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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶圆键合方法以及键合晶圆-CN201811391856.0在审
发明人：闵源;王淞山;许力恒;赵强 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种晶圆键合方法以及键合晶圆，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆内形成有半导体器件，所述第一晶圆包括中心区域以及环绕所述中心区域的边缘区域；在所述第一晶圆的表面形成介质层；对所述第一晶圆进行边缘研磨修剪，以去除所述边缘区域表面的介质层，以及所述介质层覆盖的所述第一晶圆的一部分；提供第二晶圆；将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合，其中，所述介质层朝向所述第二晶圆。本发明方案可以有效地避免在晶圆键合后斜坡平面与第二晶圆之间的夹缝容易产生空洞和灰边的问题，提高键合晶圆的品质。
晶圆介质层晶圆键合键合边缘区域中心区域半导体器件边缘研磨表面形成后斜坡有效地夹缝去除修剪圆键种晶环绕空洞覆盖

[发明专利]晶圆键合方法及键合晶圆-CN202011471584.2在审
发明人：王超;刘婧;黄驰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种晶圆键合方法及键合晶圆，所述方法包括：在第一衬底的表面的第一绝缘层，形成第一导电柱；形成覆盖第一导电柱的导电的第一连接层；其中，第一连接层的晶粒尺寸小于第一导电柱的晶粒尺寸；在第二衬底的表面的第二绝缘层中，形成第二导电柱；形成覆盖第二导电柱的导电的第二连接层；其中，第二连接层的晶粒尺寸小于第二导电柱的晶粒尺寸；键合第一连接层和第二连接层，形成第一晶粒融合层。
晶圆键合方法键合晶圆

[发明专利]一种晶圆键合工艺-CN201410133223.5有效
发明人：赵月林;游宽结;华宇;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆键合工艺，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；于所述第一晶圆的键合面上设置至少一个第一零点标记；于所述第二晶圆的键合面上设置至少一个第二零点标记；将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆上；其中，所述第一零点标记与所述第二零点标记重叠本发明通过在待键合的两个晶圆的键合面上均预先对应设计有零点标记，以使得在进行键合工艺之后上述的两个晶圆上设置的零点标记相互重叠，从而增大了键合晶圆中键合面的接触面积，提高了键合工艺的质量，进而在后续的研磨工艺中，有效降低了晶圆表面发生脱落的风险，进一步的提高器件的性能。
一种晶圆键合工艺

[发明专利]堆叠结构的晶圆及其减薄方法-CN201510086444.6在审
发明人：徐伟;刘国安;谢红梅;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种堆叠结构的晶圆及其减薄方法。其中，该堆叠结构的晶圆的减薄方法包括：在第一晶圆和第二晶圆键合后，在第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料，其中，第二晶圆的直径小于第一晶圆和第三晶圆的直径；加热键合材料以使第二晶圆和第三晶圆键合，得到键合后的晶圆；对第一晶圆和第三晶圆的边缘处的空腔灌注胶水；以及在胶水固化后，对键合后的晶圆进行减薄处理。通过本申请，解决了现有技术中晶圆在减薄时容易导致晶圆的边缘破碎的问题，达到了避免晶圆的边缘破碎的效果。
堆叠结构及其方法

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN201910532042.2有效
发明人：曾甜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种键合结构及其制造方法中，在进行第n片晶圆与第n‑1片晶圆的键合时，可以从第n片晶圆的键合面进行第一边缘修整，第一边缘修整的宽度为Wn，随着n的增大，第一边缘修整宽度可以逐渐增大，这是因为在晶圆边缘部位，通常不够平整，导致晶圆在键合时存在缝隙，在对晶圆进行边缘修整后，可以去除第n片晶圆的边缘处不平整的部分，将第n片晶圆的键合面朝向第n‑1片晶圆的键合面，进行第n片晶圆与第n‑1片晶圆的键合，降低晶圆键合界面之间存在缝隙的可能，提高晶圆间的键合强度，再进行第n片晶圆衬底的减薄，以形成第n‑1晶圆堆叠，由于相邻晶圆之间的键合强度较大，因此形成的晶圆堆叠的可靠性较高
一种结构及其制造方法

[实用新型]一种真空低温键合的键合夹具-CN201921621638.1有效
发明人：王云翔;冒薇;马冬月;段仲伟;祝翠梅;姚园;许爱玲 -专利权人：苏州美图半导体技术有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种真空低温键合的键合夹具，其包括夹具座、上晶圆托盘机构、下晶圆托盘机构以及托盘运动驱动机构，通过上晶圆托盘机构能收容上晶圆，通过下晶圆托盘机构支撑下晶圆，通过托盘运动驱动机构使得上晶圆与下晶圆相互远离时，能对上晶圆、下晶圆的抛光面进行等离子体激活，通过托盘运动驱动机构使得上晶圆与下晶圆相互靠近时，下晶圆的抛光面能与上晶圆的抛光面贴合后键合，且从上晶圆托盘机构内能取出键合固定的上晶圆以及下晶圆。本实用新型结构紧凑，能确保晶圆片在真空环境中进行等离子体激活后贴合键合，实现高质量的低温键合，安全可靠。
一种真空低温夹具

[发明专利]基于临时键合的晶圆背面加工方法及晶圆-CN202210808104.X有效
发明人：唐义洲;王中健 -专利权人：成都功成半导体有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了基于临时键合的晶圆背面加工方法及晶圆，属于半导体加工技术领域，包括以下步骤：在载片上涂覆键合胶并进行洗边处理；对晶圆进行台阶式修边处理，得到具有台阶倒角的晶圆；将载片与晶圆进行键合；对晶圆进行多次减薄处理，直至达到要求厚度；完成第一次晶圆背面工艺。通过洗边处理能够去除边缘键合胶，降低键合胶溢出风险；对晶圆进行台阶式修边处理，一方面能够防止台阶式倒角挤压键合胶导致键合胶溢出，从而对后续减薄设备的污染，另一方面能够避免洗边工艺导致晶圆与载片中间部分无法紧密键合导致的晶圆边缘碎裂的风险；对载片进行键合胶涂覆，使修边后晶圆无需进一步涂覆键合胶即可实现载片与晶圆的键合，利于提高工艺效率。
基于临时背面加工方法

[发明专利]一种晶圆键合方法及键合结构-CN202310055835.6有效
发明人：沈达;薛亚玲;蒋人杰 -专利权人：吾拾微电子（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法及晶圆键合结构，涉及半导体封装技术领域。方法包括：获取待键合的第一晶圆和第二晶圆；所述第一晶圆包括第一面；所述第二晶圆包括第二面；对所述第一晶圆的所述第一面涂覆键合胶形成键合面；在第一温度下的第一真空环境中对所述键合胶加热烘干；以预设间隔距离固定所述第一晶圆和所述第二晶圆，在第二真空环境中对所述键合胶加热至第二温度；在所述第二温度下将所述第一晶圆的所述键合面与所述第二晶圆的所述第二面相互接触，形成键合结构。该方法可以避免键合胶加热气化后部分组分形成的气体以气泡方式从胶内部溢出，进而键合面表面连贯性被破坏，在第二真空环境中使晶圆贴合，不会对铜柱结构产生额外压力和影响。
一种晶圆键合方法结构

[发明专利]堆叠键合晶圆的处理方法-CN201910940053.4在审
发明人：余兴;蒋维楠 -专利权人：芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种堆叠键合晶圆处理方法，包括：向堆叠键合晶圆的边缘注入胶体；同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体。本发明的堆叠键合晶圆处理机台在对多层堆叠键合晶圆进行处理时，在每次对两键合的晶圆进行注胶和研磨后，无需进行去除注胶和削减(切割)步骤，在多层堆叠键合晶圆形成后，通过削减单元进行一步削减工艺即可同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体，因而可以避免多层堆叠晶圆的制作过程中多次削减带来的过多的晶圆边缘削减，进而避免造成过多的良率损失。
堆叠键合晶圆处理方法

[发明专利]晶圆键合方法-CN202011193800.1在审
发明人：许健;胡思平;姚兰;严孟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆与第二晶圆，所述第一晶圆与所述第二晶圆各具有用以相键合的第一键合层与第二键合层；将所述第二晶圆上下倒置叠加在所述第一晶圆上，通过所述第一键合层与所述第二键合层将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合在一起；减薄所述第一晶圆远离所述第一键合层一侧的厚度；以及对所述第一晶圆与所述第二晶圆一起进行缺口修整。
晶圆键合方法

[发明专利]键合用晶圆、键合结构以及键合方法-CN202111581105.7在审
发明人：曹语盟;陈凡;袁琨;卢基存;周华 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种键合用晶圆、键合结构以及键合方法。所述键合方法包括如下步骤：提供键合用的第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆和第二晶圆上形成对准标记，对准标记包括晶圆表面图形或者晶圆通孔。至少有一个晶圆具有通孔，透过该晶圆通孔可以观察到另外一个晶圆的对准标记；以第一晶圆和第二晶圆上的对准标记为基准，将第一晶圆和第二晶圆键合。本发明由于采用晶圆通孔实现可见光同时观察两个晶圆对准标记的直接对准键合，不需要透过硅晶圆的红外辅助装置或者对两个晶圆分别预先定位的机械对准过程，并且对晶圆的透光性无特别要求。
合用结构以及方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510011859.7有效
发明人：倪梁;施林波;陈福成;汪新学 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆中形成有MEMS结构，第二晶圆中形成有TSV结构，因此第一晶圆和第二晶圆形成的晶圆键合结构能够用于制作MEMS‑TSV键合结构，通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄，对第一晶圆和第二晶圆的损伤较小，有效提高了MEMS‑TSV键合结构的生产效率。由于第一晶圆和第二晶圆之间密封，刻蚀液不会从对第一晶圆和第二晶圆之间进入晶圆键合结构，不会对晶圆键合结构造成损伤，提高了MEMS‑TSV键合结构的质量。
半导体结构形成方法

[实用新型]一种键合晶圆的结构-CN201721409390.3有效
发明人：李海鸥;吴磊;刘洪刚;李琦;陈永和;张法碧;高喜;肖功利;首照宇;傅涛;翟江辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种键合晶圆的结构，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构为包括第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆位于第一晶圆的上方，所述第一晶圆与第二晶圆之间设置有中间层，所述中间层包括气体通道和三氧化二铝层，所述气体通道设置在三氧化二铝层内，且气体通道横向贯穿三氧化二铝层的技术方案，该键合晶圆的结构，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。
晶圆键合三氧化二铝层气体通道中间层本实用新型低温键合横向贯穿散热性好空隙率制造

[发明专利]载体晶圆以及去除键合结构中载体晶圆的方法-CN202110156084.8在审
发明人：强力;槐宝;刘敏;赵娅俊;刘括 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请提供一种载体晶圆以及去除键合结构中载体晶圆的方法，其中所述载体晶圆包括：载体裸晶圆，所述载体裸晶圆具有第一表面；牺牲层，位于所述第一表面上；第一键合层，位于所述牺牲层的表面；以及，第二键合层，位于所述第一键合层的表面，所述第二键合层的表面作为所述载体晶圆的键合面。本申请技术方案的载体晶圆以及去除键合结构中载体晶圆的方法能够降低去除载体晶圆时的破片风险，同时简化了载体晶圆去除过程中繁琐的平坦化工艺，大大降低了工艺复杂性。
载体以及去除结构方法

[发明专利]晶圆键合方法及晶圆键合设备-CN202110571780.5在审
发明人：吴星鑫 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法及晶圆键合设备，晶圆键合方法包括：将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆，下晶圆固定在下卡盘，并将上晶圆和下晶圆对准；将静电吸附卡盘的顶针下压上晶圆的中心区域，使上晶圆向下弯曲并与下晶圆的中心区域接触；调整静电吸附力的大小，使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘，并与下晶圆键合。通过静电吸附卡盘吸附上晶圆，在上晶圆下落与下晶圆键合的过程中，通过调整静电吸附力的大小，使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘，实现上晶圆下落过程中工艺可控，键合波由中心向四周扩展不受影响，完成晶圆键合；同时减小真空卡盘真空吸附方式对晶圆造成的扭曲。
晶圆键合方法设备

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