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[发明专利]一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件-CN201510037402.3有效
发明人：王源;张立忠;陆光易;曹健;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，尤其涉及一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件。该静电放电保护器件包括P型衬底、n个N型阱区以及栅控PIN结，其中，n为常数；n个N型阱区以及栅控PIN结形成于P型衬底上；n个N型阱区连接有输入端，栅控PIN结设置于n个N型阱区连接输入端的一侧；第二N+掺杂区形成于栅控PIN结与n个N型阱区之间，第一N+掺杂区形成于栅控PIN结的另一侧，第一P+掺杂区形成于第一N+掺杂区之上；n个N型阱区中P+掺杂区与N+掺杂区具有相同的相对位置关系。本发明提供的二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件在不增加漏电的基础上，能够有效调节触发电压以满足不同I/O的需求。
一种二极管触发 pin 静电放电保护器件

[发明专利]一种混合型载流子控制器件-CN202210451520.9有效
发明人：汪志刚;李雪;黄孝兵 -专利权人：强华时代（成都）科技有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合型载流子控制器件，属于功率半导体技术领域。包括主要工作单元以及至少一个耗尽型PMOS结构；所述主要工作单元和所述耗尽型PMOS结构分别设置在MOS栅控晶闸管两端；所述主要工作单元包括栅控区以及晶闸管区，所述栅控区、耗尽型PMOS区以及晶闸管区从上而下设置，各所述耗尽型PMOS结构以相邻的形式并列设置。本发明解决了现有栅控晶闸管导通压降与关断损耗折衷关系差、抗电磁干扰能力弱、实用性差的问题。
一种混合载流子控制器件

[发明专利]一种Ω型顶栅结构的鳍式场效应晶体管及其制备方法-CN201610756154.2在审
发明人：黎明;陈珙;张嘉阳;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种Ω型顶栅结构的鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明将矩形顶栅改为Ω型顶栅，由于Ω型栅结构的栅控能力接近围栅结构，因此Ω型顶栅FinFET对于Fin上1/3处的栅控能力必定大于矩形顶栅FinFET，这使得Ω型顶栅FinFET泄露电流会较传统FinFET更小；且Ω型顶栅FinFET的Fin上1/3处的沟道截面积并未有减小。本发明与传统的鳍型场效应晶体管相比，可获得较高的开态电流。且本发明与传统集成电路制造技术相兼容、工艺简单、成本代价小。
一种型顶栅结构场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件-CN201910803499.2有效
发明人：陈伟中;李顺;黄垚;黄义;张宏升;贺利军;周通;高广;李心纪 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有栅控集电极的SA‑LIGBT器件，属于电子器件领域。该器件从左至右包括设置的发射极、栅极、N型漂移区、栅控集电极区域。栅控集电极区域从左至右包括N‑buffer Ⅰ缓冲层、P‑collector、N‑buffer Ⅱ缓冲层、P型电子阻挡层P‑base和N‑collector。P型电子阻挡层P‑base和N‑collector下方为横向的槽型栅。正向导通时，P型电子阻挡层P‑base可以阻挡电子流向N‑collector，增加集电极短路电阻。通过调节P型电子阻挡层P‑base的长度和浓度，可以调节集电极短路电阻，消除snapback效应。关断时，P型电子阻挡层会在栅控电压下反型成N型，形成电子通道，提高载流子抽取效率从而有效减少器件的关断时间。
一种具有集电极 sa ligbt 器件

[发明专利]一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法-CN201210001500.8有效
发明人：王鹏飞;刘晓勇;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法。本发明中，当浮栅电压较高时，浮栅下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过浮栅实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构；而浮栅内的电荷多少又决定了这个器件的阈值电压，从而实现了存储器的功能。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗。本发明通过低温工艺生产，特别适用于基于柔性衬底的半导体器件以及平板显示、浮栅存储器等器件的制造中。
一种二极管半导体存储器器件制造方法

[发明专利]一种具有双栅的RC-IGBT-CN202211453932.2在审
发明人：伍伟;喻明康;高崇兵 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双栅的RC‑IGBT，该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，在集电极区增加副控沟槽栅，并向背面注入结构添加P型集电极基区，且N+集电极区不与N型缓冲区直接相连，而是当副控栅开启电子沟道时与缓冲区相连当主控栅打开、副控栅关闭时，器件正向导通，此时器件不会有单极导通状态，从而消除常规RC‑IGBT固有的snapback现象。当主控栅与副控栅同时关闭时，器件工作在阻断状态，此时器件不仅可以正向阻断，也可反向阻断。当主控栅关闭、副控栅打开时，器件反向导通，此时电流均匀分布，反向导通压降减小，二极管特性得到显著优化。
一种具有 rc igbt

[发明专利]一种使用SiGe源极的栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法-CN201010132082.7无效
发明人：臧松干;王鹏飞;丁士进;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管。一方面，窄禁带宽度的源极材料使得栅控PNPN场效应晶体管的驱动电流上升；另一方面，凹陷型的沟道结构抑制了栅控PNPN场效应晶体管漏电流的增加。同时，本发明还提出了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管的制造方法。
一种使用 sige pnpn 场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]电压型栅控器件的驱动电路-CN201310071446.9在审
发明人：谭啸;彭茜;单洪刚;王磊;谢家祥;刘华 -专利权人：北京北广科技股份有限公司
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明提供了一种电压型栅控器件的驱动电路。该电压型栅控器件的驱动电路包括：传感器接口，用于采集电压型栅控器件的工作信号；脉冲信号接口，用于接收外部控制电路产生的单极性脉冲信号；数字保护电路，与传感器接口和脉冲信号接口分别连接，用于按照工作信号和单极性脉冲信号生成驱动信号；集成驱动核，与数字保护电路连接，用于将驱动信号转换为电压型栅控器件的控制信号。
电压型栅控器件驱动电路

[实用新型]电压型栅控器件的驱动电路-CN201320102464.4有效
发明人：谭啸;彭茜;单洪刚;王磊;谢家祥;刘华 -专利权人：北京北广科技股份有限公司
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电压型栅控器件的驱动电路。该电压型栅控器件的驱动电路包括：传感器接口，用于采集电压型栅控器件的工作信号；脉冲信号接口，用于接收外部控制电路产生的单极性脉冲信号；数字保护电路，与传感器接口和脉冲信号接口分别连接，用于按照工作信号和单极性脉冲信号生成驱动信号；集成驱动核，与数字保护电路连接，用于将驱动信号转换为电压型栅控器件的控制信号。
电压型栅控器件驱动电路

[发明专利]一种栅约束硅控整流器ESD器件及其实现方法-CN201910809013.6有效
发明人：朱天志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅约束硅控整流器ESD器件及其实现方法，通过将现有栅约束硅控整流器ESD器件的肖特基结去掉，于高浓度N型掺杂(24)与第二浮栅(50)之间插入低浓度P型轻掺杂(22)，并于所述低浓度P型轻掺杂(22)上表面形成金属硅化物，与所述高浓度N型掺杂(24)一并连接至所述栅约束硅控整流器ESD器件的阴极，本发明可在提升维持电压的同时，简化制造工艺，降低因引入肖特基结的界面缺陷，并降低其接触电阻。
一种约束整流器 esd 器件及其实现方法

[发明专利]一种栅约束硅控整流器及其实现方法-CN202011024051.X在审
发明人：朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅约束硅控整流器及其实现方法，将现有的新型栅约束硅控整流器中第二P型栅极(50)覆盖P阱的部分去掉，保留其覆盖N阱的部分，并将该第二P型栅极(50)和高浓度P型掺杂(20)相连并引出电极构成所述栅约束硅控整流器的阳极
一种约束整流器及其实现方法

[发明专利]一种低栅泄漏电流的增强型GaN HEMTs及其制备方法-CN202310001098.1在审
发明人：胡壮壮;王登贵;周建军;孔岑;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种低栅泄漏电流的增强型GaN HEMTs及其制备方法，所述GaN HEMTs包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源接触电极、漏接触电极、基于p‑GaN的自对准T型栅控结构和钝化层，基于p‑GaN的自对准T型栅控结构包括P‑GaN帽层、栅钝化层和栅极金属；缓冲层、沟道层、势垒层和P‑GaN帽层自下而上依次设置在衬底上，源接触电极和漏接触电极均设置在势垒层的部分上表面，且分别位于基于p‑GaN的自对准T型栅控结构的两侧，栅极金属设置在P‑GaN帽层的部分上表面，栅钝化层设置在P‑GaN帽层剩余部分上表面和势垒层剩余部分上表面，钝化层设置在栅钝化层的上表面。本发明不仅能够有效减小正向高栅压下的栅泄露电流，同时有效规避额外栅电容的引入，获得高可靠性的栅极结构。
一种泄漏电流增强 gan hemts 及其制备方法

[发明专利]一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法-CN202210949239.8在审
发明人：刘超;汪淳朋;杨超;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法。本发明中的一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法，在进行结终端场限环注入的同时，在元胞区注入形成P+区，等效增加了器件反向导通时PN结的P区浓度，减小了器件反向的反向导通压降。本发明的一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法，能够与现有MOS栅控晶闸管工艺相兼容。本发明的有益效果为：在牺牲器件部分正向导通能力的基础上，大幅提升了器件的反向导通能力。
一种逆导型 mos 晶闸管制造方法

[发明专利]一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制造方法-CN202111020893.2有效
发明人：刘超;汪淳朋;杨超;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明中的一种逆导型MOS栅控晶闸管，主要是通过缩短常规RC‑MCT器件的FS层宽度，增大P型阳极区上方的电阻，从而减小器件正向导通过程中的回跳电压，改善器件正向导通过程中的snapback效应；本发明中的一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法，能够与现有MOS栅控晶闸管工艺相兼容。
一种逆导型 mos 晶闸管及其制造方法

[发明专利]栅控二极管半导体存储器器件的制备方法-CN201210001549.3有效
发明人：王鹏飞;曹成伟;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/8254 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制备方法。本发明中，当浮栅电压较高时，浮栅下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过浮栅实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构浮栅内的电荷多少又决定了这个器件的阈值电压，从而实现了存储器的功能。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，特别适用于基于柔性衬底的存储器器件以及平板显示、浮栅存储器等器件的制造中。
二极管半导体存储器器件制备方法

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