专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210337785.6在审
  • 黄郁仁;谢竺君;廖修汉 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2023-10-24 - H10B41/30
  • 一种半导体结构的形成方法,包括提供半导体基板,于其上形成多个浮置栅极,以及位于各浮置栅极之间的隔离结构;执行第一刻蚀工艺以凹蚀隔离结构,在各浮置栅极之间形成开口,并露出各浮置栅极的部分侧壁;顺应地形成衬层于开口中;执行离子注入工艺,将掺质注入衬层下方的隔离结构之中;以及执行第二刻蚀工艺,移除衬层以及衬层下方部分的隔离结构,使开口的底部形成渐缩的轮廓。通过本发明实施例的方法,可利用较便利的工艺进行浮置栅极之间的隔离结构的刻蚀,避免露出浮置栅极的底切结构,同时有助于后续的控制栅极的材料的填充。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202111338518.2在审
  • 郑英琪;黄郁仁;陈信宏 - 力晶积成电子制造股份有限公司
  • 2021-11-12 - 2023-05-02 - H01L29/423
  • 本发明公开一种半导体元件以及一种半导体元件的制造方法,所述半导体元件包括基底以及栅极结构。基底具有沟槽。栅极结构设置于沟槽中,且包括遮蔽栅极、控制栅极、第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层。遮蔽栅极包括下部栅极以及上部栅极。下部栅极包括由多个电极组成的阶梯式结构,且多个电极中的一者的宽度随着越远离上部栅极而越小。上部栅极设置于下部栅极上,且上部栅极的宽度小于最靠近上部栅极的下部栅极中的电极的宽度。控制栅极设置于遮蔽栅极上。第一绝缘层设置于遮蔽栅极与基底之间。第二绝缘层设置于遮蔽栅极上,以将遮蔽栅极与控制栅极分隔。第三绝缘层设置于控制栅极与基底之间。
  • 半导体元件及其制造方法

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