“晶化度”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4055118个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]特殊形貌ZSM-5沸石分子筛的制备方法-CN202011085710.0有效
发明人：黄先亮;徐本刚;蔡进;王金利;吴学其;张杰;朱艳芳 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中石化南京化工研究院有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明公开了特殊形貌ZSM‑5沸石分子筛的制备方法及应用，其特征在于将催化剂通过如下步骤制得：(1)第一模板剂制取预晶化液；(2)第二模板剂制取合成液母液；(3)将预晶化液加入到合成液母液中，预晶化液与合成液母液的质量比为0.1~1.0，晶化釜放置于摇摆烘箱内，一定温度预晶化一定时间后，急冷，过滤、洗涤、干燥、焙烧后得到分子筛。合成的ZSM‑5沸石分子筛具有比较大的颗粒，且结晶度高，无需后续成型工序。
特殊形貌 zsm 分子筛制备方法

[发明专利]一种合成Y分子筛与高岭土复合杂化材料的方法-CN201110104135.9无效
发明人：李保山;梁文惠 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C01B39/00 文献下载
摘要：本发明是一种NaY分子筛与高岭土杂化材料的制备方法，通过原位晶化过程，控制高、偏土比例、老化时间、老化温度和晶化时间合成NaY分子筛与高岭土复合杂化材料。其特点是不用导向剂及高岭土不用予处理，直接由原料水热晶化得到NaY分子筛，分子筛的结晶度在35-70％，硅铝比为3.5-4.2的复合材料。
一种合成分子筛高岭土复合材料方法

[发明专利]合成高硅丝光沸石的方法-CN201010536173.7有效
发明人：徐会青;刘全杰;贾立明;王伟 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硅丝光沸石的合成方法，该方法包括以下步骤：制备含有硅源、铝源、有机模板剂、卤素化合物、碱和水的凝胶，然后晶化该凝胶，再经过水洗分离，干燥制得高硅丝光沸石产品。本发明在晶化过程中分阶段进行，与现有技术相比，本发明方法具有晶化温度低、晶化时间短、产品的硅铝比、收率、结晶度都比较高的优点。
合成丝光方法

[发明专利]β沸石的制备方法-CN01105851.X有效
发明人：谢在库;陆贤;孔德金;邢宇;陈庆龄 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2001-04-04 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：本发明涉及β沸石的制备方法，以铝源、钠源、四乙基铵阳离子、硅胶或/和硅溶胶和水为原料，以四乙基卤化铵为模板剂，晶化过程分二段进行，首先在100～120℃下预晶化，然后在140～170℃条件下晶化反应而成，该方法具有模板剂用量少、生产成本低、晶化时间短、不使用螯合剂、获得的β沸石具有结晶度高的特点，可用于工业生产中。
制备方法

[发明专利]晶圆背面粗糙化控制方法以及功率器件制造方法-CN202011004603.0在审
发明人：龙思阳;陈忠奎 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆背面粗糙化控制方法以及功率器件制造方法，所述晶圆背面粗糙化控制方法包括：先对晶圆背面进行第一刻蚀工艺以减少晶圆背面的裂痕，再对晶圆背面进行第二刻蚀工艺以使晶圆背面可以具有粗糙度，接着对晶圆背面进行第三刻蚀工艺以减少或消除晶圆背面的尖峰；所述功率器件制造方法，包括所述晶圆背面粗糙化控制方法，然后在晶圆背面进行金属沉积。采用本发明的方案，晶圆背面尖锐的波峰和棱角被药液轻微蚀刻，不完全抹平，从而达到平滑波峰和棱角的目的，解决了金属粘附性不好，造成脱落的技术问题。
背面粗糙控制方法以及功率器件制造

[发明专利]石材表面晶化UV光固化涂料及其制备方法与施工工艺-CN201110119577.0有效
发明人：周荣华;刘忠 -专利权人：深圳市天健涂料科技开发有限公司
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C09D175/14 文献下载
摘要：本发明提供一种石材表面晶化UV光固化涂料及其制备方法与施工工艺，石材表面晶化UV光固化涂料包括组分：脂肪族聚氨酯丙烯酸酯、三官能团脂肪族聚氨酯丙烯酸酯、热塑性丙烯酸树脂、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯本发明的石材表面晶化UV光固化涂料，用于石材表面的晶化防护处理，以UV光固化技术20-23秒的成膜效率，可快速高效完成，成膜后的石材表面硬度高、光泽度高、丰满度好，该石材表面晶化UV光固化涂料还可以提高石材表面的耐化学品性
石材表面 uv 光固化涂料及其制备方法施工工艺

[发明专利]一种改善电镀铜工艺后凹坑缺陷的方法-CN202111409294.X在审
发明人：刘博;黄景山;陈正艳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改善电镀铜工艺后凹坑缺陷的方法，在晶圆上形成电介质层；刻蚀电介质层形成沟槽；在沟槽表面形成种子阻挡层；对晶圆进行预清洗，以增加晶圆上沟槽的湿润度；对沟槽通过电镀进行铜的填充；研磨沟槽上表面，使沟槽上表面平坦化。本发明通过对通孔预清洗可以提高晶圆表面湿润度，在电镀铜填充时，由于晶圆表面过于干燥导致入水时湿润度效果不好，气泡不易排出电镀易产生空洞，增加预清洗这一步骤可以有效改善晶圆入水时湿润度效果差的问题，从而提高间隙填充能力
一种改善镀铜工艺后凹坑缺陷方法

[发明专利]一种具有应力加强筋的压力传感器及其制备方法-CN202110144177.9有效
发明人：李维平;李晓波;兰之康 -专利权人：南京高华科技股份有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：本发明提供一种具有应力加强筋的压力传感器及其制备方法，方法包括：分别提供SOI晶圆、硅晶圆和衬底；在SOI晶圆正面形成压敏单元；图形化SOI晶圆背面以获得第一通孔，第一通孔与压敏单元相连接；将硅晶圆背面与SOI晶圆正面键合；图形化衬底正面以获得第二通孔和空腔，第二通孔与第一通孔相对应；将图形化后的衬底正面与SOI晶圆背面键合，以使第二通孔与第一通孔连通；金属化第一通孔和第二通孔以获得导电通道，导电通道与压敏单元电连接；在硅晶圆正面形成应力加强筋，应力加强筋与压敏单元相对应，得到压力传感器。本发明以应力加强筋作为应力集中区，应力集中优势明显，制作简单，可靠性高，大大提高器件的线性度和灵敏度。
一种具有应力加强压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种NaY晶化母液和/或滤液的回用方法和一种多孔材料的制备方法-CN201611253920.X有效
发明人：郑金玉;王成强;罗一斌 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种NaY晶化母液和/或滤液的回用方法，其特征在于将含有P型杂晶的NaY晶化母液和/或滤液，或者是晶化时间超过50小时、结晶度低于50％的物相谱图中未见NaP晶相的NaY晶化母液和/或滤液直接用于制备一种多孔材料的方法中
一种 nay 母液滤液方法多孔材料制备

[发明专利]一种横向PiN结构GeSn光电探测器及其制备方法-CN201710687158.4在审
发明人：张捷 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：该方法包括选取Si衬底；连续生长Ge晶籽层和Ge主体层，制备保护层；对整个衬底进行加热，并采用激光工艺晶化整个衬底，冷却后使Ge晶籽层和Ge主体层形成晶化Ge层；刻蚀保护层，并利用离子注入工艺形成P型掺杂区和N型掺杂区以在晶化Ge层中形成横向P‑i‑N结构；在晶化Ge层的i区位置表面生长GeSn层从而形成GeSn光电探测器。本发明实施例通过采用激光再晶化工艺，控制精度高，晶化速度快，工艺步骤简单，工艺周期短，热预算低等优点，形成的晶化Ge层，可有效降低Ge/Si界面的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge/Si界面特性，
一种横向 pin 结构 gesn 光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法-CN201610446252.6有效
发明人：苗东铭;戴显英;郝跃;祁林林;梁彬;焦帅 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的GeOI晶圆顶层Ge层上淀积SiO2层；对顶层Ge层进行离子注入形成非晶化层，并去除非晶化层上的SiO2层；在顶层Ge层上淀积张应力SiN薄膜或压应力SiN薄膜后将SiN薄膜刻蚀成条状，得到单轴张应力SiN条状阵列或单轴压应力SiN条状阵列，并对带有SiN条状阵列的GeOI晶圆进行退火，使非晶化层重结晶，使SiO2埋绝缘层发生塑性形变；刻蚀掉SiN条状阵列，得到晶圆级单轴应变GeOI本发明应变量大、成本低、晶圆平整度高，可用于制作晶圆级单轴应变GeOI材料。
基于非晶化尺度效应晶圆级单轴应变 geoi 制作方法

[发明专利]一种新型高档微晶玻璃陶瓷复合板材制备方法-CN201010199134.2无效
发明人：姚桂龙 -专利权人：姚桂龙
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： C04B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高档微晶玻璃陶瓷复合板材制备方法，制备过程包括以下步骤：(1)配制成配合料，送入玻璃熔窑熔化制成玻璃溶液；(2)在玻璃溶液中加入晶核剂；(3)调整玻璃溶液的均匀度、黏度和液面，然后送入辊压成型装置压延成玻璃薄片，放入退火炉中退火处理，然后随炉冷却；(4)将退火后的玻璃薄片置于陶瓷材料上层一起送入微晶化装置，并控制微晶玻璃晶化温度；(5)将晶化后的微晶玻璃与陶瓷基体进行复合。本发明将退火处理后的玻璃薄片置于备好的陶瓷材料上层一起送入微晶化装置，用整体析晶法制备微晶玻璃装饰板材，制备的微晶玻璃陶瓷复合板材光泽度高、耐污性好、耐急冷急热性强，无裂纹，无分层，无掉皮、掉角现象。
一种新型高档玻璃陶瓷复合板材制备方法

[发明专利]晶圆劈裂检知方法-CN201210196421.7有效
发明人：张振昌;赵祐成 -专利权人：竑腾科技股份有限公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明是关于一种晶圆劈裂检知方法，主要是于晶圆劈裂前由影像撷取器撷取承载台劈裂空间处的晶圆待劈裂切割道及其两侧区域影像，于晶圆劈裂作用时间区段撷取该承载台劈裂空间处的晶圆劈裂切割道及其两侧的影像，再由计算机以明暗灰阶比对手段分析所撷取晶圆劈裂前与劈裂时的晶圆劈裂切割道及劈裂切割道两侧区域影像的明暗灰阶度差异比值判断晶圆是否完整被劈裂，或由计算机以明暗灰阶比对手段分析晶圆劈裂作用时间区段的劈裂切割道两侧区域影像的明暗灰阶度差异比值判断晶圆是否完整被劈裂，提高判断自动化检知晶圆是否被完全劈裂的精确度。
劈裂方法

[发明专利]开放式大孔Beta分子筛的制备方法-CN201911397182.X在审
发明人：王龙;陈文勇;苗植平;彭立;石倩翡;周泳冰;冯春晓;郭淄龙 -专利权人：山东齐鲁华信高科有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种开放式大孔Beta分子筛的制备方法，属于分子筛催化剂制备领域；包括以下步骤：a)将去离子水、铝源、碱源、模板剂、填充剂、硅源和晶种混合均匀后转移至晶化釜中晶化；b)晶化条件为：在140～180℃下晶化6～72小时；升温速率不低于2℃/min，不高于10℃/min；c)釜内压力升至0.2～0.4MPa时，开始泄压回收胺及水蒸气；晶化过程中保持釜内压力维持0.2～0.4MPa；d)晶化结束后，产物浆液迅速冷却；将晶化产物分离、洗涤、干燥、焙烧后即得开放式大孔Beta分子筛。该分子筛具有优异的水热稳定性，较高的结晶度。相比于后处理法制备的大孔或多级孔Beta分子筛，该方法具有工艺简单、原料利用率高、产品收率高的特点。
开放式 beta 分子筛制备方法

[发明专利]化学机械平坦化工艺中晶圆边缘区域平整度优化方法-CN201710447709.X在审
发明人：张康;李婷;孙铭泽 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开的化学机械平坦化工艺中晶圆边缘区域平整度优化方法，其步骤为使用膜厚测量仪测量晶圆的表面形貌，计算并对比边缘区域及中心区域的膜厚均值；在1#抛光盘上采用调整保持环的压力及改变抛光盘与抛光头之间的转速差相结合的分步平坦化方式进行全局粗抛；在2#抛光盘上采用调整保持环压力及改变抛光盘与抛光头之间转速差相结合的分步平坦化方式进行边缘区域平整度改善精抛；在3#抛光盘上使用低压等离子水冲洗晶圆表面。在1#、2#抛光盘上晶圆边缘区域的改善策略为根据晶圆边缘膜厚与中心膜厚值，调整保持环压力并改变抛光盘与抛光头之间转速差。本发明提供的晶圆边缘区域平整度优化方法，步骤合理，有效改善边缘区域平整度和片内均匀性。
化学机械平坦化工艺中晶圆边缘区域平整优化方法