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[发明专利]太阳能电池-CN201910703508.0在审
发明人：孙暮雪 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：该太阳能电池包括顺序层叠的衬底、外延层、扩散阻挡层和背金属层，扩散阻挡层为石墨烯复合材料层，石墨烯复合材料层由石墨烯和石墨烯量子点复合而成。本发明通过在外延层和背金属之间生长石墨烯‑石墨烯量子点复合材料作为背金属的扩散阻挡层，通过石墨烯量子点表面原子与背金属Cu原子的结合，限制Cu的扩散，起到扩散阻挡层的作用；并且，石墨烯的电阻率极小，有利于优化背电极电阻，提高太阳能电池的转换效率；进一步地，采用石墨烯量子点层或石墨烯‑石墨烯量子点复合结构替代一般的金属扩散阻挡层，还能够使背电极厚度变小，有利于对背电极应力的控制。
太阳能电池

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备-CN202010628369.2有效
发明人：李永亮;程晓红;李俊杰;张青竹;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于在无损伤半导体器件内部结构的前提下形成阻挡层，抑制寄生沟道漏电，提高半导体器件的性能。所述半导体器件包括：衬底、堆叠结构、扩散掺杂叠层和栅堆叠结构。堆叠结构包括阻挡层和有源层。有源层包括源区、漏区和沟道区。沟道区分别与源区和漏区接触。扩散掺杂叠层形成在衬底上。扩散掺杂叠层至少环绕在阻挡层的外侧壁。扩散掺杂叠层用于向阻挡层扩散杂质。扩散至阻挡层内的杂质的掺杂类型与源区和漏区内杂质的掺杂类型相反。栅堆叠结构形成在沟道区外周。
一种半导体器件及其制造方法电子设备

[发明专利]金属互连结构的制备方法-CN202111226452.8在审
发明人：鲍宇;曾招钦 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属互连结构的制备方法，包括：在介质层中形成沟槽，介质层中形成有金属连线，沟槽底部的金属连线暴露；在介质层和所述沟槽表面形成初始金属层，初始金属层包括目标金属元素或目标金属元素和目标金属元素的化合物；在初始金属层表面形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层表面形成种籽层；在种籽层上形成金属层，金属层填充沟槽，金属层和种籽层中包含的金属元素相同；进行平坦化处理，去除沟槽外的初始金属层、扩散阻挡层、种籽层和金属层，使所述沟槽外的介质层暴露。本申请通过在金属互连结构的制备工艺中，在形成扩散阻挡层之前，形成初始金属层以增强扩散阻挡层和其下方的金属连线之间的粘附力，提高器件的可靠性与产品的良率。
金属互连结构制备方法

[发明专利]柱状结构及其形成方法、倒装芯片接合结构-CN201010222594.2有效
发明人：林俊成;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：该方法包括沉积铜以形成铜柱层；沉积扩散阻挡层于铜柱层之上；沉积铜盖层于扩散阻挡层之上，其中于铜盖层与扩散阻挡层之间形成介金属化合物(IMC)；以及焊料层形成于铜盖层之上。介金属化合物对于铜柱结构具有良好的粘着性，且介金属化合物的厚度由铜盖层的厚度决定，且扩散阻挡层限制铜从铜柱层中扩散到焊料层。于沉积铜盖层之前，方法中还包括沉积一薄层于扩散阻挡层之上，以增进湿润性(wetability)。本发明的优点包括于铜柱凸块上形成良好粘着性的介金属化合物(IMC)，且形成整体可靠的结构。
柱状结构及其形成方法倒装芯片接合

[发明专利]扩散阻挡及其形成方法-CN201010196073.4无效
发明人：帕特里克·W·德黑文;丹尼尔·C·埃德尔斯坦;菲利普·L·弗莱茨;野上毅;斯蒂芬·M·罗斯纳格尔;杨智超 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种扩散阻挡及其形成方法。该在半导体装置的制造中使用的形成扩散阻挡的方法，包括在构图的层间电介质(ILD)层上方，通过物理气相沉积(PVD)工艺，沉积掺杂以铱的钽基阻挡层，其中所述阻挡层以至少60％原子重量的铱浓度沉积使得所述阻挡层具有所得的非晶结构
扩散阻挡及其形成方法

[发明专利]微机电装置的扩散阻挡层-CN201210065596.4无效
发明人：王新福;唐明华;斯蒂芬·奇 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2006-10-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。
微机装置扩散阻挡

[发明专利]半导体装置-CN202011407727.3在审
发明人：傅世刚;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体装置包括介电层及接点结构，介电层位于基板上，接点结构埋置于介电层中。接点结构包括扩散阻挡层以接触介电层，且扩散阻挡层包括含钛合金。导电结构还包括衬垫层于扩散阻挡层上，且衬垫层包括贵金属。
半导体装置

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN201410366450.2有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种互连结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，形成第一层间介质层以及第一导电插塞；依次形成第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层；硬度高于第二扩散阻挡层的盖帽层以及粘附层；形成所述粘附层之后，在粘附层上形成第二层间介质层本发明还提供一种互连结构，包括衬底，第一层间介质层以及第一导电插塞、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层、盖帽层以及粘附层，形成于所述粘附层上的第二层间介质层。本发明的有益效果在于，可以减小第一导电插塞与第一层间介质层、互连结构的其他构件之间发生交叉扩散发生的几率、减少等离子体损伤、增加第一层间介质层与第二层间介质层之间的粘附力。
互连结构及其形成方法

[发明专利]一种三维封装互连焊点下Cu6-CN201510390429.0在审
发明人：张志昊;李明雨;操慧珺 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维封装互连焊点下Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层的合成方法，包括：1)Cu6Sn5相单晶薄层制备；2)铜焊盘表面蒸镀锡层；3)Cu6Sn56Sn5相单晶元素扩散阻挡层结构的元素扩散阻挡能力是传统镍基元素扩散阻挡层结构的72倍以上，是Cu6Sn5相多晶元素扩散阻挡层结构的144.3倍以上。具备成为替代现有三维封装互连焊点下元素扩散阻挡层结构的潜力，有极高的工业应用价值。
一种三维封装互连焊点下 cu base sub

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911150860.2在审
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；在漂移区中形成沟槽；在沟槽中形成扩散阻挡层；形成扩散阻挡层后，在阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构，栅极结构位于扩散阻挡层靠近阱区的一侧；在栅极结构一侧的阱区内形成源区，在栅极结构另一侧的漂移区内形成漏区，漏区位于漂移区中的扩散阻挡层远离阱区的一侧。本发明实施例中，半导体结构工作时，在扩散阻挡层的阻挡作用下，漏区中的掺杂离子不易扩散到栅极结构下方的沟道区中，这使得栅极结构两侧的源区和漏区的耗尽层不易扩展，从而有利于改善短沟道效应，进而提高半导体结构的电学性能
半导体结构及其形成方法

[发明专利]等离子体振动开关元件-CN03809646.3无效
发明人：吉井重雄;大塚信之;水野纮一;铃木朝实良;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板（101）；在该基板上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层（103），在第一阻挡层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层（104）；在沟道层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第二阻挡层（105）；和在第二阻挡层上设置的源极电极（107）、栅极电极（109）以及漏极电极（108），第一阻挡层具有n型扩散层（103a），第二阻挡层具有p型扩散层（105a），沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层（106）在第二阻挡层上形成
等离子体振动开关元件

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN200710180080.3无效
发明人：金东贤;姜昌珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法，该非易失性存储器件包括衬底沟道区上的隧道绝缘层、在隧道绝缘层上的电荷俘获层图案和在电荷俘获层图案上的第一阻挡层图案。第二阻挡层图案在接近电荷俘获层图案侧壁的隧道绝缘层上。第二阻挡层图案配置来限制在电荷俘获层图案中俘获的电子的横向扩散。栅极在第一阻挡层图案上。第二阻挡层图案可以防止电荷俘获层图案中俘获的电子的横向扩散。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]一种双大马士革结构中铜阻挡层的淀积方法-CN02137195.4无效
发明人：李铭 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明是一种双大马士革结构铜阻挡层的沉积方法。铜作为新的连线材料运用在集成电路制造工艺中。由于铜对半导体器件的危害性，所以淀积铜之前，应先淀积一层阻挡层，以防止铜的扩散。目前一般采用离子化物理气相淀积工艺淀积阻挡层。阻挡层在介质层与铜之间，起到了阻止铜扩散的作用。但是，阻挡层也存在于上下两层铜之间，且阻挡层的电阻率比铜大很多，因此增加了两层铜之间的接触电阻。本发明利用现有的I－PVD工艺，将阻挡层淀积分成两步，使用不同的衬底偏压、金属靶功率和氩气流量，从而有效地减少上下两层铜之间的阻挡层厚度，并增加介质层侧壁上的阻挡层厚度，同时保证介质层上方有足够的阻挡层
一种大马士革结构阻挡方法

[发明专利]金属栅极结构及其形成方法-CN201410425850.6有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：所述金属栅极结构中，介质层的凹槽的侧壁以及底部设有作为扩散阻挡层的氮化钛层，所述氮化钛层从靠近所述凹槽内表面到远离所述凹槽内表面的方向依次包括TiNx、TiN和TiNy，其中x＜1，y＞1。相比与现有的扩散阻挡层，具有上述结构的氮化钛层可有效减少金属栅极内金属原子向介质层的扩散的问题，所述扩散阻挡层具有较好的扩散阻挡能力，从而提高了后续形成的半导体器件的性能。
金属栅极结构扩散阻挡层氮化钛层凹槽内表面介质层扩散阻挡能力半导体器件金属原子金属栅极有效减少侧壁扩散

[发明专利]接触孔结构的形成方法及该接触孔结构-CN201911053373.4有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种接触孔结构的形成方法及该接触孔结构，包括：在介质层上形成凹槽；依次在凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层，浸润层的在形成的过程中在凹槽的开口处形成突起结构；通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶，去除突起结构；在铜籽晶上形成铜层，该铜层填充凹槽；对凹槽外剩余的扩散阻挡层和铜层进行去除处理。本申请通过在接触孔的凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层后，通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶，去除浸润层在凹槽开口处形成的突起结构，从而扩大了凹槽的开口尺寸，便于后续的导电材料填充
接触结构形成方法

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