“马武英”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果38个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于多晶硅加热的双极器件及其电离辐射损伤修复方法-CN202310806759.8在审
发明人： 马武英;欧阳晓平;郭红霞;缑石龙;何宝平 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及基于多晶硅加热的双极器件，包括钝化层、氧化层、Si衬底、多晶硅，层片状结构，多晶硅位于钝化层、氧化层之间。也涉及基于多晶硅加热的双极器件的制备方法，包括版图设计、仿真、流片、测试过程。还涉及基于多晶硅加热的双极器件电离辐射损伤修复方法，包括确定双极器件的电离辐射损伤阈值、双极器件的修复参数、双极器件的修复失效阈值、对多晶硅通电实施修复的步骤。本发明采用多晶硅加热辐射敏感区域，对电离辐射损伤进行修复，多晶硅不受辐射影响，加热面积小，热效率高，操作简便，成本低，有效地修复电离辐射损伤。
基于多晶加热器件及其电离辐射损伤修复方法

[发明专利]一种基于钛阻挡吸收层的双极器件及其抗辐射加固方法-CN202310806609.7在审
发明人： 马武英;欧阳晓平;王志宽;何宝平;缑石龙 -专利权人：西北核技术研究所;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钛阻挡吸收层的双极器件，包括依次相接的氧化层、薄钝化层、钛层、完整钝化层，钛层用于实现对氢的阻挡和吸附，钛层厚度为50～200nm，大于薄钝化层的厚度，小于完整钝化层的厚度。涉及一种基于钛阻挡吸收层的双极器件制作方法，包括器件设计、生长钛层、封装与测试。还涉及一种基于钛阻挡吸收层的双极器件抗辐射加固方法，包括步骤抗辐射性能试验，测试双极器件的总剂量损伤阈值，确定钛层厚度。本发明双极器件包括钛层，减少了氧化层中辐射感生缺陷形成要素氢含量，从根本抑制了辐射感生界面陷阱的形成过程，提高了双极器件的抗辐射能力。
一种基于阻挡吸收器件及其辐射加固方法

[发明专利]一种辐照下面阵CCD的在线测试方法及测试系统-CN202310442820.5在审
发明人：王祖军;黄港;聂栩;赖善坤;薛院院;马武英;何宝平;缑石龙;盛江坤;姚志斌 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种辐射效应测试系统及方法，具体涉及一种辐照下面阵CCD的在线测试方法及测试系统，解决在开展面阵CCD辐射损伤效应地面模拟实验时，无法在线实时反馈面阵面阵CCD的工作情况以及辐照过程中性能参数实时变化规律的技术问题。该辐照下面阵CCD的在线测试方法，能够解决在开展CCD辐射损伤效应地面模拟实验时测试繁琐的问题，提高了实验效率，并且能获取辐照过程中的面阵CCD性能参数，本发明系统包括设置于辐照室内的辐射源、光源、驱动控制器、辐射板及设置于辐照室外且与驱动控制器连接的采集处理器；辐射板上设置有CCD驱动电路；辐射源和光源的出射光路上用于设置待辐照CCD器件，且CCD驱动电路与待辐照CCD器件连接。
一种辐照下面 ccd 在线测试方法系统

[发明专利]一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管及其修复方法-CN202310805013.5在审
发明人： 马武英;王志宽;欧阳晓平;税国华;何宝平;缑石龙 -专利权人：西北核技术研究所;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管，包括依次相接的多晶硅热栅、基区、外延层、埋层、衬底，以及电极。多晶硅热栅为带开口的圆环形，位于基区中心，发射极电极位于多晶硅热栅圆环中心。还涉及一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管制备方法，包括多晶硅热栅版图设计，按多晶硅热栅版图设计进行加工，制作基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管过程。还涉及一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管的修复方法，包括缺陷表征，求取修复电压，实施修复的过程。本发明设置多晶硅热栅电极，实现辐射环境中电离辐射感生缺陷的实时修复，对电离辐射感生缺陷的分离，提升了横向PNP晶体管的抗总剂量能力。
一种基于多晶硅热栅横向 pnp 晶体管及其修复方法

[发明专利]一种基于氢控制的半导体器件及制备方法-CN202310806711.7在审
发明人： 马武英;欧阳晓平;郭红霞;缑石龙;何宝平;潘琛 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氢控制的半导体器件，包括依次相接的钝化层、阻挡吸收层、氧化层、硅层。以钛层为阻挡吸收层，阻挡氢进入氧化层，同时吸收氧化层中过量的氢，实现氧化层中氢含量控制。还涉及一种基于氢控制的半导体器件制备方法，包括流片、阻挡吸收层制备、封装，进一步包括阻挡吸收层优化，通过对比辐照试验，选取阻挡吸收层的厚度和材料。本发明设置氢阻挡吸收层，阻止辐射感生缺陷界面陷阱的形成，提升了半导体器件抗总剂量性能。制备过程不改变器件自身设计结构，对半导体器件常规性能影响小，易于实施，流程简便。
一种基于控制半导体器件制备方法

[发明专利]一种伽马辐照诱发CIS暗信号的仿真计算方法-CN202310444353.X在审
发明人：王祖军;赖善坤;聂栩;黄港;薛院院;缑石龙;盛江坤;马武英;何宝平;姚志斌 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件总剂量效应仿真模拟方法，具体涉及一种伽马辐照诱发CIS暗信号的仿真计算方法，解决现有CMOS图像传感器总剂量辐射损伤的仿真模拟研究相对较少，难以开展不同辐照条件下空间粒子辐照损伤模拟研究，以对器件辐照损伤相关参数的退化机理进行深入分析的技术问题。该伽马辐照诱发CIS暗信号的仿真计算方法，包括以下步骤：1)建立CMOS图像传感器的像素单元结构模型；2)构建像素单元物理模型；3)建立CMOS图像传感器总剂量辐照模型；4)获得像素单元中FD区域电势随时间变化的曲线；5)采集电极FD复位结束时刻T3和PPD区域电子转移结束时刻T5的FD电势输出值，再计算二者差值，得到暗信号大小。
一种辐照诱发 cis 信号仿真计算方法

[发明专利]一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试方法及测试系统-CN202310446677.7在审
发明人：王祖军;聂栩;黄港;赖善坤;薛院院;何宝平;马武英;盛江坤;缑石龙;姚志斌 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种辐射效应测试方法及测试系统，具体涉及一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试方法及测试系统，解决现有的大部分测试方法及测试系统均采用离线测量，无法反映真实运行状态下的待测CMOS图像传感器的饱和暗信号的技术问题。该粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试系统，包括辐射源、控制器、处理器、支架、依次设置于支架上的辐照板、CMOS图像传感器插座；辐照板与CMOS图像传感器插座电连接；CMOS图像传感器插座用于安装待测CMOS图像传感器；待测CMOS图像传感器位于辐射源的出射光路上；辐照板与控制器、处理器依次电连接；辐射源用于诱发待测CMOS图像传感器产生辐照损伤效应，导致待测CMOS图像传感器暗信号发生变化。
一种粒子辐照 cis 饱和信号测试方法系统

[实用新型]一种用于双极器件氢气氛围中辐照试验的系统-CN202222574135.1有效
发明人：缑石龙;马武英;陈伟;姚志斌;何宝平;王祖军;盛江坤;薛院院 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于双极器件氢气氛围中辐照试验的系统；解决现有的氢气浸泡腔体大多采用玻璃管，而腔体需要满足高真空要求，受限于材料特性，此类辐照腔体体积很小；以及现有氢气浸泡装置结构简单，不具备腔体内器件与外部源表实现电连接的功能问题；包括金属辐照腔、真空泵、加气组件、固定支架以及气密性航空接头；金属辐照腔包括腔室本体；真空泵与腔室本体连通；加气组件与腔室本体连通；固定支架设置在腔室本体内；腔室本体上设置有第一窗口、第二窗口以及第一通孔，第一窗口密封安装有玻璃盖板，第二窗口上密封安装有密封盖，气密性航空接头安装在第一通孔内，且气密性航空接头一端用于与待测样品连接，另一端用于与外部源表连接。
一种用于器件氢气氛围辐照试验系统

[发明专利]一种用于系统级总剂量效应试验的方法-CN202210468666.4在审
发明人： 马武英;陈伟;何宝平;缑石龙;丁李利;王祖军;姚志斌;盛江坤 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种用于系统级总剂量效应试验的方法，用于解决现有系统级总剂量效应试验过程中系统抗辐射性能难以准确评估的问题。本发明的具体步骤如下：步骤1，将被试系统放置于辐照间内的旋转单元上；步骤2，利用剂量率标定设备对被试系统前端、后端及旋转180°的后端剂量率进行标定和记录；步骤3，根据步骤2剂量率标定结果进行辐照；步骤4，总剂量分段，并得到总剂量为D'total；步骤5，计算每个剂量段的第一次辐照时间点t'1、第二次辐照时间t'2和剂量段总辐照时间t'；步骤6，结合步骤4和步骤5的计算结果，辐照至n个分段完成辐照或被试系统辐照累积总剂量至目标总剂量值。本发明的试验步骤简单且容易操作。
一种用于系统剂量效应试验方法

[发明专利]一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法-CN202310201387.6在审
发明人：郭红霞;胡嘉文;马武英;钟向丽;欧阳晓平;李波;白如雪;刘益维 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明提出的一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，包括：在第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数；在第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数，第二预设温度低于第一预设温度且低于常温；在预设辐照条件和第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第三1/f噪声参数；在预设辐照条件和第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第四1/f噪声参数；根据第一1/f噪声参数、第二1/f噪声参数、第三1/f噪声参数及第四1/f噪声参数，确定低温条件下待测SiGe HBT中总剂量效应感生缺陷分布变化。
一种 sige hbt 剂量效应感生缺陷分布检测方法

[发明专利]基于X射线的电子系统辐射敏感位置快速甄别方法及系统-CN202110292224.4有效
发明人： 马武英;欧阳晓平;郭红霞;姚志斌;何宝平;王祖军;盛江坤;薛院院;缑石龙 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于X射线的电子系统辐射敏感位置快速甄别方法及系统，解决电子系统级总剂量效应试验过程中辐射敏感位置难以快速、准确定位的问题。该方法和系统在试验过程中采用局部屏蔽技术和逐个器件扫描辐照方式，可快速、准确获得电子系统的辐射敏感位置，不需要改变系统设计，并回避了长线加偏置、离线测试等问题，实现方法简单易行，实验周期短、成本低且操作方法简单。
基于射线电子系统辐射敏感位置快速甄别方法

[发明专利]一种适用于辐射环境的运算放大器在线测试电路及方法-CN201910402997.6有效
发明人：陈伟;刘岩;曾超;唐昭焕;许献国;王晨辉;马武英 -专利权人：西北核技术研究院
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于辐射效应研究中长距离对运算放大器进行测量的测试方法，提供一种适用于辐射环境的运算放大器在线测试电路及方法，解决在辐射环境中利用辅助运算放大器测试方法无法获得准确运算放大器参数的问题，利用高精度电阻和继电器开关匹配的方式，替代了传统辅助运算放大器环路测试方法，实现了运算放大器输入失调电压、输入偏置电流、输入失调电流、输出电压摆幅、电源电流和静态功耗等参数的长距离在线测试，可以通过合理设置匹配电阻参数，将测量误差大幅降低。满足了在辐射环境中对运算放大器进行在线测试。
一种适用于辐射环境运算放大器在线测试电路方法

[发明专利]一种辐射效应研究试验装置及方法-CN202211201901.8在审
发明人： 马武英;欧阳晓平;郭红霞;缑石龙;姚志斌;何宝平 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种辐射效应研究试验装置及方法，解决了现有高温辐照试验过程中由于加热卡盘过大而造成的热浪费的现象以及由于加热卡盘面积过大造成散热时间过长，导致部分缺陷在加热卡盘散热过程中发生退火，最终严重的影响了效应规律的准确测量，阻碍了总剂量效应规律分析的问题。本发明包括底座、加热片、热电偶、固定夹具、温度监测装置、电源以及多根支柱；多根支柱的一端连接固定底座，另一端固定连接加热片；固定夹具位于加热片上；热电偶的输入端与加热片连接，热电偶的输出端与温度检测装置连接；电源与加热片连接。
一种辐射效应研究试验装置方法

[发明专利]基于变剂量率辐照的双极器件抗总剂量性能保守估计方法-CN202211046618.2在审
发明人：姚志斌;陈伟;缑石龙;何宝平;马武英;盛江坤 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明为解决有变剂量率辐照方法需要大量试验样品、试验成本高的问题，而提供了一种基于变剂量率辐照的双极器件抗总剂量性能保守估计方法。本发明具体为：首先，利用高剂量率加速双极器件的辐射损伤；其次，利用低剂量率辐照获取双极器件在低剂量率下的参数退化率；最后，假设试验样品在低剂量率下，其敏感参数的退化率没有明显变化，通过对低剂量率下的损伤曲线的线性外推，从而得到对试验样品总剂量效应失效阈值的估计，为具有低剂量率增强效应的双极器件抗总剂量性能评价提供了一种简单有效、操作性强的地面模拟试验方法。
基于剂量率辐照器件剂量性能保守估计方法

[发明专利]晶体管阵列在辐射环境下可靠性退化的测试系统及方法-CN202211057162.X在审
发明人：姚志斌;陈伟;马武英;缑石龙;盛江坤;何宝平 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明为解决现有晶体管可靠性测试方法主要适用于单只器件的测试，测试周期长，同时在辐射环境下可靠性退化试验中，晶体管的退火时间存在差异，使试验结果不准确问题，提供了一种晶体管阵列在辐射环境下可靠性退化的测试系统及方法。该测试系统包括控制计算机、通过控制总线与控制计算机连接的半导体参数测试仪、电应力施加设备和矩阵开关，以及用于安装被测晶体管阵列的晶体管阵列测试夹具；半导体参数测试仪用于测量被测晶体管阵列的电参数；电应力施加设备用于为被测晶体管阵列提供所需的电应力源；所述矩阵开关的每一行依次与晶体管阵列测试夹具的管脚相连，矩阵开关的每一列则依次与半导体参数测试仪的测试通道和电应力施加设备相连。
晶体管阵列辐射环境可靠性退化测试系统方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 38 条