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[发明专利]一种提高横向共聚物器件耐压的高K介质结构-CN202310369616.5在审
发明人：朱越;沈希舟;潘柯宇;王文渊;唐蔚宇;张珺;姚佳飞;陈静;郭宇锋 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高横向共聚物器件耐压的高K介质结构，包括横向共聚物器件本体和高K介质阵列；横向共聚物器件本体包括从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极；有机半导体层内置有源极和漏极，位于栅极和漏极之间的有机半导体层形成为有机半导体漂移区；有机半导体漂移区的长度范围为L＝20～50um；高K介质阵列沉积在有机半导体漂移区正上方的栅极绝缘层内部或表面；高K介质阵列包括沿有机半导体漂移区长度方向等间距排列的若干个高K介质；若干个高K介质的横向长度从栅极至源极逐渐减小本发明能够大幅提高器件耐压，提升器件可靠性。
一种提高横向共聚物器件耐压介质结构

[实用新型]一种儿童教育装置-CN201620321365.9有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G09B5/06 文献下载
摘要：该儿童教育装置，包括主基板、器件装配腔、横向指示区和纵向指示区，所述主基板一侧设有器件装配腔，所述主基板一侧设有横向指示区，主机板与器件装配腔对称的一侧设有纵向指示区，所述横向指示区和纵向指示区上分别设有多个数字标示区，所述数字标示区内均设有指示灯，所述主基板上位于横向指示区和纵向指示区处分别设有滑道槽，主基板位于横向指示区处的滑道槽上设有横向移动滑块，主基板位于纵向指示区处的滑道槽上设有纵向移动滑块，所述横向移动滑块上设有横向移动滑杆
一种儿童教育装置

[发明专利]一种横向驱动电泳显示器件及其非对称表面处理方法和应用-CN202211012336.0在审
发明人：杨柏儒;刘广友;刘杰;吴鑫灶;范启天;刘云鹤;李卓航 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：本申请属于电泳显示技术领域，尤其涉及一种横向驱动电泳显示器件及其非对称表面处理方法和驱动方法；其中，通过对图案电极内表面疏水改性和透明公共电极内表面亲水处理，使得图案电极表面不容易粘附粒子且在断电后减缓粒子扩散，提高了横向驱动电泳显示器件的透过率和维持最后灰阶的双稳态，解决现有技术中横向驱动电泳显示器件显示效果不高的技术问题。
一种横向驱动电泳显示器件及其对称表面处理方法应用

[实用新型]一种光电子元器件激光切割装置-CN202121742353.0有效
发明人：来永侠 -专利权人：亳州蓝腾光电科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电子元器件激光切割装置领域，具体而言，涉及一种光电子元器件激光切割装置通过设置的激光发射组件，激光发射组件中激光发射器与排热管，实现了通过激光发射器发射激光，有效的将光电子元器件放置台上方的元件起到激光切割的效果，而排热管则在发射激光所产生的热量通过管道排出，解决了现有技术中机械切割而且效率较低的问题，通过设置的纵向移动调节组件实现了通过纵向伺服电机来带动前方的纵向电机丝杆进行转动，通过设置的横向移动调节组件实现了通过横向伺服电机来带动横向电机丝杆进行转动，而丝杆丝套会随着横向电机丝左右转动起到横向移动的效果，从而有效的通过丝杆丝套带动上方的光电子元器件放置台起到横向移动。
一种光电子元器件激光切割装置

[发明专利]一种显示屏及移动终端-CN201810456046.2在审
发明人：李玉忠;罗政军;何宗文 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：所述显示屏应用于移动终端，包括第一基板、液晶层、第二基板和面光源，所述液晶层设于所述第一基板及所述第二基板之间，所述面光源设于所述第二基板的背对所述液晶层的一侧；所述面光源包括第三基板，所述第三基板上设有多个发光器件，所述多个发光器件在所述第三基板上呈阵列分布，呈阵列分布的所述多个发光器件包括横向发光器件列和纵向发光器件列，所述横向发光器件列的长度与所述第三基板的横向长度一致，所述纵向发光器件列的长度与所述第三基板的纵向长度一致
发光器件基板显示屏第二基板移动终端液晶层长度一致第一基板阵列分布面光源方案解决和面光源侧发光背对黑边应用

[发明专利]一种条形元器件姿态调整装置-CN201911252883.4有效
发明人：成伟华 -专利权人：深圳市伟美科自动化设备有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B65B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种条形元器件姿态调整装置，包括具有曲折向下延伸的S形滑道的横向姿态调整机构，S形滑道的左右两侧封闭设置且间隙空间大于条形元器件的外径宽度；该装置可以稳定、高效的将具有呈长条状、相对中点两侧基本对称、质量集中于中部等物理特征的元器件调整为横向姿态，并从横向姿态进一步调整为竖向姿态，以便于进一步组装或加工；条形元器件在姿态调整过程中所受外力均匀柔和，不易损坏和变形。
一种条形元器件姿态调整装置

[发明专利]具有在外侧设置的装饰条的前照灯的塑料封闭片-CN201510107381.8有效
发明人： E·雅普斯;L·蒂尔曼 -专利权人：黑拉许克联合股份有限公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： B60Q1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种装饰条(10)在前照灯的塑料封闭片(11)的外侧上的布置结构(1)，按照本发明，塑料封闭片(11)的外侧上成型有锁定器件(12)，这些锁定器件沿着横向方向(Y)指向地倾斜地从塑料封闭片(11)的表面延伸，出来，并且装饰条(10)具有锁定器件容纳部(13)，所述锁定器件嵌入到所述锁定器件容纳部中，并且装饰条(10)上设有至少一个卡扣器件(14)并且塑料封闭片(11)上设有对应卡扣器件(15)，以用于逆着横向方向(Y)锁住装饰条(10)。
具有外侧设置装饰前照灯塑料封闭

[发明专利]双极互补金属氧化半导体器件及其制备方法-CN201110009216.0有效
发明人：孙涛 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种双极互补金属氧化半导体器件及其制备方法。所述双极互补金属氧化半导体器件包括横向扩散金属氧化物半导体器件和双极晶体管器件，所述双极晶体管器件包括用于形成集电极的导电型阱，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括衬底和形成于所述衬底内的漂移区，所述漂移区的掺杂浓度与所述导电型阱同时形成本发明的双极互补金属氧化半导体器件降低了集成成本，使得形成射频的系统级芯片成为可能。
互补金属氧化半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种显示器件、显示面板及显示装置-CN202310745385.3在审
发明人：谢明哲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示器件、显示面板及显示装置，显示器件包括：相邻设置的第一发光器件和第二发光器件，其中，第一发光器件和第二发光器件共用同一个驱动电路；隔离结构，位于第一发光器件和第二发光器件之间，隔离结构用于隔离第一发光器件与第二发光器件之间的横向电流本公开提供的显示器件，能够隔离第一发光器件与第二发光器件之间的横向电流，从而使得第一发光器件和第二发光器件之间的电流导通通道消失,有效解决了两个发光器件之间的侧向漏电导致的串扰问题，提高了防窥效果。
一种显示器件面板显示装置

[发明专利]一种用于横向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法-CN201410172919.9在审
发明人：陆妩;郭旗;马武英;王信;孙静;文林;崔江维 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2014-04-26 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性，又使的器件具有MOS管的特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势本发明使用附加栅电极特殊结构的栅控横向NPN双极晶体管，能够对横向NPN双极晶体管的电离辐射损伤进行测试和表征，能够定量揭示和分离双极横向NPN晶体管在遭受到电离辐射后的缺陷态数目。
一种用于横向 npn 晶体管电离辐射损伤定量测试方法

[发明专利]一种电子元器件切割设备-CN201711401566.5在审
发明人：刘福新 -专利权人：格维尼（天津）精密电子有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： B21F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元器件切割设备，包括底座，所述底座的上表面的两侧分别设置有左立柱和右立柱，所述左立柱与右立柱之间设置有横向支杆，所述横向支杆为中空结构，所述横向支杆上固定安装有横向调节机构，所述横向调节机构上固定安装有纵向调节机构该电子元器件切割设备，结构设计合理，调节方便，可同时对电子元器件的两侧进行切脚，同时自动化程度高，可降低工人的劳动强度，提高电子元器件的生产效率。
电子元器件底座横向支杆切割设备上表面横向调节机构纵向调节机构传送带右立柱左立柱切槽电机调节方便切脚机构生产效率中空结构左右两侧输出轴切脚下端自动化

[发明专利]图像传感器器件及其形成方法-CN202010453454.X在审
发明人：董怀仁;苏庆忠;廖耕颍;陈柏仁;叶书佑;陈思颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明描述了使用牺牲隔离区域和基于氧化硅的堆叠件而没有中间氮化物蚀刻停止层在图像传感器器件中形成焊盘结构。图像传感器器件包括：半导体层，该半导体层包括与第二横向表面相对的第一横向表面；金属化层，形成在半导体层的第二横向表面上，其中金属化层包括介电层。图像传感器器件还包括焊盘区域，从第一横向表面穿过半导体层到第二横向表面。焊盘区域包括形成在金属化层的介电层上的没有介于中间的氮化物层的氧化物层以及与金属化层的导电结构物理接触的焊盘结构。本发明的实施例还涉及图像传感器器件及其形成方法。
图像传感器器件及其形成方法

[发明专利]干式试漏机-CN201010589397.4无效
发明人：刘寿林;张太鑫;魏静 -专利权人：天津市先达精密压铸有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： G01M3/32 文献下载
摘要：本发明属于器件检测设备，尤其涉及一种干式试漏机，主要包括由上、下工作台通过固定柱组成的立体支架、纵向气缸、横向气缸以及气密检漏仪，所述气密检漏仪设在上工作台上部，下部固定有纵向气缸，下工作台上设有底板，所述底板内部设通气管道，所述进气口通过气管与气密检漏仪的排气口连接，所述横向气缸位于底板一侧固定在下工作台上，所述横向气缸的横向气缸活塞上设有密封堵头。有益效果:通过纵向气缸将工件固定，横向气缸将散热器件的通孔封堵密闭的方式给大型电子器件散热器内部打压，进而观察气密检漏仪的气压情况来确定散热器是否漏气，测试结果直观、准确、高效，大大保证了电子器件散热器的质量
干式试漏机

[实用新型]具有倒T型埋层的深沟槽型功率器件-CN202221977020.0有效
发明人：陈洪宁 -专利权人：江苏丽隽功率半导体有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有倒T型埋层的深沟槽型功率器件。其有源区内的元胞采用沟槽结构；在所述功率器件的截面上，任意相邻的两个元胞沟槽之间设置一第二导电类型倒T型埋层，所述第二导电类型倒T型埋层位于第一导电类型外延层内，第二导电类型倒T型埋层包括竖向埋体以及与所述竖向埋体连接的横向埋体，其中，竖向埋体在第一导电类型外延层内呈竖向分布，竖向埋体贯穿有源区内的第二导电类型基区，竖向埋体与横向埋体的结合部位于元胞沟槽槽底的下方，横向埋体的横向宽度大于竖向埋体的横向宽度。本实用新型能有效降低器件的导通电阻，提高器件的开关频率，降低导通损耗，安全可靠。
具有型埋层深沟功率器件

[实用新型]干式试漏机-CN201020659842.5无效
发明人：刘寿林;张太鑫;魏静 -专利权人：天津市先达精密压铸有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G01M3/32 文献下载
摘要：本实用新型属于器件检测设备，尤其涉及一种干式试漏机，主要包括由上、下工作台通过固定柱组成的立体支架、纵向气缸、横向气缸以及气密检漏仪，所述气密检漏仪设在上工作台上部，下部固定有纵向气缸，下工作台上设有底板，所述底板内部设通气管道，所述进气口通过气管与气密检漏仪的排气口连接，所述横向气缸位于底板一侧固定在下工作台上，所述横向气缸的横向气缸活塞上设有密封堵头。有益效果:通过纵向气缸将工件固定，横向气缸将散热器件的通孔封堵密闭的方式给大型电子器件散热器内部打压，进而观察气密检漏仪的气压情况来确定散热器是否漏气，测试结果直观、准确、高效，大大保证了电子器件散热器的质量
干式试漏机