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[发明专利]应用于半导体元件工艺中的平坦化方法以及栅极构造-CN201110040219.0有效
发明人：谢雅雪;蔡腾群;林文钦;许信国;黄任鹏;陈志仙;杨智钦;吕宏源;林仁杰;曹玮哲 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于半导体元件工艺中的平坦化方法以及栅极构造。该方法包括：提供上方具有包括多晶硅假栅极与介电层的栅极构造的基板；去除多晶硅假栅极而形成沟槽；形成栅极阻障层于沟槽中；形成栅极金属层于栅极阻障层的表面上并填满沟槽；利用第一反应剂来对栅极金属层进行第一平坦化工艺，用以除去部分的栅极金属层，第一反应剂对栅极金属层的蚀刻速率大于对栅极阻障层的蚀刻速率；利用第二反应剂来对栅极阻障层与栅极金属层进行第二平坦化工艺，用以除去部分的栅极阻障层与栅极金属层，第二反应剂对栅极阻障层的蚀刻速率大于对栅极金属层的蚀刻速率
应用于半导体元件工艺中的平坦方法以及栅极构造

[发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。
半导体装置

[发明专利]一种阵列基板的制作方法-CN201710202255.X有效
发明人：姜春生;武岳 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法，其包括：在衬底基板上依次形成第一金属层、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层，及在第二金属层上形成源极层与漏极层；其中，在第一金属层上形成栅极层，包括：在第一金属层上沉积栅极金属层；在栅极金属层上涂布光阻层，对栅极金属层进行曝光显影，并对栅极金属层进行湿蚀刻；使用第一剥离液去除栅极金属层上的光阻层，以形成栅极层；其中，第一剥离液中添加有化学腐蚀电位小于或等于第一金属层的化学腐蚀电位的第一金属阳离子本发明解决了现有技术中，在使用剥离液对光阻进行剥夺的时候，会在栅极层和第一金属层接触的边缘发生掏空现象，形成裂缝，进而导致源极层、漏极层与栅极层短路的问题。
一种阵列制作方法

[实用新型]阵列基板、显示面板和显示装置-CN202121751647.X有效
发明人：鲜济遥;刘凯军;周佑联;许哲豪;郑浩旋 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括衬底以及依次设置在衬底上的半导体有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、源极金属层、漏极金属层、绝缘保护层以及像素电极，源极金属层和漏极金属阻层设置在半导体有源层上，且位于栅极绝缘层的两侧，栅极绝缘层设置在半导体有源层的中部，绝缘保护层设置栅极金属层、源极金属层和漏极金属层的上方。本申请阵列基板上形成的顶栅结构的薄膜晶体管，由于栅极绝缘层对应栅极金属层的位置比对应源极金属层和漏极金属层的位置要高，因而即使是同层形成的栅极金属层、源极金属层和漏极金属层，也可以保证改善栅极金属层、源极金属层和漏极金属层的短接问题
阵列显示面板显示装置

[发明专利]一种独立三栅FinFET器件的多阈值电压调控方法-CN201710223340.4在审
发明人：刘程晟;郑芳林;石艳玲;李小进;孙亚宾 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够实现多个阈值电压控制模式并且具备三个独立栅极结构的新型FinFET器件的多阈值电压调控方法，在无额外电压源的情况下，对左侧栅极金属层、右侧栅极金属层、顶部栅极金属层分别施加电源电压或接地本发明对顶部栅极介质层与底部栅极介质层分开沉积，能够实现顶部栅极介质层与底部栅极介质层材料与厚度的独立选取；本发明对顶部栅极金属层与底部栅极金属层分开沉积，能够实现顶部栅极金属层与底部栅极金属层材料的独立选取
一种独立 finfet 器件阈值电压调控方法

[发明专利]具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管-CN201010145534.5有效
发明人： J·潘;J·佩尔兰 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管，通过在栅极氧化物层与金属栅极电极之间形成保护层来达成用于取代金属栅极晶体管的具有减少的泄漏的薄而有效的栅极氧化物厚度，因而减少应力。实施例包括形成含有金属碳化物的非晶形碳的保护层，该金属碳化物的浓度从该金属栅极电极朝向该栅极氧化物层跨过该保护层而降低。方法的实施例包括移除可移除的栅极，在栅极氧化物层上沉积非晶形碳层，形成金属栅极电极，及然后在升高的温度加热以使金属从该金属栅极电极扩散进入该非晶形碳层，因而形成金属碳化物。实施例亦包括具有高介电常数的栅极氧化物层及硅集中在该金属栅极电极与衬底的接口处的金属栅极晶体管。
具有减少栅极氧化物泄漏取代金属晶体管

[发明专利]可抹除可编程只读存储器的结构-CN02140238.8无效
发明人：林明毅;胡照林 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-02 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种可抹除且可程序只读存储器的结构，包括浮栅极、控制栅极、源/漏极区域、内层介电层、内金属介电层、第一金属层与第二金属层。其配置控制栅极位于浮栅极上；源/漏极区域则位于基底中，且邻接控制栅极与浮栅极；位于控制栅极上，且不遮蔽到浮栅极的是第一金属层；而内层介电层位于控制栅极与第一金属层之间；位于第一金属层上的第二金属层遮蔽部分的浮栅极；而内金属介电层位于第一与第二金属层之间。此外，还包括连接源/漏极区域与第一金属层的接触窗；以及连接第一和第二金属层的介层窗。
可编程只读存储器结构

[发明专利]具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管-CN200680040575.X有效
发明人： J·潘;J·佩尔兰 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：通过在栅极氧化物层与金属栅极电极之间形成保护层来达成用于取代金属栅极晶体管的具有减少的泄漏的薄而有效的栅极氧化物厚度，因而减少应力。实施例包括形成含有金属碳化物的非晶形碳(amorphous carbon)的保护层，该金属碳化物的浓度从该金属栅极电极朝向该栅极氧化物层跨过该保护层而降低。方法的实施例包括移除可移除的栅极，在栅极氧化物层上沉积非晶形碳层，形成金属栅极电极，及然后在升高的温度加热以使金属从该金属栅极电极扩散进入该非晶形碳层，因而形成金属碳化物。实施例亦包括具有高介电常数的栅极氧化物层及硅集中在该金属栅极电极与衬底的接口处的金属栅极晶体管。
具有减少栅极氧化物泄漏取代金属晶体管

[发明专利]金属栅极结构及其工艺-CN201110261302.0在审
发明人：郑存闵;蔡旻錞;刘志建;林仁杰;李姵莹;王韶韦;林茂森;林静龄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：一种金属栅极结构位于一基底上。金属栅极结构包含有一栅极介电层、一金属层以及一氮化铝钛金属层。栅极介电层位于基底上。金属层位于栅极介电层上。氮化铝钛金属层位于金属层上。
金属栅极结构及其工艺

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板-CN201811353989.9有效
发明人：鈴木巌 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板，薄膜晶体管包括依次层叠设在衬底上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源/漏极层，所述栅极层包括层叠设置在所述衬底上的金属缓冲层和栅极主体层，且所述金属缓冲层被设置成在高温下可防止所述金属缓冲层中的金属扩散到所述栅极主体层中通过将金属缓冲层设置成在高温下可防止金属缓冲层中的金属扩散到栅极主体层中，在制作金属氧化物阵列基板的高温处理工艺中，可防止金属向栅极主体层中的扩散，使金属缓冲层中的金属无法扩散到栅极主体层中，从而抑制了栅极配线电阻的上升，使得到的栅极的配线电阻降低，提升了薄膜晶体管的稳定性。
一种薄膜晶体管阵列以及显示面板

[发明专利]环绕式栅极组件及其制造方法-CN201911229440.3在审
发明人：何伟志;吴俊鹏 -专利权人：吴俊鹏;陈纪宇
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种环绕式栅极组件，其特征在于，包括:衬底；栅极，为环绕结构，设置于衬底上方，栅极最外层为环绕式栅极金属层，环绕式栅极金属层内部设置有环绕式栅极介电层，环绕式栅极介电层内包覆化合物半导体；介电层，设置于栅极金属层的两侧；其中，环绕式栅极金属层延伸覆盖介电层的上方。
环绕栅极组件及其制造方法

[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板-CN202110622008.1在审
发明人：谭芳 -专利权人：苏州华星光电技术有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，通过将阵列基板中的第一栅极金属层氧化，得到第二栅极金属层；第二栅极金属层包括靠近基板一侧的金属层和背离基板一侧的氧化金属层。使得对栅极金属层进行酸性蚀刻时，相同蚀刻时间内，氧化金属层的蚀刻速率大于金属层的蚀刻速率，使得氧化金属层的横向蚀刻量增加且大于金属层的横向蚀刻量，降低栅极金属层与基板之间形成的倾角的角度，进而改善栅极绝缘层和源漏极金属层在栅极金属层形成的爬坡结构处断线的问题
一种阵列制备方法显示面板

[发明专利]金属栅极和MOS晶体管的形成方法-CN201110180746.1有效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极和MOS晶体管的形成方法。其中金属栅极的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成替代栅极结构，所述衬底和替代栅极结构上形成有阻挡层；在阻挡层上形成层间介质层，且所述层间介质层厚度大于替代栅极结构高度；刻蚀层间介质层至露出替代栅极结构上的阻挡层；刻蚀阻挡层至露出替代栅极结构表面；以层间介质层为掩膜，去除替代栅极结构，形成沟槽；在沟槽底部形成栅介质层后，于层间介质层上形成金属层，且所述金属层填充满沟槽；研磨金属层至露出层间介质层，形成金属栅极。本发明有效防止金属栅极间桥接的现象，提高了半导体器件的性能。
金属栅极 mos 晶体管形成方法

[发明专利]金属互连线的制造方法-CN201110247538.9有效
发明人：王新鹏;黄晓辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种金属互连线的制造方法包括：提供半导体衬底，其上形成有虚设栅极；依次覆盖应力层和第一层间介质层；暴露所述虚设栅极；去除所述虚设栅极，形成金属栅极，所述金属栅极上形成有金属氧化层；在所述金属栅极侧壁和半导体衬底上依次形成应力层和第一层间介质层，所述金属栅极上形成有金属氧化层；在所述第一层间介质层和所述金属氧化层上覆盖第二层间介质层；形成开口，所述开口中暴露所述金属氧化层和应力层；去除所述开口中暴露的金属氧化层和应力层；在所述开口中形成金属互连线本发明用于保护有源区中的金属硅化物区，提高金属栅极与金属互连线，以及有源区与金属互连线的电连特性。
金属互连制造方法

[发明专利]一种新型显示面板及电子设备-CN201810857500.5在审
发明人：庄崇营;陈志杰;李林;林建伟 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型显示面板及电子设备，显示面板包括基板，基板包括显示屏可操作区域，基板上设置有栅极金属层、覆盖栅极金属层的栅极绝缘层、覆盖栅极绝缘层的源漏极金属层和覆盖源漏极金属层上的公共电极层，栅极金属层包括相互平行且相互绝缘的多条栅极线、与多条栅极线一一对应的过孔，该基板还包括金属走线层、金属走线绝缘层，金属走线层包括第一金属走线，第一金属走线与源漏极金属层的源极走线相叠，通过过孔连接栅极金属层的栅极线与显示屏可操作区域外的IC芯片引脚，金属走线绝缘层用于隔断金属走线层与各金属层，栅极引线无需经过显示屏可操作区域两侧，节省该左右两侧空间，减小显示面板的边框宽度，实现窄边化设置。
栅极金属层金属走线显示面板基板源漏极金属层金属走线层可操作区域栅极线绝缘层显示屏栅极绝缘层电子设备覆盖边框公共电极层栅极引线左右两侧金属层隔断减小相叠引脚源极窄边走线绝缘平行

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