正面层之上以及所述正面沟槽中沉积隔膜层；对所述背面层和所述掩埋层进行构图以形成背面沟槽，所述背面沟槽与所述正面沟槽对准；形成穿过所述隔膜层的多个纳米孔；在所述正面沟槽和所述背面沟槽中沉积牺牲材料；在所述牺牲材料之上沉积正面和背面绝缘层；以及将所述牺牲材料加热至所述牺牲材料的分解温度以去除所述牺牲材料并且形成正面和背面通道对，其中每一个通道对的所述正面通道通过单独的纳米孔而被连接到其相应通道对的所述背面通道。
用于纳米阵列密封流体通道

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810064870.3在审
发明人：王连红;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和背面；自所述半导体衬底的正面对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成正面沟槽；在所述正面沟槽中填充介质材料；自所述半导体衬底的背面对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成背面沟槽，其中，所述背面沟槽与所述正面沟槽一一对应连通，连通的正面沟槽和背面沟槽之间的半导体衬底用于形成光电二极管；在所述背面沟槽中填充介质材料。
衬底半导体正面沟槽背面填充介质材料光电二极管图像传感器刻蚀连通有效地电学串扰

[发明专利]制造半导体芯片的方法-CN201510764757.2有效
发明人：皆见健史;村田道昭;山崎宪二;大塚勤 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括步骤：形成位于衬底正面一侧的沟槽；以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度，其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下，在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前，停止使用所述切割件。
制造半导体芯片方法

[发明专利]沟槽式器件晶圆的制备方法及沟槽式器件晶圆-CN202211070341.7在审
发明人：左月;陆金 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种沟槽式器件晶圆的制备方法及沟槽式器件晶圆，应用于半导体制造技术领域，包括：步骤1：在晶圆的背面形成晶背沟槽，晶背沟槽与晶圆的正面沟槽的结构相同；步骤2：在晶圆的正面沟槽和晶背沟槽中淀积多晶硅，使多晶硅在晶圆的正面和反面形成相反方向的应力；步骤3：通过背面磨片工艺去除背面沟槽。通过在晶圆背面刻蚀形成沟槽；向沟槽进行多晶硅填充并结晶，该结晶硅在硅片正面和反面形成相反方向的应力；通过减薄工艺去除背面图形，过程简单，成本较低，重复性好。
沟槽器件制备方法

[发明专利]成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法-CN201310354099.0有效
发明人：李琳松 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法，包括1）在硅片的正面和背面上，分别沉积保护膜；2）在硅片背面进行第一沟槽刻蚀；3）在硅片背面沉积第一沟槽封口膜；4）在硅片正面进行第二沟槽刻蚀；5）在硅片正面沉积第二沟槽封口膜；6）去除硅片背面的第一沟槽封口膜和保护膜，以及去除硅片正面的第二沟槽封口膜和保护膜；7）在硅片的沟槽侧壁和底部以及硅片表面成长栅极氧化层，并在栅极氧化层表面沉积多晶硅，填充满沟槽，从而形成IGBT沟槽型栅极本发明能改善硅片翘曲度，形成低应力IGBT沟槽型栅极，避免工艺流程中的传送问题。
成长应力 igbt 沟槽栅极方法

[发明专利]半导体装置-CN201680004863.3有效
发明人：内藤达也 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提高沟槽的内壁的绝缘膜的可靠性。提供一种半导体基板，该半导体装置具备：半导体基板、形成在半导体基板的正面的虚设沟槽部、以及形成在半导体基板的正面的上方的、含有金属的第1正面侧电极，虚设沟槽部具有：形成在半导体基板的正面的虚设沟槽、形成在虚设沟槽的内壁的绝缘膜、在虚设沟槽的内部与绝缘膜相比形成在内侧的虚设导电部、以及具有使虚设导电部的至少一部分露出的开口且在半导体基板的正面覆盖绝缘膜的保护部，第1正面侧电极具有形成在保护部的开口内的部分，并与虚设导电部接触。
半导体装置

[实用新型]装饰板-CN201721381809.9有效
发明人：闫俊杰;梅能敏;赵静 -专利权人：天津达因建材有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： E04F13/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种装饰板，其包括基板、压条以及至少贴附所述基板的正面并包覆所述基板的侧边的装饰纸；在除正面的所述基板上开设有沟槽，所述装饰纸与所述沟槽相对的部分位于所述沟槽中，所述压条嵌设于所述沟槽中以压靠位于所述沟槽中的装饰纸以使装饰纸贴附于所述沟槽的槽壁由于位于沟槽中的装饰纸被压条压靠，装饰纸的边缘即使产生翘曲且翘曲的装饰纸因受力而被牵扯，装饰纸的翘曲范围也仅仅能扩大至基板的沟槽处并止于沟槽处，从而防止了装饰纸的翘曲范围扩大至装饰板的正面，从而避免了装饰板的正面出现
装饰纸基板翘曲压条装饰板贴附压靠范围扩大包覆槽壁侧边鼓包嵌设受力

[发明专利]在图像传感器中制造深沟槽隔离结构的方法及其器件-CN201610592321.4在审
发明人：陈信宏;杨敦年;刘人诚;亚历克斯·卡尔尼茨基;王文德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种方法，该方法包括在衬底上形成深沟槽隔离结构，该衬底具有与正面表面相对的背面表面，深沟槽隔离结构向着正面表面打开。氧化物层形成在衬底的正面表面上以及深沟槽隔离结构的侧壁和底部上。去除衬底的正面表面上的氧化物层。去除衬底的位于深沟槽隔离结构的开口处的部分并且在衬底上形成外延层。本发明实施例涉及在图像传感器中制造深沟槽隔离结构的方法及其器件。
图像传感器制造深沟隔离结构方法及其器件

[发明专利]一种微加热装置及形成方法-CN201110382857.0有效
发明人：甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种微加热装置及形成方法，所述微加热装置包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和与正面相对的背面，位于所述半导体衬底正面上的待检测器件；贯穿所述半导体衬底的导电沟槽，所述导电沟槽围绕所述待检测器件设置，且所述位于半导体衬底正面的导电沟槽表面与外电路相连，所述位于半导体衬底背面的导电沟槽表面与外电路相连。本发明实施例的微加热装置具有贯穿半导体衬底的导电沟槽，并利用所述导电沟槽用于为待检测器件加热，由于所述导电沟槽围绕所述待检测器件设置，所述待检测器件受热均匀，且通过改变所述两个电极之间的电压，控制导电沟槽产生的热量
一种加热装置形成方法

[发明专利]制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法-CN201510756077.6有效
发明人：大野健一;村田道昭;大塚勤 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法，制造半导体芯片的方法包括：沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比正面侧的沟槽深的凹部，并且凹部用作用于切割部件的定位标记，切割部件沿着正面侧的沟槽从基板的背面执行切割；在基板的背面，使基板变薄以到达凹部而不到达正面侧的沟槽；利用在基板的背面露出的凹部作为定位标记，从基板的背面定位切割部件；以及利用被定位的切割部件从基板的背面侧朝向基板的正面侧的沟槽来执行切割。
制造半导体芯片方法以及定位切割部件

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