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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]密封环结构，半导体管芯和侦测半导体管芯上裂缝的方法-CN201811268547.4有效
发明人： 潘建尉;傅景鸿;范国龙 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种密封环结构，半导体管芯和侦测半导体管芯上裂缝的方法。其中，该密封环结构包括：密封环，位于半导体衬底上，该密封环包括：第一互连元件，形成于浅沟槽隔离区和第一组的P型掺杂区上，其中该浅沟槽隔离区和该第一组的P型掺杂区位于该半导体衬底上；以及多个第二互连元件，形成于该第一互连元件的下方并且位于第二组的P型掺杂区上，其中该第二组的P型掺杂区位于该半导体衬底上，其中，该第二互连元件与该第一互连元件电性隔离，并且该第一组的P型掺杂区和该第二组的P型掺杂区通过该浅沟槽隔离区分开。借助于这样的密封环结构，可以将第二互连元件作为感应点来侦测半导体密管芯是否存在裂缝。
密封结构半导体管芯侦测裂缝方法

[发明专利]多阶式快闪存储器的制备方法-CN200810169127.0有效
发明人： 潘建尉;何明佑;钟志平 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明揭示一种多阶式快闪存储器的制备方法，其包含形成具有电荷捕陷层的介电堆叠于半导体基板上、形成具有凹部的绝缘结构于该电荷捕陷层上、局部去除该凹部上的电荷捕陷层以将该电荷捕陷层分段以形成多个储存节点、形成隔离这些储存节点的栅氧化物层、以及形成镶嵌栅极，其中该镶嵌栅极包含填入该凹部的多晶硅层。
多阶式快闪存制备方法

[发明专利]闪存结构的制备方法-CN200710166687.6无效
发明人： 潘建尉;曾增文;何明佑;许延有;钟志平;傅景鸿 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2007-11-05 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出一种闪存结构的制备方法，首先形成多个介电区块于基板上并形成多个第一间隙壁于所述多个介电区块的侧壁，再利用蚀刻工艺局部去除未被所述第一间隙壁及所述介电区块覆盖的基板以形成多个第一沟槽于所述基板之中。之后，进行一沉积工艺以形成填满所述第一沟槽的隔离介电层并去除所述多个介电区块，再形成多个第二间隙壁于所述多个第一间隙壁的侧壁以及利用蚀刻工艺局部去除未被所述第一间隙壁、所述第二间隙壁及所述隔离介电层覆盖的基板以形成多个第二沟槽于所述基板之中。
闪存结构制备方法

[发明专利]非易失性存储器的制作方法-CN200710129127.3无效
发明人： 潘建尉;张守宇;曾增文;傅景鸿;钟志平 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2007-07-11 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种非易失性存储器的制作方法。首先，于基底中形成隔离结构以定义出有源区。隔离结构平行排列，且突出基底的表面。然后，于基底上形成与隔离结构交错排列的掩模层，且掩模层的表面高于隔离结构的表面。接着，于基底中形成掺杂区。之后，于掩模层之间的基底上形成绝缘层。绝缘层的材料与掩模层的材料具有不同蚀刻选择性。然后，移除掩模层，暴露出基底。于基底上形成隧穿介电层后，于隔离结构与绝缘层包围的基底上形成浮置栅极。浮置栅极的表面低于隔离结构的表面。之后，于基底上形成栅间介电层。随之，于绝缘层之间形成控制栅极。
非易失性存储器制作方法

[发明专利]反及闸型快闪记忆体晶胞阵列及其制造方法-CN200710110702.5无效
发明人： 潘建尉;张守宇;曾增文;傅景鸿;锺志平 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是有关于一种反及闸型快闪记忆体晶胞阵列及其制造方法。该反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其包括：一基板，其包括一主动区；复数个排成一列的晶胞，位于上述主动区上；一第一阻障层，覆盖上述复数个晶胞和围绕上述列的各末端的上述主动区；一第一氧化物，沉积于上述复数个晶胞之间的一间隙中，且填充上述间隙；一氧化物间隙壁，形成于位于上述列的各末端的上述晶胞的侧壁上；一多晶硅间隙壁，形成于上述氧化物间隙壁上，上述多晶硅间隙壁是做为驱动上述列晶胞的一选择栅极。
闸型快闪记忆体晶胞阵列及其制造方法

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