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- [发明专利]硅控整流器及其制造方法-CN201911186720.0有效
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朱天志
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上海华力微电子有限公司
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2019-11-28
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2023-09-19
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H01L29/06
- 本发明提供硅控整流器及其制作方法包括半导体衬底；依次相邻的第一N阱、P阱、第二N阱；第一/第二高浓度P型掺杂、第一/第二高浓度N型掺杂位于第一/第二N阱上部；第三高浓度P型掺杂位于P阱上部；第一/第二高浓度N型掺杂和第三高浓度P型掺杂之间的第一/第二N阱上方设有第一/第二栅极；第一/第二高浓度P型掺杂、第一/第二高浓度N型掺杂和第一/第二栅极连接构成第一/第二器件极。据此，第一/第二器件极连接正/负高压的输入输出端，均形成PNPN通道而不存在导通状况，在应用的电路实现了可同时适用于正负高压的双向的防静电保护功能，且具有较好的漏电性能。
- 整流器及其制造方法
- [发明专利]一种栅控P-i-N二极管及其制造方法-CN201910763000.X有效
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朱天志
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上海华力微电子有限公司
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2019-08-19
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2023-06-09
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H01L29/06
- 本发明提供一种栅控P‑i‑N二极管及其制造方法，提供衬底、位于该衬底上的氧化硅绝缘层和位于氧化硅绝缘层之上的体硅；在体硅中形成N阱；在N阱中形成浅沟道隔离区；在N阱的两侧分别形成N型重掺杂区和P型重掺杂区；在N阱的上方形成栅极。本发明的栅控P‑i‑N二极管由于电子在N阱中为多数载流子，N阱中电子因栅极上施加高电压时的大量累积在N阱上表面可以提升栅控P‑i‑N二极管的反向击穿电流；从而提升该器件充当防静电保护器件时的二次击穿电流。N型多晶硅栅极部分覆盖N阱,N型多晶硅栅极与阴极存在一定的距离，调节N型多晶硅栅极与阴极之间的距离可以调节栅控P‑i‑N二极管的触发电压。
- 一种二极管及其制造方法
- [发明专利]防静电保护结构及高压集成电路-CN202111244706.9在审
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朱天志
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上海华力微电子有限公司
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2021-10-26
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2022-03-01
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H01L27/02
- 本发明公开了一种防静电保护结构，其包括形成在衬底中的N阱及P阱；N阱及P阱上部及中部由STI隔断，下部邻接；N阱的上部贴STI注入P型重掺杂形成N阱P重掺杂区；N阱的上部远离STI处注入N型重掺杂形成N阱N重掺杂区；P阱的上部贴STI注入P型重掺杂形成P阱P重掺杂区；N阱P重掺杂区同N阱N重掺杂区短接构成该防静电保护结构的阳极；P阱P重掺杂区作为该防静电保护结构的阴极。本发明的防静电保护结构,能实现无回滞效应，且容易取得较高的触发电压和维持电压，具有较高的二次击穿电流，应用于高压端口防静电保护设计时，能节省多级串联所需的串联级数和单级保护单元的版图面积。本发明还公开了一种高压集成电路。
- 静电保护结构高压集成电路
- [发明专利]NMOS管触发双向硅控整流器-CN202111153440.7在审
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朱天志
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上海华力微电子有限公司
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2021-09-29
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2022-01-11
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H01L27/02
- 本发明提供了一种NMOS管触发双向硅控整流器，包括：衬底；第一N阱、P阱及第二N阱，从左至右依次排列于所述衬底上方；第一NMOS管，包括N型栅极及位于所述N型栅极两侧的N型源/漏区；两个P型掺杂区，分别位于所述第一N阱和所述第二N阱中；静电脉冲侦测电路，具有控制端口及两个电压端口，每个所述电压端口分别与对应的所述N型源/漏区及对应的所述P型掺杂区电性连接，所述控制端口与所述N型栅极电性连接以向所述N型栅极输出控制电压控制所述第一NMOS管的通断；本发明降低了双向硅控整流器的触发电压，提高了其适用性。
- nmos触发双向整流器
- [发明专利]PMOS管触发双向硅控整流器-CN202111151124.6在审
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朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华
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上海华力微电子有限公司
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2021-09-29
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2022-01-07
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H01L27/02
- 本发明提供了一种PMOS管触发双向硅控整流器，包括：衬底；深N阱，位于所述衬底上方；第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱及第三N阱，从左至右依次排列于所述深N阱上方；第一PMOS管，包括P型栅极及位于所述P型栅极两侧的P型源/漏区；两个N型掺杂区，分别位于所述第一P阱和所述第二P阱中；具有PMOS管的静电脉冲侦测电路，具有控制端口及两个电压端口，每个所述电压端口分别与对应的所述P型源/漏区及对应的所述N型掺杂区电性连接，所述控制端口与所述P型栅极电性连接以向所述P型栅极输出控制电压控制所述第一PMOS管的通断；本发明降低了双向硅控整流器的触发电压，提高了其适用性。
- pmos触发双向整流器
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