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[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202110148858.2有效
发明人：黄洪云 -专利权人：成都市克莱微波科技有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一硬掩膜层；刻蚀第一硬掩膜层留下中心区域后向源极、漏极注入离子；在第一硬掩膜层外沿沉积第二硬掩膜层；在第一硬掩膜层中心区域上刻蚀一孔结构，并腐蚀该孔结构对应位置的衬底钝化层；在孔内及第一硬掩膜层、第二硬掩膜层上进行金属沉积；刻蚀第一硬掩膜层和第二硬掩膜层上部分金属形成栅帽结构后腐蚀掉硬掩膜层；遮挡栅帽结构并露出源极、漏极的金属区；在金属区沉积金属，去掉栅帽结构的遮挡。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]在金属镶嵌栅极工艺中形成自对准接触焊盘的方法-CN01110990.4有效
发明人：禹亨洙;李圭现;郑泰荣;金奇南;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2001-03-09 - 公布日： 2001-10-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一种具有低电阻同时能够形成自对准接触焊盘的金属镶嵌栅电极。具有间隔层和间隔层限定的沟槽的绝缘体提供在半导体衬底上。杂质注入到由沟槽露出的半导体衬底内,形成沟道区。沟槽由导电材料部分地填充形成凹陷的栅电极。沟槽的其余部分由相对于绝缘层有腐蚀选择性的绝缘体填充,形成覆盖栅电极和间隔层的帽盖层。因此,帽盖层作为随后自对准接触工艺中的腐蚀中止层。
金属镶嵌栅极工艺形成对准接触方法

[实用新型]一种带分布功能的分布器支撑栅-CN201220589073.5有效
发明人：雷华 -专利权人：湖北力拓能源化工装备有限公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： B01D3/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种支撑栅，具体涉及一种带分布功能的分布器支撑栅。它由支撑栅本体构成，支撑栅本体为一长条槽体，其截面呈梯形，支撑栅本体的下端口两侧分别设置有翼缘，支撑栅本体的两端及两侧和顶部的槽体上分别设置有多排喷射孔，支撑栅本体两侧中间部位的喷射孔上设置有档液帽。本实用新型通过支撑栅本体两侧喷射孔上设置的档液帽，可避免液体在进入填料层时顺喷射孔下流的情况，从而使液体得以均匀分布，进而提高气液传质的效果，解决了现有填料支撑栅不具备气液分布的功能，造成液体在进入填料层时的分布点有限
一种分布功能支撑

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310415910.5在审
发明人：王志豪;谌俊元;苏焕杰;王圣璁;张罗衡;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成FET结构，该FET结构包括垂直地布置在底部鳍结构上方的多个半导体片、环绕多个半导体片中的每个半导体片的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的栅电极以及源极/漏极结构在栅电极上方形成栅极帽导电层，用介电鳍结构替换底部鳍结构，在介电鳍结构的相对侧上形成间隔件，通过使用介电鳍结构和间隔件作为蚀刻掩模蚀刻栅电极直到暴露栅极帽导电层来形成沟槽，以及用第一介电材料填充沟槽。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202011452266.1有效
发明人：薛军帅;刘芳;张进成;郝跃;李蓝星;孙志鹏;张赫朋;杨雪妍;姚佳佳 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：其自下而上包括衬底、成核层、GaN沟道层、AlN插入层和ScAlN势垒层，该插入层与势垒层之间设有InAlN帽层；该势垒层上部依次设有势垒保护层和绝缘栅介质层，该InAlN帽层至绝缘栅介质层的两侧设有制作源该结构中的成核层、GaN沟道层、AlN插入层和InAlN帽层采用MOCVD生长；ScAlN势垒层和势垒保护层采用MBE生长。
scaln gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]YAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110005872.7有效
发明人：薛军帅;孙志鹏;李蓝星;张赫朋;杨雪妍;姚佳佳;刘芳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：其自下而上包括衬底、成核层、GaN沟道层、AlN插入层和YAlN势垒层，该插入层与势垒层之间设有InAlN帽层；该势垒层上部依次设有势垒保护层和绝缘栅介质层，该InAlN帽层至绝缘栅介质层的两侧设有制作源该结构中的成核层、GaN沟道层、AlN插入层和InAlN帽层采用MOCVD生长；YAlN势垒层和势垒保护层采用MBE生长。
yaln gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种阈值电压稳定的p-GaN栅增强型HEMTs器件的制备方法-CN202110758696.4在审
发明人：李祥东;刘苏杭;韩占飞;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供的一种阈值电压稳定的p‑GaN栅增强型HEMTs器件的制备方法，在p型栅增强型HEMTs制造方法基础上进行改进，通过在p‑GaN帽层上外延一层SiN钝化层以引入氢元素对p‑GaN中的缺陷态进行钝化，得到具有较高阈值电压稳定性的p‑GaN栅增强型HEMTs，使得p‑GaN栅增强型GaNHEMTs在高压高频工作时其阈值电压不发生漂移。
一种阈值电压稳定 gan 增强 hemts 器件制备方法

[发明专利]HEMT器件及其制备方法-CN201810461440.5有效
发明人：马晓华;郝跃;陈丽香;祝杰杰;刘捷龙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种HEMT器件及其制备方法，包括：S101、选取外延基片；所述外延基片由下往上依次包括衬底、成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；S102、在所述GaN缓冲层上制作源电极和漏电极；S103、在所述源电极、所述漏电极和所述GaN帽层上依次生长SiN层和有机物层形成钝化层；S104、在所述有机物层和所述GaN帽层上生长栅介质层；S105、制备栅电极和金属互联层以完成所述HEMT器件的制备本发明提供的HEMT器件及其制备方法在生长SiN层再生长一层BCB有机物层，使器件具有低的吸湿性和优异的应力行为和良好的金属黏附性，可以提高器件可靠性。
hemt 器件及其制备方法

[发明专利]弧形栅-漏复合场板电流孔径异质结器件-CN201710197666.4有效
发明人：毛维;王海永;彭紫玲;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种弧形栅‑漏复合场板电流孔径异质结器件，其自下而上包括：肖特基漏极(13)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个二级阶梯结构的电流阻挡层(4)、孔径(5)、沟道层(6)、势垒层(7)、帽层(8)与栅极(10)，该帽层的两侧刻有台阶(9)，沟道层和势垒层的两侧刻有源槽(11)，源槽中淀积有源极(12)，在肖特基漏极底部以外的区域覆盖有钝化层(14)，钝化层左右两边的上部和背面分别刻有弧形台阶，弧形台阶上淀积有金属，形成弧形栅场板(15)和弧形漏场板(16)，弧形栅场板和弧形漏场板分别与栅极和肖特基漏极电气连接。
弧形复合电流孔径异质结器件

[发明专利]一种P型氮化物增强型HEMT器件及其制备方法-CN202210721922.6在审
发明人：刘志宏;徐美;冯时;李凯;危虎;周瑾;李祥东;冯欣;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种P型氮化物增强型HEMT器件及其制备方法，用传统制备方法淀积氮化镓帽层并进行Mg杂质掺杂后，不再进一步刻蚀掉非栅极下的氮化物帽层，而是继续经过淀积刻蚀形成一层n型掺杂的GaN保护层，然后再对栅极下方的氮化镓帽层进行退火，使得Mg杂质被激活，形成P型氮化物帽层。栅电极下方激活的原Mg掺杂氮化物帽层耗尽了栅下沟道中的二维电子气，提高了器件的阈值电压，实现增强型器件。同常规P型氮化物增强型HEMT器件采用的干法刻蚀工艺相比，该制备方法避免制作时的干法刻蚀步骤，减少了刻蚀对势垒层表面的损伤，极少了表面态引起的动态电阻退化和可靠性退化；增大了产品的片内均匀性和批次重复性
一种氮化物增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管的制备方法-CN201610255963.5在审
发明人：贾护军;杨志辉;马培苗;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：4H‑SiC金半场效应管的制备方法；旨在提供能够提高输出电流和器件跨导，改善频率特性的一种具有部分高浓度掺杂沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管；采用的技术方案为：在4H‑SiC半绝缘衬底上形成P型缓冲层；在P型缓冲层上形成N型沟道层；N型沟道层形成N⁺型帽层；在N⁺型帽层上形成隔离区和有源区；对有源区加工形成源电极和漏电极；对源电极和漏电极之间的N⁺型帽层进行加工，形成凹沟道区域；对凹沟道区域正下方区域进行重掺杂；对源电极和漏电极之间的凹沟道进行加工，形成栅区域；对栅区域进行加工，形成栅区域；对所形成的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管表面进行加工
一种具有部分掺杂沟道 sic 半场效应制备方法

[发明专利]控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法-CN200910089597.0有效
发明人：王文武;朱慧珑;陈世杰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在CMOS器件栅叠层中的高k栅介质层内部插入一层极薄多晶硅层或者非晶硅层或者SiO2层，利用该极薄帽层在高k栅介质层内部形成的界面偶极子来调节器件的阈值电压。
控制阈值电压特性 cmosfets 器件结构及其制造方法

[发明专利]应变GeOI结构及其形成方法-CN201110058370.7有效
发明人：王敬;许军;郭磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种应变GeOI结构，包括：表面具有氧化物绝缘层的硅衬底；形成在所述氧化物绝缘层之上的Ge层，其中，Ge层与所述氧化物绝缘层之间形成有第一钝化薄层；形成在所述Ge层之上的栅堆叠，以及形成在所述栅堆叠之下的沟道区和沟道区两侧的漏区和源区；和覆盖所述栅堆叠的SiN应力帽层以使所述沟道区产生应变。在本发明实施例中锶锗化物或钡锗化物形成的钝化薄层属于半导体，在本发明实施例中通过第一钝化层可以改善Ge材料与绝缘氧化物之间的界面态问题，从而降低该界面处的漏电和散射。此外，通过本发明实施例的SiN应力帽层可以使沟道区产生应变，从而提高器件性能。
应变 geoi 结构及其形成方法

[发明专利]双渐变沟道结构HEMT射频器件及其制备方法-CN202110170407.9有效
发明人：孙慧卿;丁霄;王鹏霖;黄志辉;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及双渐变沟道结构HEMT射频器件及其制备方法，包括依次层叠于衬底上的第一GaN层、第一Al组分渐变AlGaN层、第二GaN层、第二Al组分渐变AlGaN层以及GaN帽层，其中，柱状凹槽分别沿GaN帽层两端延伸至第一GaN层中一定深度，n型GaN柱分别设置于柱状凹槽中；漏极和源极分别设置于n型GaN柱的表面，T型栅极设置于GaN帽层的表面。该结构中GaN柱连接渐变AlGaN层与GaN层形成三维电子气，将渐变层变为渐变沟道，调节电场的分布，提高了器件的击穿电压和截止频率，该双沟道使得源栅和栅漏之间的通道电阻减小，从而提高器件的跨导和截止频率线性度
渐变沟道结构 hemt 射频器件及其制备方法

[实用新型]半导体装置-CN201420084985.6有效
发明人：鸟羽功一;茶木原启;川岛祥之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型的半导体装置具有：第1层叠膜，隔着第1栅极绝缘膜形成在半导体基板上，包含第1选择栅电极及第1帽绝缘膜；第1存储器栅电极，隔着第2栅极绝缘膜而与第1选择栅电极的在第1方向延伸的第1侧壁相反侧的第2侧壁邻接，第1存储器栅电极在第1方向延伸；第1供电部，是第1方向中第1选择栅电极端部，在平面视图中第1供电部从第1帽绝缘膜露出；第1栓，与第1供电部的上表面连接，第1存储器栅电极相比于平面视图中第1供电部及第1帽绝缘膜之间边界更靠第1帽绝缘膜侧终止。
半导体装置

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