专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]圆检测设备定位方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202211637558.1在审
  • 刘梦茹;熊星;李永杰 - 苏州华兴源创科技股份有限公司
  • 2022-12-17 - 2023-03-28 - G06T7/00
  • 本申请涉及一种圆检测设备定位方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括:识别图像坐标系下的待测圆的位置;获取图像坐标系下的标准圆的标准位置;根据图像坐标系下的所述标准圆的标准位置与所述待测圆的位置,获取所述待测圆的第一位置偏差;根据所述第一位置偏差以及光栅尺坐标系与图像坐标系间的转换关系,对所述待测圆的拍摄点位坐标进行补偿。本申请通过获取图像坐标系下的待测圆与标准圆间的第一位置偏差,以及光栅尺坐标系与图像坐标系间的转换关系,完成对圆检测设备的拍摄点位的补偿,不需要对圆的位置进行调整,减少了圆检测定位的时间,提高了圆检测设备的效率
  • 检测设备定位方法装置计算机存储介质
  • [发明专利]对准标记的制作方法及圆键合方法-CN202210677258.X有效
  • 张祥平;李海峰;古哲安;林士程 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-06-16 - 2022-11-04 - G03F1/42
  • 本发明提供一种对准标记的制作方法及圆键合方法,包括提供标准掩模版,在所述标准掩模版上形成有对准标记图案;计算待标记的所述圆的曝光区域与所述标准掩模版的曝光区域的差值,并根据所述差值调整曝光机台的曝光参数;根据所述曝光参数将所述标准掩模版上的对准标记图案分别转移至具有不同曝光区域的所述圆。本发明通过一个标准掩模版即可在不同尺寸的圆上制作对准标记,节省掩模版成本。进一步的,在圆键合过程中,可以使用同一掩模版对不同的承载圆制作对准标记以匹配器件圆,满足不同产品的键合需求,针对每个需要承载圆键合的产品都能节省一块掩模版,具有实际效益。
  • 对准标记制作方法晶圆键合方法
  • [发明专利]一种砂轮轴倾斜角度测量方法-CN201210436120.7有效
  • 霍凤伟;康仁科;郭东明;冯光 - 大连理工大学
  • 2012-11-05 - 2013-02-27 - G01C9/00
  • 一种砂轮轴倾斜角度测量方法,属于超精密磨削技术领域,采用一个激光位移传感器、一个光学、一个工件轴、一个砂轮轴。其特征在于,激光位移传感器安装在砂轮轴的前端,其射出光束与砂轮轴的回转轴线平行,光学夹持在工件轴前端中心处且光学与工件轴的回转轴线垂直,转动砂轮轴时激光位移传感器的光斑能够通过光学的中心。激光光斑中心到砂轮轴的回转轴线的距离和光学的半径需要给定;通过测量激光位移传感器距光学中心点和外周边上两点的距离来计算砂轮轴的回转轴线相对于工件轴的回转轴线的倾斜角度。
  • 一种砂轮倾斜角度测量方法
  • [发明专利]改善键合面重合度残值的方法-CN202310189838.9在审
  • 余兴;王清蕴 - 芯盟科技有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-05-23 - H01L21/60
  • 所述改善键合面重合度残值的方法包括如下步骤:提供第一圆以及第二圆;对第一圆以及第二圆进行第一次光刻,使第一圆以及第二圆均形成标准对准标记;对第二圆进行第二次光刻,根据预获取的对准标记补偿值对第二圆的标准对准标记进行补偿,使第二圆形成补偿对准标记;以第一圆的标准对准标记以及第二圆的补偿对准标记为参考,键合第一圆以及第二圆,形成圆键合结构。上述技术方案,通过第一次光刻在两圆上产生相同的标准对准标记,减小两片晶圆对准标记的差异;引入第二次光刻在第二圆上进行标记补偿,以补偿键合时上下卡盘带来的重合度残值。
  • 改善键合面重合度方法
  • [发明专利]预防圆破裂的监控方法-CN201310084533.8有效
  • 朱陆君;陈宏璘;龙吟;倪棋梁;郭贤权 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-03-15 - 2016-11-30 - H01L21/67
  • 本发明提供一种预防圆破裂的监控方法,包括:获得标准缺陷信号特征;得待检测圆的边缘缺陷信号特征;将所述待检测圆的边缘信号特征与所述标准缺陷信号特征进行比较,若所述待检测圆的边缘信号特征与所述标准缺陷信号特征匹配,则所述判断所述待检测圆为具有缺口缺陷的圆,存在破裂风险。本发明解决的问题是提供一种能够预防圆破裂的监控方法,对圆进行监控,提前发现并且处理存在破裂风险的圆,减少圆破裂引起颗粒缺陷以及产品良率降低等问题。
  • 预防破裂监控方法
  • [发明专利]一种化学气相沉积装置的温度校准和控制方法-CN202111262182.6在审
  • 闫韬;陈恩毅;丛海 - 中微半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2021-10-28 - 2023-05-02 - G01K15/00
  • 本发明公开了一种化学气相沉积装置的温度校准和控制方法,该装置包括:圆承载台,测量圆承载台温度的第一温度传感器,用于加热该装置的加热器;校准方法包含:将一设置有标准接触式温度传感器的仿圆放在圆承载台上;启动加热器使该装置温度升高;将标准接触式温度传感器读数随时间的变化记录为标准温度变化值;将第一温度传感器读数随时间的变化记录为圆承载台温度变化值;将圆承载台温度变化值按时间对应校正为标准温度变化值其优点是:通过标准接触式温度传感器、仿圆和第一温度传感器,获取圆在工艺过程中的温度变化数据,并对第一温度传感器进行校准,提高了第一温度传感器温度测量的准确度,保证了圆生产的良品率。
  • 一种化学沉积装置温度校准控制方法
  • [实用新型]一种量化LED固底胶流的测试装置-CN202123449632.0有效
  • 陈江聪;罗庆荣;曹锋 - 吉安市木林森新材料科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-06-28 - G01B11/08
  • 本申请提供一种量化LED固底胶流的测试装置,涉及胶水测试设备技术领域。所述量化LED固底胶流的测试装置,包括测试架,所述测试架上转动设有用于放置待测固底胶的测试盘,以及用于检测所述测试盘内待测固底的胶滴流扩散情况的检测机构,所述测试盘上表面沿其圆周方向依次排列设有多个用于放置待测固底胶的测试凹槽与现有技术相比,本申请结构简单,通过检测机构直接对测试盘内待测固底胶的胶滴流扩散情况进行观察收集,实现自动检测,无需肉眼观察,提高准确度,方便快捷,测试盘上设置有多个测试凹槽,可一次测试多种固底胶或一次测量同种固底胶的多组数据
  • 一种量化led固晶底胶流平测试装置
  • [实用新型]一种圆片打标机的定位机构-CN202022655062.X有效
  • 丁波;李轶;陈瀚;赵耀;陈登奎;杭海燕 - 上海微世半导体有限公司
  • 2020-11-17 - 2021-07-16 - B41J3/407
  • 本实用新型提供了一种圆片打标机的定位机构,包括能够进行升降的旋转吸头、设于旋转吸头旁的用于往旋转吸头上取放圆片的上下料机构,还包括对位机构,对位机构包括两个能够相向移动的对中卡爪、设于一侧对中卡爪上的边挡边、设于另一侧对中卡爪上的定位柱以及设于旋转吸头一侧的能够感应圆片边经过的传感器,对中卡爪对称布置于所述旋转吸头中轴线的两侧,边挡边和定位柱能够配合抵住圆片的边和相对侧的弧形边缘。通过对中卡爪对圆片进行对中,使圆片的圆心对准旋转吸头的中心,进而有效提高定位精度,通过传感器、边挡边和定位柱的配合对圆片进行角度定位,相比图像匹配的方式定位效率更高。
  • 一种晶圆片打标机定位机构
  • [发明专利]激光量测机台扫描精度验证方法-CN200510034147.3无效
  • 阙凌华;袁忠奎;徐韦;欣小波;林桂央 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2005-04-12 - 2006-10-18 - G01B11/00
  • 本发明提供一种激光量测机台扫描精度验证方法,该方法包括下列步骤:采用透明作为透明件的标准件,其平面度作为准确度的名义真值;以各种激光扫描方式对该标准件进行多次扫描,计算每种扫描方式所得平面度的平均值、标准差、平均值与名义真值的偏差;根据标准差及与名义真值的偏差,确认透明件的最适合扫描方式;在最适合扫描方式下设定各参数的值,对该标准件进行多次扫描及计算所得平面度的平均值、标准差及平均值与名义真值的偏差,以确认透明件的最适合扫描参数;在经过确认的扫描方式和扫描参数下,多次扫描该标准件,计算每种扫描方式下所得多个平面度值的平均值、标准差、平均值与名义真值的偏差,以判断重复性及准确性。
  • 激光机台扫描精度验证方法
  • [发明专利]一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法-CN201610874047.X有效
  • 孙丞;杨国文 - 西安立芯光电科技有限公司
  • 2016-09-30 - 2017-11-21 - G03F9/00
  • 一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法,首先,从某一批衬底对应的外延片中任意挑选一片,进行光刻、腐蚀、研磨、解理;其中,在光刻工艺完成后测量光刻图形与边之间的偏转角度,在解理工艺完成后测量解理边与光刻图形之间的偏转角度,计算得出边与解理边之间的偏转角度;然后,根据计算出的边与解理边之间的偏转角度,在作业该衬底批次后续圆的第一步光刻时,人为地对边与解理边之间的偏转进行补偿。本发明提出一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法,消除了边和解理边的偏转不可控的因素,有效提高砷化镓激光芯片的成品率,且实现成本较低。
  • 一种用于激光芯片制造中平补偿对准光刻方法

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