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[发明专利]MIM电容器及其制造方法-CN202010043961.6有效
发明人：林昱佑 -专利权人：广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提出了一种MIM电容器及其制造方法，MIM电容器包括CBM电极(300)、CTM电极(100)以及设置在CBM电极(300)、CTM电极(100)之间的第一介电层(200)；MIM电容器还包括第二介电层(600)以及设置在第二介电层(600)底面的第一介电阻挡层(700)；第二介电层(600)内部形成有沟槽(610)，该沟槽(610)贯穿第一介电阻挡层(700)并在第一介电阻挡层(700)上形成底部开口；MIM电容器包括布设在沟槽(610)内壁上并封闭底部开口的第一扩散阻挡层(500)以及布设在沟槽(610)内并位于第一扩散阻挡层(500)上表面上的第二扩散阻挡层(400)；CBM电极(300)、第一介电层
mim 电容器及其制造方法

[发明专利]键合结构及其形成方法-CN201910002425.9有效
发明人：王先彬;肖莉红;李涌伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合结构及其形成方法，包括：提供两个基底，每个基底均包括介质层和形成于所述介质层内的暴露顶部表面的金属互连部；在两个基底相对键合位置处的金属互连部表面形成阻挡层，且当两个基底相对键合位置处均设置有金属互连部时，至少在其中较大尺寸的金属互连部的顶部表面形成阻挡层，所述阻挡层为导电材料且能够阻挡金属原子的扩散；将所述两个基底的表面相对键合，所述阻挡层位于两个基底的金属互连部之间。所述阻挡层能够阻挡金属互连部内的金属原子向邻近介质层的扩散，避免金属原子扩散引起器件的电学性能下降和可靠性变差，提高键合器件的可靠性。
结构及其形成方法

[发明专利]一种用于铜互连线的Al2-CN202011122601.1在审
发明人：孟瑜;宋忠孝;李龙;畅庚榕;王小艳 -专利权人：西安文理学院;西安交通大学苏州研究院
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层及其制备方法，通过在清洗除杂预处理后的基板上沉积清洗除杂预处理，然后在Al2O3过渡层表面沉积一层ZrN阻挡层形成双层结构，通过在ZrN阻挡层与硅基底之间制备一层超薄Al2O3过渡层，可以有效提高ZrN阻挡层材料的扩散阻挡性能，也有助于减少尺寸效应引起的铜布线电阻增加，利用沉积形成的Al2O3过渡层的非晶结构，可以明显改善ZrN阻挡层与硅基底的界面结合，具有非晶结构的Al2O3/ZrN双层阻挡层具有较高的热稳定性，提高了抗Cu原子扩散的阻挡性能。
一种用于互连 al base sub

[发明专利]具有OH阻挡层的光纤预制品及其生产方法-CN99807756.9无效
发明人：吴成国;徐晚硕;都文显;杨镇成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-06-22 - 公布日： 2001-08-22 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：具有基管、包覆层和芯层的光纤预制品还包含第一阻挡层,其是通过在基管和包覆层之间的具有低OH扩散系数的材料沉积的。其中第一阻挡层可防止包含在基管中的OH扩散到包覆层中。光纤预制品还包含一个第二阻挡层,其是通过在包覆层和芯层之间沉积具有低OH扩散系数的材料而形成的,用于防止已经从基管扩散到包覆层中的OH再扩散到芯层中。不包含P2O5的外和内OH阻挡层沉积到基管与包覆层之间及包覆层和芯层之间,从而可防止在芯沉积过程、压平过程或封闭过程中OH从基管扩散到芯层中。
具有 oh 阻挡光纤预制及其生产方法

[发明专利]一种集成电路铜互连结构制备方法及相关器件-CN202111143335.5在审
发明人：花蔚蔚 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成电路铜互连结构制备方法及相关器件，其中方法通过在下层铜互连线表面和上层通孔/沟槽底部增加一层铜扩散阻挡层，使刻蚀只能至铜扩散阻挡层而非铜金属表面，而铜扩散阻挡层可在后续的通孔/沟槽的铜扩散阻挡层沉积时
一种集成电路互连结构制备方法相关器件

[发明专利]半导体器件中制作金属阻挡层的方法-CN95109193.X无效
发明人：张玹珍;李禹奉;文永和;全英昊;高在浣;具永谟;金世桢 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-07-07 - 公布日： 2001-03-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制作ＴｉＮＯ金属阻挡层的方法，该金属阻挡层是在金属层间作为阻止Ｓｉ原子扩散用的扩散阻挡层，所述方法包括使用Ａｒ和Ｎ＃-[2]气体，通过一个溅射设备制作一TiN膜的步骤，该方法还包括如下步骤在所述ＴｉＮ膜上部注入N＃-[2]O气体；和把所生成的膜层在N＃-[2]气氛下退火，使氧离子扩散，从而将所述所生成的膜层制成均匀的TiNO膜。
半导体器件制作金属阻挡方法

[发明专利]导电结构及制造方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置-CN201210096583.3无效
发明人：郑在纹;黄秋平;林盛实;金童燮;徐朝焕;徐华伟;陈正伟;薛建设 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：其中所述导电结构包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。本发明利用多层导电结构阻止外部离子扩散进入铜层以及铜层铜离子的向外扩散，从而减少离子扩散对铜金属层的电学性能和化学耐腐蚀性能的不良影响，同时，由于阻挡层与衬底基板或半导体层之间具有良好的粘附性，能够提高导电结构的粘合稳固程度；并且，该导电结构中的各个层都具有类似的刻蚀选择性，有利于对多层导电结构的刻蚀/图案化处理。
导电结构制造方法薄膜晶体管阵列显示装置

[实用新型]导电结构、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置-CN201220138478.7有效
发明人：郑在纹;黄秋平;林盛实;金童燮;徐朝焕;徐华伟;陈正伟;薛建设 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：其中所述导电结构包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。本实用新型利用多层导电结构阻止外部离子扩散进入铜层以及铜层铜离子的向外扩散，从而减少离子扩散对铜金属层的电学性能和化学耐腐蚀性能的不良影响，同时，由于阻挡层与衬底基板或半导体层之间具有良好的粘附性，能够提高导电结构的粘合稳固程度；并且，该导电结构中的各个层都具有类似的刻蚀选择性，有利于对多层导电结构的刻蚀/图案化处理。
导电结构薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]新型阻挡层堆体及其方法、组合物-CN201610130502.5在审
发明人：偌维·布拉萨德 -专利权人：维特里弗莱克斯公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C09D133/08 文献下载
摘要：本发明描述了一种阻挡层堆体。该阻挡层堆体包括：(i)包括缺陷的阻挡材料；(ii)遮盖阻挡材料缺陷的密封层；(iii)其中，在阻挡层堆体处于运行状态时，密封层的存在可减少或防止蒸汽和/或气体分子通过阻挡材料的缺陷进行扩散。
新型阻挡层堆体及其方法组合

[发明专利]新型阻挡层堆体及其方法、组合物-CN201380044869.X在审
发明人：偌维·布拉萨德 -专利权人：维特里弗莱克斯公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： F16J15/02 文献下载
摘要：本发明描述了一种阻挡层堆体。该阻挡层堆体包括：(i)包括缺陷的阻挡材料；(ii)遮盖阻挡材料缺陷的密封层；(iii)其中，在阻挡层堆体处于运行状态时，密封层的存在可减少或防止蒸汽和/或气体分子通过阻挡材料的缺陷进行扩散。
新型阻挡层堆体及其方法组合

[发明专利]用于液晶显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法-CN200380103627.X无效
发明人：赵范锡;郑敞午 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：基板(10)、扩散阻挡层(11)和铜合金层(12)相继形成在TFT基板上。铜合金包括约0.5at％至约15at％的一种材料从而形成栅极布线层。该材料用于形成扩散阻挡层(11)。包括诸如Zr、Ti、Hf、V、Ta、Ni、Cr、Nb、Co、Mn、Mo、W、Rh、Pd、Pt等的材料的化合物沉积在扩散阻挡层(11)上至约50至约5,000的厚度。另外，利用薄扩散阻挡层，蚀刻工艺被简化并且相互扩散被防止。
用于液晶显示装置薄膜晶体管及其制造方法

[其他]多结半导体器件-CN85107988无效
发明人：高田纯;山口美则;太和田喜久 -专利权人：钟渊化学工业株式会社
申请日： 1985-09-30 - 公布日： 1989-01-04 - 主分类号：文献下载
摘要：一个含有Ｐ－层，ｎ－层和扩散阻挡层的耐热多结半导体器件，其扩散阻挡层提供在Ｐ－层和ｎ－层之间。该半导体器件能够减少由于Ｐ－层和ｎ－层中的掺杂剂原子分别扩散到其它原中所引起的品质下降。
半导体器件

[实用新型]铜钨电连接结构-CN202023050071.2有效
发明人：胡杏;邹文;贺忻;李朝勇 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种铜钨电连接结构，包括：第一阻挡层，位于铜层的表面；缓冲层，位于所述第一阻挡层的表面；第二阻挡层，位于所述缓冲层的表面；其中，钨层形成于所述第二阻挡层的表面。本实用新型可以满足阻止金属扩散、提高器件稳定性、降低生产成本等多种需求。
铜钨电连接结构

[发明专利]半导体工艺方法-CN201910398689.0在审
发明人：韦伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺方法,包括如下步骤：对待处理材料层进行离子注入；于离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层；将表面形成有离子扩散阻挡层的待处理材料层进行退火处理。本发明的半导体工艺方法通过首先在离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层，再将离子注入后的待处理材料层进行退火处理，在退火处理过程中，离子扩散阻挡层可以阻挡离子的扩散，从而避免离子扩散至快速热退火机台的腔室内
离子扩散机台待处理材料快速热退火离子阻挡层半导体工艺表面形成退火处理室内温度探测装置处理材料腔室内壁人力物力报废率附着探测阻挡扩散节约维护

[发明专利]太阳能电池及其阻挡层-CN201811012497.3在审
发明人：刘宇;王雪戈 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供一种太阳能电池的阻挡层，包括第一阻挡层、第二阻挡层以及第三阻挡层。第一阻挡层覆盖于太阳能电池的衬底的表面。第二阻挡层包括铬、钛或氮化钛中的至少一种，覆盖于第一阻挡层远离衬底的表面。第三阻挡层包括第二钼化合物，覆盖于第二阻挡层，第二阻挡层设置于第一阻挡层和第三阻挡层之间。阻挡层位于太阳能电池的衬底和太阳能电池的背电极之间。通过第一阻挡层、第二阻挡层以及第三阻挡层可以形成多个界面，从而有效阻挡衬底中的杂质的扩散。第二阻挡层通过采用铬、钛或氮化钛，还可以减小电阻。在第一阻挡层和第三阻挡层使用第一钼化合物和第二钼化合物，可以增加阻挡效果，同时可以提升与衬底和背电极的结合力。
阻挡层太阳能电池衬底钼化合物背电极氮化钛覆盖阻挡结合力电阻减小扩散申请