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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体制造的微影方法-CN201310225879.5无效
发明人：陈桂顺;林进祥;鲁定中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体制造的微影方法，包括进行一高精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上，以及进行一低精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上。第一曝光制程形成包括主动图案及虚设图案的图案。第二曝光制程去除虚设图案，借以形成主动图案于基材层上。该曝光制程可在任一步骤中完成，并且可包含额外曝光制程。该高精密微影制程可以是湿浸式微影制程，而该低精密微影制程可以是干式微影制程。此形成图案于基材上的方法可应用于制造更高密度的集成（积体）电路。
半导体制造方法

[发明专利]高硬度低摩擦系数的保护镀膜-CN202010912725.3在审
发明人：吴宗丰;蔡宇砚;李文亮;游辉桓;周冠廷 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明之高硬度低摩擦系数的保护镀膜具有良好抗摩耗性、低摩擦系数，是以能够被应用在光电及半导体产业的黄光曝光制程的光罩传送盒中，例如：深紫外(DUV)曝光制程、极紫外(EUV)曝光制程、沉浸式曝光制程、多重曝光制程，该保护镀膜用于保护上述任一种黄光曝光应用之光罩传送盒并确保黄光制程之良率。
硬度摩擦系数保护镀膜

[实用新型]高硬度低摩擦系数的保护镀膜-CN202021893942.4有效
发明人：吴宗丰;蔡宇砚;李文亮;游辉桓;周冠廷 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本实用新型之高硬度低摩擦系数的保护镀膜具有良好抗摩耗性、低摩擦系数，是以能够被应用在光电及半导体产业的黄光曝光制程的光罩传送盒中，例如：深紫外(DUV)曝光制程、极紫外(EUV)曝光制程、沉浸式曝光制程、多重曝光制程，该保护镀膜用于保护上述任一种黄光曝光应用之光罩传送盒并确保黄光制程之良率。
硬度摩擦系数保护镀膜

[实用新型]防污抗沾黏保护镀膜-CN202021928717.X有效
发明人：吴宗丰;刘金勋;李文亮;胡智恺;陈基川 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本实用新型之防污抗沾黏保护镀膜具有良好防污以及抗沾黏能力，是以能够被应用在光电及半导体产业的黄光曝光制程的光罩传送盒中，例如：深紫外(DUV)曝光制程、极紫外(EUV)曝光制程、沉浸式曝光制程、多重曝光制程，该防污抗沾黏保护镀膜用于保护上述任一种黄光曝光应用之光罩传送盒并确保黄光制程之良率。
防污抗沾黏保护镀膜

[发明专利]彩色滤光片中拼接曝光方法-CN201410701000.4有效
发明人：李亚明 -专利权人：南京中电熊猫液晶材料科技有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是彩色滤光片中拼接曝光的方法，包括；1）拼接曝光要在彩色滤光片的第一道制程BM制程制作对位mark及拼接mark，需要在拼接的区域为两侧曝光的公共区域,即此拼接区域会被两侧两次重复曝光；2）拼接曝光在RGB的制程须依据BM制程的对位mark实施曝光,需要确认其拼接mark的套合精度；3）拼接曝光在PS制程中可依据BM制程的对位mark实施正常曝光。3）使用价格较低廉的接近式曝光机替代扫描式曝光机，工艺简单。
彩色滤光片中拼接曝光方法

[发明专利]半导体制造的微影方法-CN200610112136.7无效
发明人：陈桂顺;林进祥;鲁定中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是有关于一种形成图案于基材上的方法，包括进行一高精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上，以及进行一低精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上。该曝光制程可在任一步骤中完成，并且可包含额外曝光制程。该高精密微影制程可以是湿浸式微影制程，而该低精密微影制程可以是干式微影制程。此形成图案于基材上的方法可应用于制造更高密度的集成(积体)电路。
半导体制造方法

[发明专利]进行光刻制程的方法-CN201810621209.8在审
发明人：翁明晖;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供进行光刻制程的方法，进行光刻制程的方法包含在基底上方形成光刻胶层，并将光刻胶层的一部分曝光，以在未曝光部分之间形成曝光部分。进行光刻制程的方法还包含将光刻胶层显影以移除光刻胶层的曝光部分，使得开口形成于未曝光部分之间，并在开口中和光刻胶层的未曝光部分上方形成后处理涂布材料。进行光刻制程的方法还包含通过进行后处理制程，光刻胶层的未曝光部分的一部分与后处理涂布材料反应，以及移除后处理涂布材料。
光刻胶层光刻制程曝光后处理涂布材料移除开口基底显影制程中和

[发明专利]曝光方法-CN200810004639.1有效
发明人：陈儒德;吴文宗 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2008-01-21 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光方法，用于制造一元件，其包括：提供具有多个曝光区的一晶圆。其中晶圆上覆盖有一光阻层。提供具有多个曝光区反馈参数组的一反馈参数地图，而曝光区反馈参数组分别相对应于晶圆的曝光区。曝光区反馈参数组中至少一组曝光区反馈参数组与其他曝光区反馈参数组不同。根据反馈参数地图，以一曝光工具，在晶圆上的每一曝光区依序进行一曝光制程，以图案化晶圆上的光阻层。其中曝光工具在每一曝光区进行曝光制程时，是根据反馈参数地图中，相对应在每一曝光区的曝光区反馈参数组，调整曝光工具的一曝光制程参数组。
曝光方法

[发明专利]栅极层上的对位标记的制作方法-CN201510263823.8有效
发明人：付延峰 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极层上的对位标记的制作方法，通过在栅极层的光罩上设计两组栅极层对位标记，正常制程中只曝光形成第一组栅极层对位标记用于后制程的对位曝光，当栅极铜膜需要重工时，则同时曝光形成两组栅极层对位标记，再次形成的第一组栅极层对位标记旁具有印记，而第二组栅极层对位标记旁无印记，在后制程中采用第二组对位标记进行对位曝光，从而不影响后制程的对位曝光。
栅极对位标记制作方法

[发明专利]晶圆图案化制程-CN201510660443.8有效
发明人：刘丞祥;黄兆义 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆图案化制程，包括：提供一晶圆，具有多个刻痕，其分别位于晶圆的边缘；使用一曝光机，并根据所述刻痕中的第一刻痕为参考点，以执行第一次曝光操作；根据第一次曝光结果决定一转动角度，并执行一转动操作；以及对晶圆执行第二次曝光操作。因此，本发明在晶圆布局上，同时可达到制程的简易性，还可减少制程的成本并增加制程的宽容度。
图案化制程

[发明专利]产生彩色滤光片的方法与装置-CN200510084886.3有效
发明人：罗宇城;李怀安;许丰麟 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-07-18 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G02B5/23 文献下载
摘要：本发明揭露一种产生彩色滤光片的方法和装置，其利用一能产生复数个曝光光源的曝光扫描装置，通过高速控制此复数个曝光光源的开关时间，以及使该复数个曝光光源和一基板间产生一相对运动，以对基板上的一着色光阻层进行曝光制程，其中此复数个曝光光源的开关时间分别由复数个光栅开关所控制；接着，对曝光后的着色光阻层进行显影制程，以形成一颜色画素着色层；重复上述步骤即可产生所需的多种颜色画素着色层于此基板上。本发明的特点在于曝光制程中，其不需使用到光罩，且透过此曝光扫描装置的相关操作，将可处理不同大小、规格的基板。
产生彩色滤光方法装置

[发明专利]薄膜电晶体阵列基板及其微影制造方法与光罩设计结构-CN03155971.9有效
发明人：郭泰裕;林东村;曾旭平 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-08-28 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：然后，将光罩的显示元件区遮蔽住，以对光阻层进行非显示元件区的曝光制程。继之，将光罩的非显示元件区遮蔽住，对光阻层重复进行至少一次显示元件区的曝光制程。最后，进行一显影制程，以图案化光阻层。本发明可降低曝光制程时所需曝光次数，减少因曝光接合所产生的痕迹，有效减少因多次曝光制程间若接合不佳而导致辉度不均匀问题。
薄膜电晶体阵列及其制造方法设计结构

[发明专利]一种动态帧率条件下的自动曝光方法-CN200310117243.5有效
发明人：陈东瑛;朱晓琳;李国新;周政军 -专利权人：北京中星微电子有限公司
申请日： 2003-12-09 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： G03B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态帧率条件下的自动曝光方法，属于数码摄像装置中对图像质量的自动曝光控制领域。本发明缩减了硬件单元等待软件单元的时间，提高了自动曝光控制的功效，减少了系统资源和通讯资源的耗费。本发明步骤为：1)根据当前帧率发送控制中断频率指令给亮度统计模块；2)亮度统计模块以相应的频率发送亮度统计值的中断信息给中断控制单元；3)自动曝光控制程序启动自动曝光控制程序，计算新的曝光时间和数字化亮度增益参数；4)自动曝光控制程序将新的曝光时间和数字化亮度增益参数发送给其它硬件控制电路和光学传感器；5)其它硬件控制电路和光学传感器在新的曝光时间和数字化亮度增益下对图像质量进行调解。
一种动态条件下自动曝光方法

[发明专利]黄光制程曝光偏移校正方法及装置-CN201811322061.4在审
发明人：李彬 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种黄光制程曝光偏移校正方法，包括以下步骤：测量曝光机的光罩与基板相对的标准位置数据；获取所述光罩与所述基板相对的当前位置数据；根据所述当前位置数据和所述标准位置数据计算获得位置数据的偏差值；本发明还公开一种黄光制程曝光偏移校正装置。本发明的技术方案中，当曝光的图像产生位置偏移，造成产品异常时，曝光机可以及时反应，立即回馈校正，避免异常发生，可以实时监控曝光机的工作状况，保证产品品质，并提升曝光机的工作时间，防止后制程频发暂停影响机台嫁动
曝光机黄光制程曝光偏移位置数据校正标准位置基板相对光罩机台图像产生位置产品品质工作状况获得位置偏移校正实时监控数据计算校正装置异常发生偏移回馈基板制程测量工程师曝光保证

[发明专利]曝光工具及使用曝光工具的方法-CN202210073918.3在审
发明人：吴旻政;黄静茹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文描述的一些实施方式提供了一种曝光工具及使用曝光工具的方法。该曝光工具包括遮罩变形侦测器及一或多个处理器，该一或多个处理器用以在扫描晶圆的多个场的扫描制程期间经由遮罩变形侦测器获取与遮罩相关联的遮罩变形信息。一或多个处理器在扫描制程期间基于遮罩变形信息多次判定遮罩的变形，且在扫描制程期间基于遮罩的变形多次执行对曝光工具的一或多个组件的一或多次调整。
曝光工具使用方法

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