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[发明专利]栅极-CN98102926.4无效
发明人： A·H·皮克林 -专利权人： EEV有限公司
申请日： 1998-06-13 - 公布日： 1999-02-17 - 主分类号： H01J23/02 文献下载
摘要：一种用于IOT或TWT这样的线型电子束管的栅极,包括一个栅极部分3和一个聚焦电极4;在栅极部分3与聚焦电极4之间还包含一个调节部分5。用在其外边缘周围的安装凸缘6将栅极安装到管子中。在使用期间,栅极部分3变热,然后膨胀。而安装凸缘6由于与较大的机构连接,因而保持较低的温度。调节部分5的可弯曲薄带9允许不同热膨胀造成的安装凸缘6与栅极部分3之间的相对移动,这样就使栅极部分的变形降至最小。而如果栅极部分3直接与安装凸缘6连接,则限制了外径长度,从而使栅极部分3发生明显的由热膨胀差值造成的变形。
栅极

[发明专利]栅极-CN98102904.3无效
发明人： D·W·卡尔 -专利权人： EEV有限公司
申请日： 1998-06-13 - 公布日： 1999-02-17 - 主分类号： H01J23/02 文献下载
摘要：一种用于IOT或TWT这样的线形电子束管的栅极,包括一个栅极部分3和一个安装凸缘4;在栅极部分3与安装凸缘4之间还包含一个调节部分5。在使用期间,栅极部分3变热,然后膨胀。调节部分5的可弯曲薄带8允许不同差值热膨胀造成的安装凸缘4与栅极部分3之间的相对移动,这样就使栅极部分的变形降至最小。而如果栅极部分3直接与安装凸缘4连接,则限制了外径长度,从而使栅极部分3发生明显的由热膨胀差值造成的变形。
栅极

[发明专利]多栅极器件的栅极结构-CN202210722668.1在审
发明人：邱诗航;王唯诚;刘冠廷;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及多栅极器件的栅极结构。根据本公开的方法包括提供衬底，该衬底包括围绕在有源区域之上的虚设栅极堆叠和沿着虚设栅极堆叠的侧壁延伸的间隔件层，选择性地去除虚设栅极堆叠以形成暴露有源区域的栅极沟槽，在有源区域之上沉积栅极电介质层，在栅极电介质层之上沉积至少一个功函数层
栅极器件结构

[发明专利]制造集成电路的方法-CN201711284903.7在审
发明人：杨宗谕;黄仲仁;吴云骥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：在半导体衬底上形成栅极堆叠。栅极堆叠包括电荷储存膜及上覆在电荷储存膜上的虚拟控制栅极。虚拟控制栅极包含第一材料。由第一材料形成虚拟栅极层，且虚拟栅极层被形成为覆盖半导体衬底及栅极堆叠。使虚拟栅极层凹陷至低于栅极堆叠的顶表面后，将虚拟栅极层图案化，以形成与虚拟控制栅极交界的虚拟选择栅极并形成与虚拟选择栅极及虚拟控制栅极间隔开的虚拟逻辑栅极。在虚拟控制栅极、虚拟选择栅极、及虚拟逻辑栅极间形成有与虚拟控制栅极、虚拟选择栅极及虚拟逻辑栅极的顶表面齐平的顶表面的层间介电层。将虚拟控制栅极、虚拟选择栅极、或虚拟逻辑栅极分别替换为由第二材料形成的控制栅极、选择栅极、或逻辑栅极。
虚拟控制栅极选择栅极虚拟逻辑虚拟栅极栅极堆叠顶表面第一材料电荷储存衬底集成电路半导体层间介电层第二材料或逻辑图案化凹陷齐平替换制造交界覆盖

[发明专利]显示装置以及驱动显示装置的方法-CN201711381653.9有效
发明人：片奇铉;申升运 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：公开了显示装置和驱动显示装置的方法，显示装置包括显示面板、数据驱动部和栅极驱动部。栅极驱动部分别向栅极线输出栅极信号，使栅极信号从第一栅极截止电压增加至栅极导通电压，使栅极信号从栅极导通电压降低至第一栅极截止电压，使栅极信号在栅极线中的P条栅极线被驱动的P个(P为自然数)水平时间期间以比栅极信号从栅极导通电压降低至第一栅极截止电压的斜率小的斜率从第一栅极截止电压降低至第二栅极截止电压，以及使栅极信号从第二栅极截止电压增加至第一栅极截止电压。
显示装置以及驱动方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910798625.X在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体器件和半导体器件制造方法，该半导体器件可以包括衬底、金属栅极、多晶硅栅极和绝缘层；衬底上设置有栅极沟槽；金属栅极填充于栅极沟槽，且所述金属栅极的高度小于所述栅极沟槽的深度，金属栅极靠近栅极沟槽开口方向的一侧具有凸起；多晶硅栅极填充于栅极沟槽，多晶硅栅极设于凸起与栅极沟槽的内壁之间，且所述多晶硅栅极不凸出于栅极沟槽；绝缘层设于多晶硅栅极远离金属栅极的一侧，且与金属栅极和多晶硅栅极将栅极沟槽完全填充在栅极具有较低电阻的同时，减小了栅极与源极、漏极重叠区域的漏电流，以提高半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]半导体器件-CN201921403319.3有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种半导体器件，该半导体器件可以包括衬底、金属栅极、多晶硅栅极和绝缘层；衬底上设置有栅极沟槽；金属栅极填充于栅极沟槽，且所述金属栅极的高度小于所述栅极沟槽的深度，金属栅极靠近栅极沟槽开口方向的一侧具有凸起；多晶硅栅极填充于栅极沟槽，多晶硅栅极设于凸起与栅极沟槽的内壁之间，且所述多晶硅栅极不凸出于栅极沟槽；绝缘层设于多晶硅栅极远离金属栅极的一侧，且与金属栅极和多晶硅栅极将栅极沟槽完全填充。在栅极具有较低电阻的同时，减小了栅极与源极、漏极重叠区域的漏电流，以提高半导体器件的性能。
半导体器件

[发明专利]显示装置-CN201910536099.X在审
发明人：辛官烨;裵峻晧;尹在亨;李茶英;李珍暎;李赫焌 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：所述显示装置包括：显示面板，包括布置在其中的多个像素；多条栅极线，设置在显示面板中以将栅极信号传输到像素；以及栅极驱动器，设置在显示面板中，包括产生栅极信号并将栅极信号输出到栅极线的多个级。级中的第一级通过栅极垫与栅极线中的第一栅极线和第二栅极线连接，栅极垫包括第一栅极垫、第二栅极垫和第三栅极垫，并且第一栅极垫、第二栅极垫和第三栅极垫通过栅极垫连接构件彼此连接。
栅极垫栅极线显示面板栅极信号显示装置像素栅极驱动器彼此连接连接构件第一级传输输出

[发明专利]一种焊接的离子推力器栅极组件-CN201610789555.8有效
发明人：黄永杰;耿永亮;江豪成;王亮;郑茂繁;杨福全 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： B23K15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种焊接的离子推力器栅极组件，属于航天空间电推进技术、真空电子领域。该栅极组件主要包括屏栅极、屏栅极安装环、加速栅极以及加速栅极安装环；采用电子束从屏栅极的表面进行穿透焊接将屏栅极固定安装在屏栅极安装环的定位台阶上，采用电子束从加速栅极的表面进行穿透焊接将加速栅极固定安装在加速栅极安装环的定位台阶上，再将屏栅极安装环与加速栅极安装环通过陶瓷紧固组件固定连接。本发明所述栅极组件中采用电子束对称跳焊焊接方式，避免局部加热，因此焊接热量不会对屏栅极或加速栅极产生影响；另外，改善了栅极零件固定方式，易于栅极组件的装配，提高栅极组件工作稳定性。
加速栅极屏栅极栅极组件安装环焊接电子束离子推力器定位台阶穿透工作稳定性焊接方式紧固组件局部加热栅极零件真空电子电推进装配对称陶瓷航天

[发明专利]P型MOS存储单元-CN201110032426.1无效
发明人：董耀旗;李荣林;孔蔚然;宗登刚;徐爱斌 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：根据本发明的一种P型MOS存储单元包括：布置在衬底上的源极有源区、栅极有源区、以及漏极有源区；和选择栅极、控制栅极、以及浮栅极；其中，选择栅极、控制栅极、以及浮栅极布置在栅极有源区上方，浮栅极布置在控制栅极下方，并且选择栅极相对于控制栅极和浮栅极更靠近源极有源区，控制栅极和浮栅极相对于选择栅极更靠近漏极有源区。
mos 存储单元

[发明专利]快闪存储单元、快闪存储单元的制造方法及其操作方法-CN03107883.4无效
发明人：洪至伟;许正源;吴齐山;黄明山 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2003-04-01 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种快闪存储单元，此存储单元是由基底、栅极结构、源极区、抹除栅极、抹除栅极介电层、选择栅极、选择栅极介电层与漏极区所构成。栅极结构设置于基底上，栅极结构是由穿隧氧化层、浮置栅极、栅间介电层、控制栅极以及间隙壁所构成。源极区设置于栅极结构一侧基底中。抹除栅极设置于栅极结构一侧的源极区上。抹除栅极介电层设置于抹除栅极与源极区之间。选择栅极设置于栅极结构的另一侧。选择栅极介电层设置于选择栅极与基底之间。漏极区设置于选择栅极一侧的基底中。
闪存单元制造方法及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201910808137.2有效
发明人：范德慈;黄义欣;郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：存储单元包括源极区与漏极区、选择栅极、虚拟选择栅极、浮置栅极、抹除栅极、控制栅极。选择栅极设置于源极区与漏极区之间的基底上。浮置栅极设置于选择栅极与源极区之间的基底上，且浮置栅极的顶部两侧具有二对称的转角部。浮置栅极的高度高于选择栅极与虚拟选择栅极的高度，抹除栅极设置于源极区上，且抹除栅极包覆浮置栅极的源极侧的转角部。控制栅极设置于抹除栅极与浮置栅极上。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202111338518.2在审
发明人：郑英琪;黄郁仁;陈信宏 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件以及一种半导体元件的制造方法，所述半导体元件包括基底以及栅极结构。基底具有沟槽。栅极结构设置于沟槽中，且包括遮蔽栅极、控制栅极、第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层。遮蔽栅极包括下部栅极以及上部栅极。下部栅极包括由多个电极组成的阶梯式结构，且多个电极中的一者的宽度随着越远离上部栅极而越小。上部栅极设置于下部栅极上，且上部栅极的宽度小于最靠近上部栅极的下部栅极中的电极的宽度。控制栅极设置于遮蔽栅极上。第一绝缘层设置于遮蔽栅极与基底之间。第二绝缘层设置于遮蔽栅极上，以将遮蔽栅极与控制栅极分隔。第三绝缘层设置于控制栅极与基底之间。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN201680090322.7有效
发明人：清水由幸 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：显示装置(1)具备显示面板(10)、第一栅极驱动电路(11)、第二栅极驱动电路(12)、第一栅极斜坡形成部(21)和第二栅极斜坡形成部(22)。显示面板中，若干个像素(3)配置成矩阵状，在矩阵列方向(Y)上并排设置若干条栅极线(GL)，栅极线(GL)用于选择沿矩阵行方向(X)排列的像素组。第一栅极驱动电路从若干条栅极线各自的一端向各栅极线提供第一栅极驱动信号。第二栅极驱动电路从若干条栅极线各自的另一端向各栅极线提供第二栅极驱动信号。第一栅极斜坡形成部用于形成第一栅极驱动信号的信号波形中作为下降斜坡的栅极斜坡。第二栅极斜坡形成部与第一栅极斜坡形成部彼此独立，用于形成第二栅极驱动信号的栅极斜坡。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201510651452.0有效
发明人：金贤喆;金大焕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置，包括：显示面板、第一和第二栅极驱动IC、定时控制器。显示面板包括：设置有第一栅极线组的第一栅极块和设置有第二栅极线组的第二栅极块。第一栅极驱动IC生成提供至第一栅极线组的第一栅极脉冲。第二栅极驱动IC生成提供至第二栅极线组的第二栅极脉冲。第一栅极驱动IC包括：输出第一电压电平的第一栅极脉冲的第一栅极脉冲发生器，和部分地调制第一栅极脉冲的第一栅极脉冲调制器。第二栅极驱动IC包括：输出第一电压电平的第二栅极脉冲的第二栅极脉冲发生器，和部分地调制第二栅极脉冲的第二栅极脉冲调制器。定时控制器输出用于启用第一栅极脉冲调制器并且禁用第二栅极脉冲调制器的栅极脉冲调制控制信号。
显示装置

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