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[发明专利]一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件-CN202011234410.4有效
发明人：刘斯扬;张弛;辛树轩;李胜;钱乐;葛晨;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-11-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件，包括：衬底、成核层、漂移区、沟道层、势垒层、第一p型氮化镓帽层、金属源电极、金属漏电极，所述第一p型氮化镓帽层上表面设有第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层、肖特基接触型金属栅电极，同时第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层上表面设有欧姆接触型金属栅电极，肖特基接触型金属栅电极与欧姆接触型金属栅电极侧壁直接接触。本发明在低栅压下可以有效消除电荷存储现象，保证了器件在重复开关工作条件下具有较高的阈值稳定性；在高栅压下可以降低器件的栅漏电，保证器件在高栅压下具有长期稳定的工作状态。
一种具有阈值稳定性氮化功率半导体器件

[发明专利]4H-SiC金属半导体场效应晶体管-CN201410181931.6有效
发明人：贾护军;裴晓延;孙哲霖 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：其结构自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)表面有源极帽层(5)和漏极帽层(6)，源极帽层(5)和漏极帽层(6)表面分别是源电极(10)和漏电极(11)，N型沟道层(3)上方且靠近源极帽层(5)的一侧形成栅电极(4)，栅电极(4)与源极帽层(5)之间形成凹陷栅源漂移区(9)，栅电极(4)与漏极帽层(6)之间形成凹陷栅漏漂移区(7)，在凹陷栅漏漂移区
sic 金属半导体场效应晶体管

[发明专利]降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法-CN201110340567.X有效
发明人：黄俊;魏珂;刘果果;樊捷;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，包括：提供基底，基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的钝化层材料，以在所述钝化层表面内形成栅槽图形，所述预设厚度小于钝化层的厚度；采用帽层刻蚀粒子刻蚀上方剩余厚度的钝化层材料以及栅槽区域的帽层材料，以在所述钝化层和所述帽层表面内形成HEMT器件的栅槽。本发明实施例剩余厚度的钝化层材料阻止了钝化层刻蚀粒子对帽层材料的刻蚀，降低的栅槽刻蚀损伤，提高了HEMT器件电性和良率。
降低 hemt 器件刻蚀损伤方法

[发明专利]栅极结构和栅极结构制作方法-CN201910805405.5在审
发明人：李成果;陈志涛;任远;曾巧玉 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：其中，栅极结构包括沟道层、势垒层、高阻帽层、P型帽层和栅电极层。势垒层制作于沟道层的一面，高阻帽层制作于势垒层远离沟道层的一面，栅电极层制作于高阻帽层远离P型帽层的一面。沟道层和势垒层在相邻的界面处形成二维电子气，高阻帽层用于减小栅电极层的泄漏电流。通过上述设置，可以减小栅电极层的泄漏电流、提高器件可靠性。
栅电极层沟道层势垒层高阻帽层栅极结构泄漏电流制作减小二维电子气器件可靠性微电子器件界面处申请

[发明专利]一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管-CN201810952687.7有效
发明人：贾护军;仝宜波;李涛;朱顺威;胡梅;赵玥阳;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有栅下局部低掺杂的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面设有源电极，漏极帽层表面设有漏电极，所述N型沟道层沟道底部且靠近源极帽层的一侧设有栅电极，在N型沟道层底部且位于栅电极下方设有与栅电极中心对称的低掺杂层，栅电极的底部与低掺杂层上端紧密接触。
一种具有局部掺杂 sic 金属半导体场效应晶体管

[发明专利]HEMT器件及其制造方法-CN201110364028.X有效
发明人：刘果果;魏珂;黄俊;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种可用于Ka波段或更高频段的HEMT器件及其制造方法，该方法包括：提供包括衬底、缓冲层、外延层、帽层、源极、漏极和钝化层的基底；在基底表面内形成穿过钝化层、帽层并深入到外延层表面内的栅槽；在栅槽底面上形成T型栅，T型栅的栅脚边缘与栅槽侧壁具有一定间距，栅帽下表面高于钝化层上表面且与钝化层上表面具有一定间距。本发明实施例中由于T型栅的栅脚和栅帽均未与钝化层的介质直接接触，而是保留了一定间隔，从而在根本上降低甚至消除了栅与介质之间产生的寄生电容，减小了器件的栅源电容和栅漏电容，增大了器件的截止频率和最高振荡频率
hemt 器件及其制造方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201310224047.1在审
发明人：韩秋华;孟晓莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，衬底具有第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区的类型相反；在衬底上形成具有第一伪栅沟槽和第二伪栅沟槽的层间介质层，第一伪栅沟槽位于第一有源区，第二伪栅沟槽位于第二有源区；形成栅介质层，栅介质层覆盖层间介质层、第一伪栅沟槽的侧壁和底部、第二伪栅沟槽的侧壁和底部；在栅介质层上形成功函数层、位于功函数层上的帽层；形成图形化的光刻胶层；刻蚀去除第二伪栅沟槽中的功函数层和帽层；去除图形化的光刻胶层，之后，刻蚀去除层间介质层上、第一伪栅沟槽中的帽层；在第一伪栅沟槽中形成栅极。帽层用于避免去除图形化的光刻胶层时功函数层遭到损伤，保证功函数层的完整性。
晶体管形成方法

[发明专利]具有栅边缘漏侧部分轻掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管-CN201811324344.2有效
发明人：贾护军;李涛;仝宜波;朱顺威;胡梅;赵玥阳;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了具有栅边缘漏侧部分轻掺杂的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的上表面两侧设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层上表面设有源电极，漏极帽层上表面设有漏电极，N型沟道层底部且靠近源极帽层的一侧设有栅电极，在N型沟道层底部且位于部分栅电极的栅下和部分栅漏间形成轻掺杂区，轻掺杂区以栅电极漏侧的栅边缘的垂线为对称轴呈轴对称结构。本发明能够缓解栅边缘漏侧的电场集中效应，以优化栅边缘漏侧的电场和电流，从而抑制击穿；能够缓解热电子充电效应，以减少界面态的产生，抑制器件性能的衰退，从而提高器件的寿命。
具有边缘部分掺杂 sic 金属半导体场效应晶体管

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201310611805.5在审
发明人：周祖源 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成界面层；在所述界面层上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成帽盖层；在所述帽盖层上形成金属栅极；在形成帽盖层之后，对所述界面层和所述高K栅介质层进行无氧致密化处理。所述形成方法先在半导体衬底上形成界面层，在界面层上形成高K栅介质层，在高K栅介质层上形成帽盖层，之后，再对界面层和高K栅介质层进行无氧致密化处理，由于形成了帽盖层，帽盖层可以在无氧致密化处理过程中对高K栅介质层进行保护，防止环境中微量的氧气对界面层和高K栅介质层的氧化作用，从而防止后续形成的晶体管器件阈值电压发生漂移，提高了晶体管的性能。
晶体管形成方法

[发明专利]一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管-CN201610255961.6有效
发明人：贾护军;马培苗;杨志辉;柴常春 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，栅电极在N型沟道左侧、右侧、中间分别形成左沟道凹陷区、右沟道凹陷区、中间沟道凹陷区，所述沟道表面和栅电极之间形成左高栅区域和右高栅区域。
一种具有双高栅 sic 金属半导体场效应晶体管

[发明专利]具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法-CN201510223664.9有效
发明人：贾护军;张航;邢鼎;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于场效应晶体管技术领域，旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方案为：自上而下设置有4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层的表面分别设置有源电极和漏电极，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有阶梯状的栅电极，栅电极和N型沟道层两侧形成左侧沟道和右侧沟道，栅电极的低栅面与N型沟道层表面平齐，栅电极低栅面正下方的P型缓冲层上设置有凹槽。
栅电极场效应晶体管凹陷漏极帽层源极帽层缓冲层低栅沟道制备表面平齐击穿电压频率特性输出电流半绝缘阶梯状靠近源宽沟道漏电极源电极衬底极帽

[发明专利]一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件-CN202210643562.2在审
发明人：李胜;刘梦丽;张弛;马岩锋;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应
一种集成反馈控制结构氮化功率半导体器件

[发明专利]基于P型帽层低膝点电压的增强型AlGaN/GaN HEMT器件及方法-CN202210157686.X在审
发明人：陆海;杜永浩;徐尉宗;巩贺贺;任芳芳;叶建东;周东 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于P型帽层低膝点电压的增强型AlGaN/GaN HEMT器件及方法。其器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN中间层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上方设有电子气恢复层，电子气恢复层上刻蚀或者腐蚀出源极区域、漏极区域以及栅极区域，栅极区域位于源极区域和漏极区域之间，其中，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅区P型帽层和栅电极，栅电极位于栅区P型帽层上方。本发明在AlGaN势垒层上沉积兼容剥离工艺无刻蚀损伤的P型帽层，使栅区P型帽层和栅电极同步成型，并且在耗尽沟道电子实现增强型工作的同时，改变沟道的电场分布，促进器件膝点电压的降低。
基于型帽层低膝点电压增强 algan gan hemt 器件方法

[发明专利]一种低栅泄漏电流的增强型GaN HEMTs及其制备方法-CN202310001098.1在审
发明人：胡壮壮;王登贵;周建军;孔岑;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种低栅泄漏电流的增强型GaN HEMTs及其制备方法，所述GaN HEMTs包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源接触电极、漏接触电极、基于p‑GaN的自对准T型栅控结构和钝化层，基于p‑GaN的自对准T型栅控结构包括P‑GaN帽层、栅钝化层和栅极金属；缓冲层、沟道层、势垒层和P‑GaN帽层自下而上依次设置在衬底上，源接触电极和漏接触电极均设置在势垒层的部分上表面，且分别位于基于p‑GaN的自对准T型栅控结构的两侧，栅极金属设置在P‑GaN帽层的部分上表面，栅钝化层设置在P‑GaN帽层剩余部分上表面和势垒层剩余部分上表面，钝化层设置在栅钝化层的上表面。本发明不仅能够有效减小正向高栅压下的栅泄露电流，同时有效规避额外栅电容的引入，获得高可靠性的栅极结构。
一种泄漏电流增强 gan hemts 及其制备方法

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的制备方法-CN201410283229.0有效
发明人：李海鸥;周佳辉;闭斌双;林子曾 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的制备方法，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效应晶体管；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；栅介质Al2O3填充在栅槽内，并与InGaP势垒层接触。上述栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。本发明具有隔离度高、功率容量大、插入损耗低和易于实现的特点。
金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件制备方法