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[发明专利]一种具有多电极结构的横向高压器件-CN201510099115.5有效
发明人：乔明;周锌;李阳;代刚;陈钢;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有多电极结构的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属；其特征在于，在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的上方的介质层中还设置有n个电极，n≥2，所述n个电极中任意两电极在横向方向上的投影之间有间隔本发明提供的横向高压器件可在提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻，有效缓解了横向高压器件导通电阻与耐压之间的矛盾。
一种具有电极结构横向高压器件

[发明专利]半导体器件与其的制造方法-CN201610951558.7有效
发明人：陈英儒;苏安治;吴集锡;余振华;叶德强;陈宪伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种半导体器件结构的制造方法包括在第一器件与第二器件之间形成结合体或接点。第一器件包括集成无源器件及设置在其上的第一接触垫。第二器件包括第二接触垫。第一接触垫具有带有第一横向范围的第一表面。第二接触垫具有带有第二横向范围的第二表面。第二横向范围的宽度小于第一横向范围的宽度。接点结构包括第一接触垫、第二接触垫以及夹置于第一接触垫与第二接触垫之间的焊料层。
半导体器件与其制造方法

[实用新型]一种机房漏水监测系统-CN201621227446.9有效
发明人：金丛武;张天松;缪杰;曹中汉;周云 -专利权人：宁波理想信息工程有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G08B21/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种机房漏水监测系统，包括机房，机房内设有计算机机组，计算机机组之间设有多排通风孔，机房的底部设有电器件安装室，电器件安装室内设有设有多个纵向安装和横向安装的漏水绳，多个纵向安装和横向安装的漏水绳交错设置形成方形空格，在方形空格内设有安装电子器件，电器件安装室的四周设有横向导轨和纵向导轨，漏水绳的端部连接信号接收器，信号接收器的底部设有底座，底座设置在横向导轨和纵向导轨上，漏水绳组成的感应网铺设在电器件安装室的底部，电器件安装室底部任何部位有积水的话，漏水绳即可感应到水的信号并反馈给信号接收器，维修人员能及时收到漏水信息进行及时修护处理。
一种机房漏水监测系统

[实用新型]电磁阀组装机的顶压定位机构-CN201721740683.X有效
发明人：李东旭 -专利权人：苏州美科威尔自动化设备有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了电磁阀组装机的顶压定位机构，其包括放置元器件的底座，所述底座上方设置有用于下压元器件的下压机构，所述底座下方设置有用于顶升元器件的固定轴，所述固定轴上端上端设置有用于固定元器件的卡口，所述固定轴下端固定有用于旋转固定轴的电机所述下压机构包括下压轨道、沿下压轨道滑动的滑块以及固定在滑块上的下压柱，所述下压柱用于下压底座内元器件的上端面，便于压紧元器件。还包括横向杆、纵向杆和调节块，横向杆穿过横向通孔并通过螺柱连接，纵向杆穿过纵向通孔并通过螺柱连接。所述横向杆与下压机构连接，便于调节下压机构。
元器件下压机构下压底座固定轴横向杆电磁阀组定位机构螺柱连接上端下压柱纵向杆顶压滑块装机电机抓取穿过本实用新型固定元器件旋转固定轴横向通孔控制电机升降气缸纵向通孔滑动上端面顶升轨道下端压紧升降

[实用新型]一种贴片机快速定位装置-CN201920978746.8有效
发明人：肖用 -专利权人：长沙奥斯凯汽车零部件有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H05K13/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种贴片机快速定位装置，包括基座，所述基座的上表面靠左部位安装有横向板，所述横向板的上表面左右两侧均固定连接有支撑腿，所述支撑腿的左右两侧固定连接有外凸块，所述横向板的左壁上安装有紧固件，所述紧固件与所述外凸块处于同一个横向水平面。本实用新型中，观察元器件放置板上表面靠后部位所安装的照射灯照射的反光片的上的光源，预先将元器件放置板上放置的元器件，在反光片上进行描画宽度和长度，当元器件放置板位于到预先描画的宽度和长度位置后，控制无线设备，关闭信号接收器，并对元器件放置板上的元器件进行回流焊。
一种贴片机快速定位装置

[发明专利]用于高电流横向功率半导体器件的器件拓扑-CN202111237743.7在审
发明人：侯赛因·穆萨维;爱德华·麦克罗比 -专利权人： GAN系统公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种横向功率半导体器件结构包括在有源拓扑上的焊盘，其中优化片上互连金属化层和接触焊盘位置以降低互连电阻。对于横向GaN HEMT，其中漏极、源极和栅极指状电极在有源区的第一和第二边缘延伸，该源极和漏极总线在有源区的第一和第二边缘的位置中间穿过有源区，与源极指状物和漏极指状物的第一和第二部分互连，该指状物向有源区的第一和第二边缘横向延伸
用于电流横向功率半导体器件器件拓扑

[发明专利]一种具有槽型氧化层和横向超结的LDMOS器件-CN201711276852.3在审
发明人：陈伟中;贺利军;黄义 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有槽型氧化层和横向超结的LDMOS器件，属于半导体功率器件领域。本发明器件包含从左至右设置的源极、栅极、N‑漂移区、槽型SiO2埋层、漏极。漏极包括上下设置的N+漏极和缓冲层，漂移区包括上下设置的槽型SiO2埋层和横向超结P柱和N柱。本发明LDMOS器件在反向击穿时，槽型SiO2埋层和横向超结PN柱调节漂移区中电荷的分布，提高了器件漂移区的表面电场和体内电场，使得器件击穿电压BV大大提高。另一方面在正向导通时，横向超结的N柱提供了一个电子通道，使得电子电流的路径大大减小，从而降低了器件的导通电阻。
一种具有氧化横向 ldmos 器件

[发明专利]一种横向高压器件及其制造方法-CN201310388681.9无效
发明人：乔明;李燕妃;周锌;许琬;吴文杰;陈涛;胡利志;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向高压器件及其制造方法。本发明的一种横向高压器件，其特征在于，通过推阱和离子注入工艺在第二种导电类型半导体漂移区中形成第一种导电类型半导体降场层，通过光刻和离子注入工艺，在第二种导电类型半导体漂移区的表面形成的第二种导电类型半导体重掺杂层本发明的有益效果为，在保持高的击穿耐压的情况下，可以大大的降低器件比导通电阻，同时减小横向高压器件源端的电场峰值，避免强场效应，提高器件的击穿电压，具有更小的导通电阻，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，并很好地优化器件的表面电场，同时，本发明提供的制造方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于横向高压器件。
一种横向高压器件及其制造方法

[发明专利]一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构及双漏极结构的SOI高压器件-CN201410216630.2在审
发明人：张炯;曲凯;徐帆;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的可用于集成电路的具有阶梯形屏蔽槽耐压结构及双漏极结构的SOI高压金属氧化物半导体场效应管器件，本发明公开了一种新型SOI高压器件的结构，器件在使用场板技术、表面P降场层的双RESURF技术来提高横向击穿电压的同时；其特征在于：此器件具有双漏电极，增加了耗尽区与漏区的面积，减弱了横向电常，提高了横向击穿电压；对于器件的纵向耐压，器件通过在Si和埋层Si0₂界面上形成了阶梯形的屏蔽槽的结构来解决
一种具有阶梯屏蔽耐压结构双漏极 soi 高压器件

[发明专利]互补的横向氮化物晶体管-CN200580012241.7无效
发明人： R·比奇;P·布里杰 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 2005-02-14 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括横向相邻的导电半导体区域的横向延伸叠层，该叠层形成于衬底的支撑表面，以及一种用来制造该器件的方法。
互补横向氮化物晶体管

[发明专利]一种具有P型横向变掺杂区的高压RESURF LDMOS器件-CN201910760854.2在审
发明人：秦玉香;张冰莹;陈亮 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有P型横向变掺杂区的高压RESURF LDMOS器件，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱，在深N阱中设置深P阱，N阱和P型横向变掺杂区，在P型横向变掺杂区中，由靠近源端到靠近漏端，掺杂浓度逐渐减小，在深P阱中设置P阱，源端N+区和源端P+区设置在P阱中且位于器件的表面；深N阱的上端面设置场氧化层，场氧化层的一端与漏端N+区相连，场氧化层的另一端设置栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅设置在栅氧化层之上，两者共同延伸至器件表面的源端N+区；漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面。该器件可以在维持器件导通电阻不变的情况下提高器件表面横向电场分布的均匀性，使之具有更高的横向击穿电压与更低的导通电阻。
一种具有横向掺杂高压 resurf ldmos 器件

[发明专利]半导体器件及制造存储器器件方法-CN202310613396.6在审
发明人：林孟汉;黄家恩;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种半导体器件及制造存储器器件的方法。半导体器件包括字线(WL)结构。该半导体器件包括位于WL结构上方的铁电层。该半导体器件包括位于铁电层上方的沟道层。该半导体器件包括位于沟道层上方的源极线(SL)结构。该半导体器件包括位于沟道层上方的位线(BL)结构。BL结构包括朝向SL结构横向延伸的部分。该半导体器件还包括介电层，介电层横向地插入在SL结构和BL结构之间。
半导体器件制造存储器器件方法

[发明专利]半导体器件和制备半导体器件的方法-CN202310294372.9在审
发明人：何红海;R·哈斯;H·奈克;T·亨森;A·米尔钱达尼 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了半导体器件和制备半导体器件的方法。在实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：用于对负载电流进行开关的竖向功率FET，功率FET包括第一导电类型的沟道区；以及提供用于驱动功率FET的栅极驱动器电路的输出级的第一横向FET和第二横向FET，其中第一横向FET包括第一导电类型的沟道区，并且第二横向FET包括与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区。功率FET以及第一横向FET和第二横向FET被单片地集成到包括第一表面的第一导电类型的半导体衬底中。第一横向FET的漏极和第二横向FET的源极被电耦合到功率FET的栅极。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种减小热载流子效应的横向高压器件-CN201410829923.8在审
发明人：乔明;周锌;祁娇娇;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小热载流子效应的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。本发明在传统横向高压器件的浅槽隔离区内设置了一个高介电常数介质块，使得第二导电类型阱区靠近高介电常数介质块附近的电场强度减小，载流子温度和碰撞电离率减小，抑制了热载流子注入到氧化层，有效降低了器件的热载流子效应，延长了器件的寿命。
一种减小载流子效应横向高压器件

[发明专利]一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构-CN201910837060.1有效
发明人：章文通;杨昆;何俊卿;王睿;张森;乔明;王卓;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过在横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型轻掺杂漂移区内引入槽型介质条环，使得N型轻掺杂漂移区内的环型介质承担了主要耐压，这样就避免了由于漏端加高压所带来的源端PN结冶金界结面产生高电场峰值，进而造成器件耐压降低由于介质槽的临界击穿电场远高于硅材料，所以本发明可以减小器件曲率终端的宽度，使电场线更加集中而不会提前击穿，这样就节约器件版图面积，并且与CMOS工艺相兼容，利用本发明可制作高压、高速、低导通损耗的横向高压功率器件
一种横向高压功率半导体器件终端结构