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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有横向耦合结构的非易失性存储单元、存储单元阵列-CN201610161066.8有效
发明人：朴圣根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种非易失性存储单元包括：有源区，其沿第一方向延伸；选择栅电极层，其与有源区相交并沿第二方向延伸；浮栅电极层，其与有源区相交，并且沿第二方向延伸，其中浮栅电极层沿与选择栅电极层平行的方向延伸并与选择栅电极层间隔开；以及电介质层，其设置在选择栅电极层和浮栅电极层之间。选择栅电极层、电介质层和浮栅电极层大体上位于同一水平并一起形成横向耦合电容器，并且浮栅电极层的第一端部与有源区相重叠。
具有横向耦合结构非易失性存储单元阵列

[实用新型]一种双面电池片和印刷板-CN202222621906.8有效
发明人：张书界;黄智;李忠涌 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2022-10-01 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请涉及一种双面电池片和印刷板，属于太阳能电池技术领域，电池片包括：电池片本体；背电极组，背电极组包括多个分段式金属电极，分段式金属电极包括背电极本体，背电极本体间隔分布；和栅线网，栅线网包括主栅，主栅包括多对主栅组，多对主栅组间隔分布于电池片本体，主栅组包括相对设置的第一主栅本体和第二主栅本体，第一主栅本体和第二主栅本体的相对侧均设有连接部，背电极本体连接于连接部，第一主栅本体和第二主栅本体的两端设有弯折段，以使第一主栅本体和第二主栅本体的端部错开背电极本体；在主栅的两端设置弯折部，使得主栅的端部与背电极错开，有效的减小了高度差，在焊接时能够保证焊接效果。
一种双面电池印刷

[实用新型]一种阀门开度反馈装置-CN201821900688.9有效
发明人：潘文;彭涛;施力寿;金玉波;陈忠明;陆俊平;杨明权;刘文;毕靖;田晓生;张翅远;袁玉通;张庆卡;杨新华;李会红;邬海卿;金龙;陈江生;朱云党 -专利权人：红塔烟草(集团)有限责任公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： F16K37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阀门开度反馈装置，包括定栅尺(7)与动栅尺，定栅尺(7)安装在阀芯边框(2)另一侧上，动栅尺安装于指针(6)上，所述动栅尺上装有动栅尺发射电极、动栅尺屏蔽电极和动栅尺接收电极(8)，定栅尺(7)上装有定栅尺屏蔽电极与定栅尺反射电极(9)，随着指针(6)的移动，动栅尺发射电极(10)与定栅尺反射电极(9)产生电容变化反馈到动栅尺接收电极(8)上，产生电信号。
动栅定栅尺本实用新型发射电极阀门开度阀门开关反馈装置反射电极接收电极屏蔽电极边框指针电容变化读数功能肉眼观测重新设计传统的阀芯观测反馈移动改进

[发明专利]过电流保护元件-CN201110234201.4有效
发明人：沙益安;王绍裘 -专利权人：聚鼎科技股份有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种过电流保护元件，包括：第一基板、第二基板、第一栅状电极、第二栅状电极及正温度系数(PTC)材料层。第一栅状电极和第二栅状电极形成于第一基板上，且两者位于同一平面交错设置。PTC材料层形成于该第一基板、第一栅状电极及第二栅状电极上，及第一栅状电极及第二栅状电极之间。一实施例中，第一栅状电极及第二栅状电极分别形成电源输入埠及电源输出埠。本发明的过电流保护元件通过电极结构上的优化设计，可降低元件电阻值。另外，利用电极结构的变化，也可形成多埠的过电流保护元件，而增加使用上的弹性。
电流保护元件

[发明专利]非易失性半导体存储装置的制造方法和非易失性半导体存储装置-CN200910008039.7无效
发明人：木村绅一郎;岛本泰洋;久本大 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：在同一硅衬底1上包括具有控制栅电极(CGs)和侧壁存储栅电极(MGs)的分裂栅型存储单元(M1A)、具有单存储栅电极(MGu)的单栅极型存储单元(M2)的非易失性半导体存储装置中，在第一区域(R1)隔着控制栅电极(ICs)形成控制栅电极(CGs)，在第一区域(R1)隔着电荷积蓄膜(IMs)形成侧壁存储栅电极(MGs)，同时在第二区域(R2)隔着电荷积蓄膜(IMs)形成单存储栅电极(MGu)。此时，侧壁存储栅电极(MGs)和单存储栅电极(MGu)由同一工序形成，控制栅电极(CGs)和侧壁存储栅电极(MGs)以电绝缘的状态相邻地配置。
非易失性半导体存储装置制造方法

[实用新型]一种异质结太阳能电池电极-CN202022175666.4有效
发明人：张小明;盛健;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结太阳能电池电极，包括正面电极和背面电极，所述正面电极和背面电极均包括多个电极单元；每一电极单元包括主栅、与所述主栅相互连接的副栅、设于相邻主栅之间的分流栅线和边框栅线；所述主栅包括主栅线、设在主栅线上的焊盘、和设于所述主栅线两端的端口，所述端口包括与焊盘相连的至少两个分栅线，所述分栅线与焊盘之间形成分叉结构；所述电极单元之间并排设置，且所述电极单元之间形成空白区。采用本实用新型，能够提供一种转换效率高、电流损失小的异质结太阳能电池电极，所述异质结太阳能电池电极适用于大尺寸异质结太阳能电池。
一种异质结太阳能电池电极

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910468598.X在审
发明人：李昭贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种半导体器件包括栅电极的垂直堆叠。所述栅电极以不同的长度延伸以提供接触区域。所述栅电极具有导电区域和绝缘区域。接触栓填充在所述接触区域中穿过所述栅电极的堆叠的接触孔。所述接触栓连接到所述栅电极。所述接触栓在所述接触区域中穿过一个栅电极的导电区域并电连接到该栅电极，并且穿过其他栅电极的所述绝缘区域。所述绝缘区域在所述栅电极与所述接触栓相交的区域中设置在所述接触孔的外部。
栅电极接触栓接触区域绝缘区域半导体器件导电区域接触孔穿过长度延伸垂直堆叠电连接堆叠填充相交外部制造

[发明专利]一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法-CN202111270357.8在审
发明人：孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法。该器件包括：衬底；背栅电极，形成在衬底上；背栅介质，其为离子氧化物薄膜，形成在背栅电极上；二维薄膜，形成在背栅介质上且位于背栅电极上方，作为沟道；源电极和漏电极，分别形成在沟道两端；顶栅电极，形成在背栅介质上，与沟道以一定间隔平行排列，顶栅电极的延伸方向与背栅电极的延伸方向正交，但不相交叠；以及顶栅介质，其为离子凝胶，覆盖沟道和顶栅电极，在顶栅以及背栅同时施加脉冲时序，对沟道电导进行调控，通过离子的迁移与注入实现器件电导范围的定量增加或减小
一种离子神经形态器件及其制备方法

[实用新型]一种多主栅高效率太阳能电池片-CN201621205510.3有效
发明人：张薛丹;沈专;何胜;符欣;王谭东;金起弘 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多主栅高效率太阳能电池片，包括正面电极栅线和背面铝背场及背电极，所述的正面电极栅线包括纵向的5根或5根以上的正电极主栅线和多条细栅线，每条主栅线与所述的细栅线相互垂直且相交；所述的背电极设置有纵向的5根或5根以上的背电极主栅，背电极主栅数目及位置与正电极主栅线相对应；所述的正电极主栅线为一根连续的有规则变化的截面为圆形的圆形节点连接截面为矩形的矩形段所成的主栅线；所述的细栅线设置为渐变式宽度的细栅线
一种多主栅高效率太阳能电池

[实用新型]低开关损耗功率MOS器件-CN202022641333.6有效
发明人：朱小雨 -专利权人：深圳市尚芯微电子科技有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了低开关损耗功率MOS器件，包括：漏极金属、设置在漏极金属上表面的外延层、设置在外延层上表面的阱区、设置在阱区内的阱区电极、设置在阱区上表面的源区、连接源区与阱区电极的源极金属以及依次穿过源区以及阱区设置在外延层内的沟槽；沟槽内设置有上栅电极以及下栅电极，上栅电极位于沟槽的上半部分且位于下栅电极的上方，上栅电极为H型，H型包含左右两侧的垂直段以及连接在两个垂直段中间的一个水平段，垂直段与上栅介质接触；上栅电极和下栅电极通过下栅介质隔开，上栅电极通过上栅介质与阱区隔开；下栅电极位于沟槽的下半部分，下栅电极通过下栅介质与外延层隔开。
开关损耗功率 mos 器件

[发明专利]具有偏移结构的薄膜晶体管-CN201110134007.9有效
发明人：金起弘;金正晥;张龙在;金正贤 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述有源区包括：栅电极；与所述栅电极重叠的有源层；位于所述栅电极与所述有源层之间的栅绝缘层；以及包括电连接到所述有源区的源/漏电极的源/漏电极层。所述源/漏电极中的某些与所述栅电极部分重叠。所述源/漏电极中的其它源/漏电极偏移于所述栅电极。所述源/漏电极和所述栅电极被对称布置。
具有偏移结构薄膜晶体管

[实用新型]一种太阳能电池的栅线电极结构以及太阳能电池-CN201721854707.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：盐城普兰特新能源有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别地涉及一种太阳能电池的栅线电极结构以及太阳能电池。本实用新型公开了一种太阳能电池的栅线电极结构，设置在太阳能电池的主面上，包括主栅线电极、与主栅线电极交叉设置的细栅线电极以及设在细栅线电极端部的副电极，所述细栅线电极包括靠近主栅线电极的靠近部和远离主栅线电极的远离部，所述靠近部的厚度大于远离部的厚度，所述副电极与细栅线电极的端部直接连接，在两条相邻细栅线电极的端部之间的所述副电极的总长度小于或等于所述两条相邻细栅线电极的端部之间的间距的五分之三。
电极太阳能电池细栅线主栅线本实用新型栅线电极副电极太阳能电池技术电池有效吸收面积电极端部电极交叉填充因子

[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器-CN201010601911.1无效
发明人：刘翔;薛建设 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：其中，阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线和像素电极，其中，形成所述栅线、栅电极和像素电极的步骤具体包括：在衬底基板上依次沉积透明导电薄膜和栅金属薄膜；通过构图工艺刻蚀所述透明导电薄膜和所述栅金属薄膜形成包括栅线的图案，且刻蚀所述栅金属薄膜形成包括栅电极和像素电极的图案。本发明栅电极与像素电极的为相同的透明导电薄膜，栅电极厚度低、与源漏电极的重叠面积小，不同像素单元的寄生电容均匀，液晶显示器的显示画面不易出现闪烁，提高了液晶显示器的显示质量。
阵列及其制造方法液晶显示器

[发明专利]一种独立栅控制的无结纳米线场效应晶体管-CN201210531435.X无效
发明人：何进;梅金河;张爱喜;朱小安;杜彩霞 -专利权人：北京大学深圳研究院
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种独立栅控制的无结纳米线场效应晶体管，由控制栅电极(7)、调节栅电极(5)、源区(1)、漏区(3)、沟道区(2)、控制栅介质层(6)和调节栅介质层(4)组成，成轴对称：调节栅电极位于中心；沟道区及其两侧的源区和漏区与调节栅电极通过调节栅介质层电隔离，并同轴全套入调节栅电极；沟道区、源区和漏区的总长度与调节栅电极和调节栅介质层的长度都相等；控制栅电极与沟道区通过控制栅介质电隔离，并同轴全套入沟道区；控制栅电极、控制栅介质层和沟道区的长度都相等。这种场效应晶体管，具有两个电学上不连通的栅电极，在尺寸缩小中提高了器件综合性能，为低功耗集成电路提供了一种低工艺成本的备选方案。
一种独立控制纳米场效应晶体管

[发明专利]具有旁路栅极的半导体器件及其制备方法-CN201510388589.1有效
发明人：张太洙;桂祯涉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种减轻栅极诱导漏极泄露(GIDL)的半导体器件，该半导体器件具有有单个栅电极的旁路栅极以及有下部栅电极和上部栅电极的主栅极。在上部栅电极与储存节点结区设置在同一水平时，有助于减轻GIDL的附加因素包括：上部栅电极具有比下部栅电极低的功函数，以及下部栅电极置于储存节点结区之下。
具有旁路栅极半导体器件及其制备方法

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