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[发明专利]一种分离栅增强的功率MOS器件-CN201910191166.9在审
发明人：乔明;王正康;方冬;王睿迪;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种分离栅增强的功率MOS器件，包括衬底，衬底上表面有外延层，外延层中有控制栅槽，控制栅槽中包含栅电极、分离栅电极，栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极位于控制栅槽的上半部分，且第一栅电极和第二栅电极通过第一介质层隔开；第一栅电极和第二栅电极位于分离栅电极的上方，且和分离栅电极通过第二介质层隔开；第一栅电极和第二栅电极通过栅介质与外延层中的体区隔开；分离栅电极位于控制栅槽的下半部分，且通过第三介质层与外延层隔开；第三介质层位于控制栅槽的下半部分，覆盖槽的侧墙和底部；本发明分开的第一栅电极和第二栅电极有效减小栅极与分离栅电极的电容耦合，进而降低器件栅电荷。
栅电极分离栅控制栅电极介质层外延层隔开功率MOS器件衬底上表面电容耦合降低器件覆盖槽栅电荷栅介质侧墙衬底减小体区

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410074602.1在审
发明人：程伟;李华国;蔡青龙;任驰;许正源 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：半导体结构包括一基板、一第一栅结构、一第二栅电极、一第三栅电极及一保护层。第一栅结构包括一第一栅电极及一第一栅介电质，第一栅电极设置在基板上，第一栅介电质覆盖第一栅电极。第二栅电极设置在第一栅电极上，并与第一栅电极电性隔离。第一栅结构相对于第二栅电极具有一延伸部。第三栅电极相邻于第一栅电极和第二栅电极设置，并与第一栅电极、第二栅电极电性隔离。第三栅电极具有一延伸部，位于保护层的一下表面和第一栅结构的延伸部的一上表面之间。
半导体结构及其制造方法

[实用新型]阵列基板及液晶显示器-CN201020554515.3有效
发明人：刘翔;薛建设;刘圣烈 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阵列基板及液晶显示器，其中阵列基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有数据线和栅线；数据线和栅线围设形成像素单元；像素单元包括TFT开关和像素电极；TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极；栅线上覆盖有栅绝缘层；有源层形成于栅绝缘层上；还包括：辅助栅绝缘层和辅助栅电极；辅助栅绝缘层形成于栅线和栅电极上方；辅助栅电极形成于栅电极上方且被栅绝缘层覆盖，辅助栅电极与栅电极之间以辅助栅绝缘层相互间隔；辅助栅电极通过附加过孔与栅电极连接。本实用新型的阵列基板在保证栅绝缘层的厚度满足基本要求的情况下，可以增大充电电流。
阵列液晶显示器

[实用新型]太阳能电池的电极结构及太阳能电池-CN202222227884.7有效
发明人：范洵;付少剑;郁寅珑;张明明 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开一种太阳能电池的电极结构及太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。所公开的电极结构设于太阳能电池的电池片上，电极结构包括正电极主栅、正电极副栅、负电极主栅和负电极副栅，其中，正电极副栅包括正电极副栅干线和正电极副栅支线，正电极副栅干线的第一端连接于正电极主栅，正电极副栅支线的第一端连接于正电极副栅干线，负电极副栅包括负电极副栅干线和负电极副栅支线，负电极副栅干线的第一端连接于负电极主栅，负电极副栅支线的第一端连接于负电极副栅干线。上述方案能够解决相关技术中，太阳能电池的电极结构的正电极副栅以及负电极副栅收集电流的能力较差的问题。
太阳能电池电极结构

[实用新型]一种太阳能电池的栅线电极结构-CN201520682317.8有效
发明人：杨与胜;王树林;张超华;庄辉虎;罗骞;宋广华 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池的栅线电极结构，其包括：主栅线电极、与所述主栅线电极交叉设置的细栅线电极、及设在细栅线电极边缘的电极连接线，所述细栅线电极靠近主栅线电极端的宽度大于远离主栅线电极端的宽度。本实用新型将细栅线电极设计成不同宽度，由于太阳能电池的电流通过细栅线电极汇流到主栅线电极，细栅线电极距离主栅线电极越近电流密度越大，距离主栅线电极越远电流密度越小，因此将距离主栅线电极越远的细栅线电极宽度制作得更小，这样极大的增加电池有效吸收面积，同时减少金属电极的金属使用量，从而增加太阳能电池的短路电流、降低生产成本。
一种太阳能电池电极结构

[发明专利]全背接触太阳电池电极及其制作方法-CN201310291363.0无效
发明人：陶龙忠;杨灼坚;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州润阳光伏科技有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池领域，内容为提出了一种全背接触太阳电池电极及其制作方法，该电极特点是其由细栅金属电极一、细栅金属电极二、主栅电极一、主栅电极二及介电层一组成，上述组成部分全部位于衬底主要表面一；细栅金属电极一和细栅金属电极二呈叉指状交替排布；主栅电极一、主栅电极二分别与细栅金属电极一、细栅金属电极二呈交叉排布；主栅电极一和细栅金属电极二交叉重叠的部分以及主栅电极二和细栅金属电极一交叉重叠的部分通过介电层一隔离；主栅电极一和细栅金属电极一以及主栅电极二和细栅金属电极二在两者交叉重叠的位置直接接触与现有技术相比，本发明消除了电极电学遮光的影响，并降低了电极的线电阻损失，提高了器件性能。
接触太阳电池电极及其制作方法

[发明专利]一种背结-背接触太阳能电池三维电极及其制备方法-CN201310611861.9无效
发明人：朱彦斌;董经兵;李海波;邢国强 -专利权人：合肥海润光伏科技有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种背结-背接触太阳能电池三维电极及其制备方法，其中背结-背接触太阳能电池三维电极包括印刷并烧结在电池背面n+区域的若干条负电极栅线、印刷并烧结在电池背面p+区域并与负电极栅线成叉指状交替排列的若干条正电极栅线、印刷并烘干在正电极栅线和负电极栅线上的绝缘油墨，以及印刷并烘干在具有正电极栅线和负电极栅线上的正主栅电极和负主栅电极；其中，正主栅电极通过绝缘油墨同负电极栅线隔离，负主栅电极通过绝缘油墨同正电极栅线隔离本发明减小了载流子经由细栅电极传输到主栅电极的距离，降低电池的串联电阻；降低了电极沉积难度和主栅电极处的复合速率。
一种接触太阳能电池三维电极及其制备方法

[实用新型]一种防断栅的晶硅太阳能电池正电极网版图形结构-CN202220664699.1有效
发明人：王丽婷;周啸颖;王守志;舒振兴;王金淳;孙航;黄镇;刘阳;高荣刚;黄国平 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B41F15/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防断栅的晶硅太阳能电池正电极网版图形结构结构，包括正电极主栅和正电极细栅，正电极主栅与正电极细栅相互垂直，正电极主栅与正电极细栅的交界处设有防断栅结构，防断栅结构包括梯形防断栅段和矩形防断栅段，梯形防断栅段为自正电极主栅向正电极细栅的方向防断栅梯形截面逐渐变窄的等腰梯形结构，梯形下底与正电极主栅相连，矩形防断栅段位于梯形防断栅段上底和正电极细栅之间。相比于现有技术，本实用新型的设计的防断栅正电极图形可以有效降低电池片正电极印刷时断栅比例，能最大限度的减少正电极细栅线光生载流子的收集损失，从而进一步提高电池片的转换效率。
一种防断栅太阳能电池电极版图结构

[实用新型]太阳能电池的电极结构-CN202320398165.3有效
发明人：石强;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池的电极结构，该太阳能电池的电极结构包括正电极结构以及负电极结构，正电极结构包括正电极主栅、多个间隔设置的第一正电极副栅以及多个间隔设置的第二正电极副栅，其中，多个第一正电极副栅与多个第二正电极副栅交叉接触，多个第一正电极副栅的一端分别与第一正电极主栅接触，多个第二正电极副栅的一端分别与第二正电极主栅接触；负电极结构包括负电极主栅、多个间隔设置的第一负电极副栅以及多个间隔设置的第二负电极副栅，多个第一负电极副栅与多个第二负电极副栅交叉接触，多个第一负电极副栅的一端分别与第一负电极主栅接触，多个第二负电极副栅的一端分别与第二负电极主栅接触。
太阳能电池电极结构

[实用新型]一种多主栅IBC太阳能电池的电极结构-CN202023284603.9有效
发明人：石强;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多主栅IBC太阳能电池的电极结构，涉及太阳能电池技术领域。包括交替设置于电池背面的正电极主栅和负电极主栅，电池背面位于边缘的正电极主栅和/或负电极主栅的外侧还设置有负电极边缘主栅和/或正电极边缘主栅，负电极边缘主栅和/或正电极边缘主栅的内侧连接有负电极边缘副栅和/或正电极边缘副栅；负电极边缘主栅和/或正电极边缘主栅与至少一根负电极主栅和/或正电极主栅经负电极汇流线和/或正电极汇流线电性连接。本实用新型处于电池背面最边缘的正电极边缘主栅和负电极边缘主栅不需要进行焊接，可以避免焊接给电池硅片带来的隐裂风险，大大提高了电池组件的良品率。
一种多主栅 ibc 太阳能电池电极结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201010168838.3无效
发明人：何军;孔蔚然 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底；位于衬底表面的栅介质层；位于栅介质层表面的栅电极区，所述栅电极区包括分立的第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极以及形成在第一栅电极与第二栅电极之间和第二栅电极与第三栅电极之间的隔离层；位于栅电极区的侧壁的侧墙；位于栅电极区两侧并位于衬底内的源极区和漏极区。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体存储器件-CN202310320626.X在审
发明人：早川幸夫;李奉镕;朴玄睦;赵始衍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：背栅电极、在背栅电极上的栅电极、在栅电极和背栅电极之间的沟道层、在沟道层和栅电极之间的栅绝缘层以及在背栅电极和沟道层之间的铁电层。
半导体存储器件

[实用新型]一种太阳能电池的栅线结构-CN202021448846.9有效
发明人：余建良;李祥;顾辉;李健 -专利权人：浙江鸿禧能源股份有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池的栅线结构，太阳能电池包括有边框、多根纵向排列的主栅电极、多根横向排列的细栅电极，细栅电极分别与主栅电极相交，细栅电极的两端分别连接边框，主栅电极的两端分别连接边框，相邻主栅电极之间设有若干列防段栅，每一列防段栅由若干防段栅在同一直线上间隔排列构成，防段栅的两端分别连接两个相邻的细栅电极，主栅电极的两侧边缘分别设有若干均匀间隔排列的开口。本实用新型的太阳能电池的栅线结构，通过主栅电极两侧的开口，主栅面积减少，节约了主栅电极银浆用量，电池受光面积增加；主栅电极两侧边长增加，主栅电极两侧的银浆高度高于其它区域，故主栅电极整体焊接拉力无影响。
一种太阳能电池结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610167595.5有效
发明人：浅见良信 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：提供了这样一种半导体器件及其制造方法，它在不导致形成控制栅电极过程中的未对准问题并且不产生控制栅电极与浮动栅电极之间的泄漏的情况下以自对准方式形成。该半导体器件包括半导体膜、该半导体膜上的第一栅绝缘膜、该第一栅绝缘膜上的浮动栅电极、覆盖该浮动栅电极的第二栅绝缘膜、以及该第二栅绝缘膜上的控制栅电极。该控制栅电极被形成为覆盖该浮动栅电极，并且它们之间插入第二栅绝缘膜，该控制栅电极设有侧壁，且该侧壁形成于控制栅电极中由于浮动栅电极而产生的阶梯部分上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201811416805.9在审
发明人：罗伊辰;张容浩;林立德;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：第一栅电极及第二栅电极形成于基板上方，第一栅电极与第二栅电极之间具有层间介电层。实施第一蚀刻步骤以蚀刻第一栅电极及第二栅电极。横跨蚀刻后的第一栅电极及第二栅电极及层间介电层而形成牺牲层。实施第二蚀刻步骤以蚀刻牺牲层及蚀刻后的第一栅电极及第二栅电极。
栅电极蚀刻半导体元件层间介电层牺牲层基板制造横跨

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