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[发明专利]HTCVD法碳化硅晶体生长装置-CN201110264570.8有效
发明人：刘兴昉;董林;郑柳;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。
htcvd 碳化硅晶体生长装置

[实用新型]晶体生长炉-CN200920076795.9无效
发明人：陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体生长炉，属于晶体生长装置领域。本实用新型采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室连接真空系统和进气系统。本实用新型的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附。
晶体生长

[发明专利]双室结构碳化硅晶体生长装置-CN200910053568.9有效
发明人：陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双室结构碳化硅晶体生长装置，属于晶体生长装置领域。本发明采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室通过真空挡板阀连接分离，进样室和晶体生长室连接真空系统。本发明的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附，提高碳化硅晶体的纯度以及实现对杂质的精确控制，生长出高质量的导电型、掺杂半绝缘或高纯半绝缘等碳化硅晶体。
结构碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种优质碳化硅晶体生长装置-CN201510355710.0在审
发明人：董明东;刘欣宇;林琳 -专利权人：江苏艾科勒科技有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种优质碳化硅单晶生长装置，包括石英管、晶体生长室、旋转托盘和感应线圈，石英管内部设有晶体生长室和旋转托盘，旋转托盘包括水平板与竖直杆，竖直杆与水平板中心连接，形成一种“T”型结构，晶体生长室置于水平板上，晶体生长室与竖直杆同轴设置，竖直杆外部设有真空密封传动装置和旋转马达，晶体生长室包括坩埚盖和坩埚体，晶体生长室外部设有感应线圈，感应线圈呈螺旋状缠绕在石英管外壁上，感应线圈与石英管外壁呈一定倾斜角度θ；通过旋转托盘带动晶体生长室的绕中心轴匀速旋转，抵消感应线圈的非轴对称对晶体生长造成的负面影响，以减少晶体生长位错，提高晶体生长质量。
一种优质碳化硅晶体生长装置

[实用新型]一种优质碳化硅晶体生长装置-CN201520440279.5有效
发明人：董明东;刘欣宇;林琳 -专利权人：江苏艾科勒科技有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种优质碳化硅单晶生长装置，包括石英管、晶体生长室、旋转托盘和感应线圈，石英管内部设有晶体生长室和旋转托盘，旋转托盘包括水平板与竖直杆，竖直杆与水平板中心连接，形成一种“T”型结构，晶体生长室置于水平板上，晶体生长室与竖直杆同轴设置，竖直杆外部设有真空密封传动装置和旋转马达，晶体生长室包括坩埚盖和坩埚体，晶体生长室外部设有感应线圈，感应线圈呈螺旋状缠绕在石英管外壁上，感应线圈与石英管外壁呈一定倾斜角度θ；通过旋转托盘带动晶体生长室的绕中心轴匀速旋转，抵消感应线圈的非轴对称对晶体生长造成的负面影响，以减少晶体生长位错，提高晶体生长质量。
一种优质碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种压强调控晶体生长反应釜-CN201610963655.8有效
发明人：李成明;巫永鹏;王琦;陈蛟;胡耀华;徐永钊;郑小平;卢洪;李顺峰;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种压强调控晶体生长反应釜，包括釜体，釜体内设有晶体生长室，釜体外设有加热装置，釜体内填充有液体镓源，所述釜体内还设有压强调节室，晶体生长室底面设有隔板，该隔板上设有连接孔，该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通，压强调节室上设有增压阀和减压阀，隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口，连接孔设置在该衔接管口侧壁。本发明通过细微调整两个晶体生长室和压强调节室之间压强的差异，可以有效地实现反应釜内液体镓源的可控流动。
一种压强调控晶体生长反应

[发明专利]AlN晶体、用于生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底-CN200680027936.7有效
发明人：水原奈保;宫永伦正;川濑智博;藤原伸介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-07-10 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室
aln 晶体用于生长方法以及衬底

[发明专利]晶体生长装置及方法、TGS类晶体-CN202210852486.6在审
发明人：周成;何亮;李建敏;毛伟;张存新;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;甘胜泉;熊仁根 -专利权人：江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体生长装置和晶体生长方法、TGS类晶体，晶体生长装置包括水槽、生长室、籽晶杆和籽晶；水槽为环形槽体，水槽全部或部分包围住生长室的侧部和底部；水槽的侧面和/或水槽的上端面设置进水口和出水口；生长室的上端面和/或水槽的上端面设置有保温盖；籽晶粘接在籽晶杆的下端，籽晶杆可进出生长室；籽晶杆上设置有传热介质进口和传热介质出口。本发明通过对水槽和籽晶杆双向控温，使得籽晶生长处的温度及过冷度可根据晶体生长特性进行调整，从而使得在籽晶生长过程中整体更加适宜晶体生长，降低晶体生长过程中缺陷的产生，提高了晶体质量。
晶体生长装置方法 tgs 晶体

[实用新型]一种晶体生长炉加热装置-CN202222706083.9有效
发明人：曹国峰;李勇;李思华 -专利权人：宁夏晶创智能装备有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长装置技术领域，且公开了一种晶体生长炉加热装置，包括晶体生长炉和底座，所述底座设置于晶体生长炉的底部，所述晶体生长炉包括炉室、进料口、电子观测口、出气口、副炉管、阀门、炉体、加热器和传动装置，所述进料口设置于炉室的顶部，所述电子观测口设置于炉室顶部的另一端。该晶体生长炉加热装置，通过在炉体的周围设置有不同的加热装置使得能精准对炉体加热的温度进行把控，底部采用电阻加热块进行热传导，保证加热的稳定性，炉体上方采用电磁加热，减少热量的衰减，同时能对炉体内的晶体生长进行阶梯加热，提高晶体生长效率底部设置的传动装置，将炉体在炉室内进行旋转，使得炉体受热均衡，保证晶体生长稳定。
一种晶体生长加热装置

[发明专利]一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构-CN201210129619.3无效
发明人：孔海宽;忻隽;陈建军;严成锋;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过其利用高温红外测温计测量晶体生长室内温度的开孔本发明的测温结构可以在晶体生长过程中准确测量坩埚顶部温度，从而实现精确控温，并且避免测温孔堵塞导致的温度梯度变化，提高晶体生长的成品率。
一种适用于 pvt 生长 sic 晶体系统测温结构

[实用新型]一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构-CN201220188163.3有效
发明人：孔海宽;忻隽;陈建军;严成锋;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过其利用高温红外测温计测量晶体生长室内温度的开孔本实用新型的测温结构可以在晶体生长过程中准确测量坩埚顶部温度，从而实现精确控温，并且避免测温孔堵塞导致的温度梯度变化，提高晶体生长的成品率。
一种适用于 pvt 生长 sic 晶体系统测温结构

[发明专利]晶体生长装置、热等静压设备及晶体生长方法-CN202010226640.X在审
发明人：乔焜;张新建;林岳明;高明哲 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，提供了一种晶体生长装置、热等静压设备及晶体生长方法。装置包括生长容器、端盖、密封件和泄放装置，生长容器具有至少一个开口，开口与生长容器内空腔相连通；端盖覆盖开口，以与生长容器内形成生长腔室；密封件设置于生长容器和端盖之间，以将生长腔室密封，泄放装置设置于端盖上，并贯穿端盖以与生长腔室相连通。本申请在生长腔室和端盖之间设置密封件，阻断了生长腔室与外界可能相通的唯一路径，有效提高生长腔室的密封性，在热等静压设备中晶体生长时，晶体生长装置的内外压差可灵活控制在预设范围内，不会因晶体生长装置的密封性而受影响通过泄放装置可对生长腔室内部压力进行释放，起到保护生长装置的作用。
晶体生长装置静压设备方法

[实用新型]一种无水环境条件下晶体生长装置-CN202020887905.6有效
发明人：吴玲;谢实雨;万芳 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无水环境条件下晶体生长装置，包括干燥器，干燥器的顶部开口，开口处设有封盖，干燥器的内壁上设有环形支撑凸缘，环形支撑凸缘上搁置透气分隔机构，透气分隔机构将干燥器的内腔分隔为晶体生长室和干燥室，晶体生长室内放置晶体生长玻璃瓶，晶体生长玻璃瓶通过透气分隔机构支撑，干燥室内填充干燥剂，干燥剂为五氧化二磷；透气分隔机构包括带通孔的隔板或隔网，隔板或隔网上固定安装多个用于固定晶体生长玻璃瓶底部的支撑套，支撑套的顶部开口，晶体生长玻璃瓶的底部插入到支撑套内，保证了晶体生长玻璃瓶内晶体在一致的干燥性环境下生长，提高了晶体培养效率和质量。
一种无水环境条件下晶体生长装置

[实用新型]碳化硅晶体生长装置-CN202320188636.8有效
发明人：洪棋典;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置；碳化硅晶体生长装置包括坩埚和分隔组件，分隔组件设置于坩埚内，将坩埚的内腔分为第一腔室和第二腔室，第一腔室用于盛装碳化硅原料；其中，分隔组件包括层叠设置的多孔石墨板和金属碳化物多孔板本实用新型的碳化硅晶体生长装置能够提高碳化硅晶体生长的良率，并且提高生长的碳化硅晶体的质量。
碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种抑制石榴石结构闪烁晶体开裂的温场结构及其生长方法-CN201811325021.5有效
发明人：丁雨憧;刘军;屈菁菁 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制石榴石结构闪烁晶体开裂的温场结构及其生长方法，温场结构包括晶体生长腔室，晶体生长腔室上方设有盖板，盖板中心设有提拉操作通孔；在晶体生长腔室内底部中心设有坩埚，中频感应线圈环设于晶体生长腔室外部并与坩埚对应的位置，中频感应线圈接中频感应电源以在交变电流作用下对坩埚加热；在晶体生长腔室内位于坩埚正上方设有电阻加热元件，电阻加热元件与电源连接以为晶体降温阶段提供热量补偿。本发明中频感应线圈可以满足晶体生长所需的温场条件，电阻加热元件可为晶体降温阶段提供热量补偿，可在晶体拉脱后对晶体进行原位退火，并能降低晶体的冷却速度和温度梯度，可以有效抑制晶体开裂。
一种抑制石榴石结构闪烁晶体开裂及其生长方法

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