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[发明专利]多人协同的网络安全应急响应和演练平台及其操作方法-CN202310947898.2在审
发明人：刘斌;肖辉;张智慧;胡玉龙;丛海 -专利权人：内蒙古自治区广播电视监测与发展中心
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明一种多人协同的网络安全应急响应和演练平台及其操作方法，包括服务器端、客户端和存储端，用户可以通过客户端登录服务器端进行操作，使用演练场景管理模块搭建虚拟实验场景，并通过共享文件系统和实时通信工具进行沟通与协作，用户可以实时处置网络攻击事件并通过远程桌面软件实时反映操作，监控和日志模块实时记录操作和事件，统计和分析模块生成报表和可视化展示，演练结果评估模块对演练结果进行评估和分析。该平台提供多种应急演练场景，提升应急响应人员的安全威胁应对能力，通过虚拟化平台、共享文件系统和版本控制系统，确保协同操作的可追溯性和版本控制。
协同网络安全应急响应演练平台及其操作方法

[发明专利]半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备-CN202210410373.0在审
发明人：陶珩;庞云玲;丛海;姜勇;尹志尧 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备，解决了半导体处理领域工艺气体均匀性、红外辐射透过率和承压能力的技术问题，主要通过一承压壳体覆盖处理腔的上盖，并形成一密闭空间，使用一调压装置对密闭空间的气压进行调节，进而调整半导体处理腔的上盖上下表面承受的气压，来优化上盖的结构设计，以达到在半导体工艺过程中，为了实现对基片表面更高均匀性、更高质量的处理，可以对上盖进行更大范围的改进，来获得更优化的处理空间。
半导体处理设备外延

[发明专利]一种基片处理装置及腔室内衬-CN202210410374.5在审
发明人：庞云玲;姜勇;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种基片处理装置及腔室内衬，用于对基片进行工艺处理。所述基片处理装置包括腔室，所述腔室包括相互套叠设置的腔室内衬和位于腔室内衬外部的腔室外壳，所述腔室内衬整体呈长方体结构，包括设有一上内衬开口的内衬上壁和腔室底壁，以及位于所述内衬上壁和内衬底壁之间的两平行内衬侧壁，工艺过程中，所述腔室内衬在基片上方形成一方体状气体分布空间，所述方体状气体分布空间的横向宽度等于所述两平行内衬侧壁之间的距离且大于所述基片的直径。使得靠近内衬侧壁的工艺气体沿着内衬侧壁向下游传输，无需进行横向扩散以实现工艺气体的层流部分，进而提高基片不同径向区域的处理均匀性。
一种处理装置内衬

[发明专利]一种基座组件以及预清洁腔室-CN202210251480.3在审
发明人：张海龙;姜勇;丛海;焦文鸿;傅时梁;闫韬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种基座组件以及预清洁腔室。所述基座组件位于所述预清洁腔室内，包括：本体，所述本体的顶部边缘具有一环形表面；环绕所述本体设置的边缘环，其包括一热防护环片和抽气通道；所述热防护环片位于所述环形表面上方，腔室壁的热量可传导至所述热防护环片；所述抽气通道位于所述边缘环内部且连通所述基座组件上方的反应区域和所述腔室的内壁上的抽气口，所述反应区域的气体经所述抽气通道被抽出所述腔室外。本发明能够防止在基座与基片放置平面相平的上表面以及不与基片接触的侧面和底部产生沉积物，长久保持基片及腔室内清洁，减少维护频率，避免由于机械加工误差、安装误差、零件加热后热变形等不可避免因素影响泵抽气流均匀性的情况。
一种基座组件以及清洁

[发明专利]一种常规火箭推进剂废气处理装置及方法-CN202011329507.3有效
发明人：张元;赵锦兰;孙加辉;赵曙;周勃;冯英龙;徐敏;曹政;王在刚;要磊磊;臧惜;王枫;马江;王韬;丛海;刘学均;陈坤;周浩浩 -专利权人：陕西航天机电环境工程设计院有限责任公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种常规火箭推进剂废气处理装置及方法，以解决现有的常规火箭推进剂废气处理设备处理能力、处理效率均不能满足火箭推进剂类废气处理需求，且自动化与先进程度不高的问题。该装置包括缓存罐和真空均质‑分离单元，真空均质‑分离单元包括水箱、引射泵和至少一台引射器。缓存罐上设置有进气口和出气口，缓存罐的进气口连接待处理废气；水箱顶部设置有气液入口、出气口、加药口，其底部设置有出液口、排空口；引射泵的进液口与水箱的出液口连接，引射泵的出液口与引射器的进液口连接；引射器的进气口与缓存罐的出气口连接，引射器的气液出口与水箱的气液入口连接。废气处理方法采用上述装置进行。
一种常规火箭推进废气处理装置方法

[发明专利]一种化学气相沉积装置及其方法-CN202111666778.2在审
发明人：尹志尧;张海龙;庞云玲;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积装置及其方法，该装置包含：反应室，其具有一进气开口和一排气开口，且所述反应室内设置有一托盘，用于承载基片；外壳体，其设置于所述反应室外侧，所述外壳体的内壁和所述反应室的外壁之间构成一容纳空间；多个辐射热源，其设置于所述容纳空间内，用于透过所述反应室的外壁加热所述基片；气压调整装置，其用于独立调控所述容纳空间和反应室内的气压。其优点是：该装置的容纳空间的气压小于大气气压，有助于降低反应室腔壁的承压压力，同时其不会影响辐射热源的热传递效率，有助于反应室内反应区域受热均匀性，保证了基片薄膜沉积的均匀性，提高基片工艺生产的良品率。
一种化学沉积装置及其方法

[发明专利]一种化学气相沉积设备的腔室-CN202111666799.4在审
发明人：张海龙;姜勇;丛海;奥斯汀·徐 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积装置的腔室，该腔室包含：托盘设置于腔室内，用于承载基片，上腔室盖，设置于托盘的上方，下腔室盖，设置于托盘的下方，和一个中间基环作为上腔室盖和下腔室盖之间的连接部件。中间基环包含沿纵向方向相对设置的第一法兰、第二法兰和环形部件，上腔室盖远离所述托盘沿横向方向和纵向方向拱起，且上腔室盖的沿纵向方向的长度大于沿横向方向的长度。其优点是：安装拆卸方便，降低了安装维护的成本，降低了气流流入拱形的反应区域时大量混乱的紊流的产生，使气流分布更易调控，且进气口和基片传送口呈水平分布，使得晶圆周围缺口减少，大幅度减少扰流效应，提高了基片制备的良率。
一种化学沉积设备

[发明专利]一种薄膜处理装置-CN202111623895.0在审
发明人：庞云玲;尹志尧;姜勇;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜处理装置，其包含：将纵长形反应腔室分隔为反应空间和晶圆传片空间的进气隔板和排气隔板；进气隔板上方为进气区域，排气隔板上方为排气区域，两区域之间的晶圆处理区域用于容纳承载晶圆的基座以进行薄膜沉积工艺；基座可从晶圆处理区域下降到晶圆传片空间，使得基座上的晶圆可被机械臂传输到反应腔室外部空间；包含多个进气喷口的进气法兰组件；包含导流管道的气体导流组件，导流管道设置在进气法兰组件和晶圆处理区域之间，多个导流管道中的气流独立可调。其优点是：该装置在保证反应空间内洁净度的同时，还可以实现对反应空间内气流场分布的调控，有助于提高气流分布的均匀性以及各组分的均匀性，提高了晶圆生产的良品率。
一种薄膜处理装置

[发明专利]一种化学气相沉积装置的温度校准和控制方法-CN202111262182.6在审
发明人：闫韬;陈恩毅;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01K15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积装置的温度校准和控制方法，该装置包括：晶圆承载台，测量晶圆承载台温度的第一温度传感器，用于加热该装置的加热器；校准方法包含：将一设置有标准接触式温度传感器的仿晶圆放在晶圆承载台上；启动加热器使该装置温度升高；将标准接触式温度传感器读数随时间的变化记录为标准温度变化值；将第一温度传感器读数随时间的变化记录为晶圆承载台温度变化值；将晶圆承载台温度变化值按时间对应校正为标准温度变化值。其优点是：通过标准接触式温度传感器、仿晶圆和第一温度传感器，获取晶圆在工艺过程中的温度变化数据，并对第一温度传感器进行校准，提高了第一温度传感器温度测量的准确度，保证了晶圆生产的良品率。
一种化学沉积装置温度校准控制方法

[实用新型]一种用于半导体处理腔的上盖-CN202320150470.0有效
发明人：庞云玲;陶珩;丛海;姜勇 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于半导体处理腔的上盖，半导体处理腔的上部包括开孔，开孔上设置上盖，上盖与半导体处理腔形成处理空间，承压壳体包围至少部分上盖，当上盖设置在开孔上时，上盖具有一朝向处理空间的下表面和一朝向密闭空间的上表面，上盖包括：窗口和环绕窗口的外沿，窗口包括窗口中心区和包围窗口中心区的窗口边缘区，窗口边缘区与外沿连接，窗口中心区的下表面与窗口边缘区的下表面的最大高度差大于28毫米小于等于50毫米，窗口边缘区的下表面具有第一斜面，第一斜面的两端分别与外沿的下表面和窗口中心区的下表面相连。所述上盖既能够保证半导体处理腔内气流的稳定性，又能够承受其内外的压强差。
一种用于半导体处理

[发明专利]一种晶圆清洗装置及使用方法-CN202111141067.3在审
发明人：丛海;尹志尧;闫韬;陈恩毅 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆清洗装置及使用方法，所述晶圆清洗装置，包括：处理腔、位于处理腔外的第一气体源、第二气体源、输气管、远程等离子体源和激发电源；处理腔包括喷淋头和基座，喷淋头设置于处理腔内部上方；基座设置于处理腔内部下方，与喷淋头相对设置；激发电源与喷淋头或与基座连接；第一气体源通过远程等离子体源、输气管与处理腔内的喷淋头连接；第一气体源用于向远程等离子体源或处理腔供应第一气体；第二气体源直接通过输气管与处理腔内的喷淋头连接，第二气体源用于向处理腔供应第二气体。本发明集成了远程等离子体源和激发电源，通过选择远程等离子体源和激发电源的打开或关闭可以去除晶圆上的污染物，从而满足晶圆的不同清洗需求。
一种清洗装置使用方法

[外观设计]基座-CN202230467145.8有效
发明人：傅时梁;姜勇;闫韬;陈恩毅;丛海 -专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基座。2.本外观设计产品的用途：薄膜生长装置中用于放置晶圆的元件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.无设计要点，省略左视图、右视图、俯视图、仰视图。
基座

[实用新型]一种用于半导体处理腔的上盖-CN202220904256.5有效
发明人：庞云玲;陶珩;丛海;姜勇 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于半导体处理腔的上盖，半导体处理腔的上部包括一开孔，开孔上设置上盖，上盖与半导体处理腔形成一处理空间，一承压壳体包围并覆盖至少部分上盖，上盖与承压壳体形成一密闭空间，上盖设置在处理空间和密闭空间之间以实现两者的气密隔离，其中，上盖包括：位于上盖的中部的窗口和环绕窗口的外沿，窗口可透过热辐射，窗口包括位于其中心的窗口中心区和包围窗口中心区的窗口边缘区，窗口边缘区与外沿相连，窗口中心区与窗口边缘区的高度差小于等于28毫米，上盖可承受处理空间与密闭空间之间的压强差。所述上盖既能够保证半导体处理腔内气流的稳定性，又能够承受其内外的压强差。
一种用于半导体处理

[实用新型]一种基座及化学气相沉积设备-CN202222364888.X有效
发明人：傅时梁;姜勇;闫韬;陈恩毅;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基座，用于化学气相沉积设备，包含：基座底面，所述基座底面为一平面或向下凹的弧面；自所述基座底面的外边缘向上向外延伸的基片承载面，所述基片承载面为一个由外至内向下倾斜的斜面，通过所述基片承载面与基片外边缘接触以承载基片；多个导流槽，设置在所述基片承载面上，用于排出基片背面与基座之间的工艺气体和/或净化气体。本实用新型还提供一种化学气相沉积设备。通过本实用新型，能够快速导走升降销孔周围的热量，使基片表面温度均匀；同时本实用新型还能够减少基片背面的沉积物，大大减少反应室内的颗粒污染。
一种基座化学沉积设备

[外观设计]基座-CN202230467144.3有效
发明人：傅时梁;姜勇;闫韬;陈恩毅;丛海 -专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基座。2.本外观设计产品的用途：薄膜生长装置中用于放置晶圆的元件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.本外观设计产品为薄型产品及无设计要点，省略设计1左视图、设计1右视图、设计1俯视图、设计1仰视图、设计2左视图、设计2右视图、设计2俯视图、设计2仰视图、设计3左视图、设计3右视图、设计3俯视图、设计3仰视图。6.指定设计1为基本设计。
基座

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