[发明专利]半导体工艺方法在审
| 申请号： | 201910398689.0 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110148559A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 韦伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺方法,包括如下步骤：对待处理材料层进行离子注入；于离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层；将表面形成有离子扩散阻挡层的待处理材料层进行退火处理。本发明的半导体工艺方法通过首先在离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层，再将离子注入后的待处理材料层进行退火处理，在退火处理过程中，离子扩散阻挡层可以阻挡离子的扩散，从而避免离子扩散至快速热退火机台的腔室内，不会在快速热退火机台的腔室内壁造成附着，可以确保温度探测装置准确探测快速热退火机台的腔室内的温度，降低产品的报废率；同时，还可以降低快速热退火机台的维护频率，从而节约人力物力。 | ||
| 搜索关键词： | 离子扩散 机台 待处理材料 快速热退火 离子 阻挡层 半导体工艺 表面形成 退火处理 室内 温度探测装置 处理材料 腔室内壁 人力物力 报废率 附着 探测 阻挡 扩散 节约 维护 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：对待处理材料层进行离子注入；于离子注入后的所述待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层；将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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