|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 33个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]一种压差稳定型半导体制造无尘室-CN202222327892.9有效
-
周晓兆
-
广东汉岂工业技术研发有限公司
-
2022-09-01
-
2023-04-25
-
H05K5/02
- 本实用新型公开了一种压差稳定型半导体制造无尘室，属于半导体制造技术领域，包括框体，所述所框体前端设置有垂帘，述框体一端设置有防静电围帘，所述框体另一端设置有玻璃门，所述框体后端设置有背板，本实用新型通过设置干燥组件，排风机工作对无尘室内部进行换气工作时，空气进入固定管中，固定管中的防尘网对空气中的灰尘进行过滤，之后除湿网可对空气中的湿气进行吸附，最后电热丝对空气中的湿气进行蒸发去除，经过处理后的空气通过固定斗、连接管和排风机进入无尘室中，通过设置干燥组件可对进入无尘室中的空气进行干燥处理，避免进入无尘室中的空气湿度较大影响半导体制造的安全性。
- 一种稳定半导体制造无尘室
- [实用新型]厂房洁净室用节能新风系统-CN202222215373.3有效
-
冯睿明
-
广东汉岂工业技术研发有限公司
-
2022-08-22
-
2023-01-17
-
F24F7/003
- 本实用新型公开了厂房洁净室用节能新风系统，属于洁净室技术领域，包括机箱组件，所述机箱组件的一侧设置有新风进气组件，所述新风进气组件的外侧设置有消毒装置，所述机箱组件与消毒装置之间通过除潮装置进行连接；本实用新型通过设置消毒装置，使得系统能够在需要的时候通过消毒液对新风进行一定的消毒杀菌处理，从而降低了外界的细菌进入厂房洁净室的可能，进而提高了系统的健康性；本实用新型通过设置除潮装置，使得系统能够在需要的时候通过硅胶干燥剂对新风进行一定的干燥处理，从而防止了过多的水分进入厂房洁净室，减少了厂房洁净室内半导体制造工作受到潮湿影响的可能，进而提高了系统的实用性。
- 厂房洁净室节能新风系统
- [发明专利]MIM电容器及其制造方法-CN202010043961.6有效
-
林昱佑
-
广东汉岂工业技术研发有限公司
-
2020-01-15
-
2022-08-19
-
H01L23/522
- 本发明提出了一种MIM电容器及其制造方法，MIM电容器包括CBM电极(300)、CTM电极(100)以及设置在CBM电极(300)、CTM电极(100)之间的第一介电层(200)；MIM电容器还包括第二介电层(600)以及设置在第二介电层(600)底面的第一介电阻挡层(700)；第二介电层(600)内部形成有沟槽(610)，该沟槽(610)贯穿第一介电阻挡层(700)并在第一介电阻挡层(700)上形成底部开口；MIM电容器包括布设在沟槽(610)内壁上并封闭底部开口的第一扩散阻挡层(500)以及布设在沟槽(610)内并位于第一扩散阻挡层(500)上表面上的第二扩散阻挡层(400)；CBM电极(300)、第一介电层(200)和CTM电极(100)也设置在沟槽(610)内；本发明的MIM电容器及其制造方法设计新颖，实用性强。
- mim电容器及其制造方法
- [实用新型]一种半导体研磨液供给装置-CN202123276978.5有效
-
周晓兆
-
广东汉岂工业技术研发有限公司
-
2021-12-22
-
2022-05-17
-
B01F27/90
- 本实用新型公开了一种半导体研磨液供给装置，属于研磨设备技术领域，包括外箱体，所述外箱体的上端设置有散热组件；所述散热组件包括电机一、转动辊二、散热风扇二、传送带、水冷散热组件、散热风扇一和转动辊一，其中，所述外箱体的上端设置有电机一，所述电机一的下端设置有转动辊一，所述转动辊一的下端设置有散热风扇一，所述转动辊一的表面设置有传送带，所述传送带的另一端设置有转动辊二，本实用新型通过设置了散热组件，该组件可以对供给装置进行散热降温，避免电气箱和控制泵长时间的使用产生的热量无法及时排出的问题，通过设置水冷散热组件，可以配合散热风扇进行双重降温，从而提升装置的散热效率。
- 一种半导体研磨供给装置
- [实用新型]一种半导体超纯水系统-CN202123158738.5有效
-
胡加红
-
广东汉岂工业技术研发有限公司
-
2021-12-15
-
2022-05-17
-
B01D29/56
- 本实用新型公开了一种半导体超纯水系统，属于超纯水处理技术领域，包括处理箱，所述处理箱的上端一侧设置有入液口，所述处理箱上端远离入液口的一侧设置有盖板，所述处理箱的内部一侧设置有过滤板，所述处理箱的下端设置有储水箱，所述储水箱的一端设置有排液管，所述处理箱的内部远离过滤板的一侧设置有水泵，所述水泵与储水箱之间设置有过滤管，所述处理箱的上端两侧与入液口对应的位置设置有固定板，本实用新型通过在入液口一侧设置盖盒，当处理箱不使用时可握住弧形板带动盖盒在固定板上转动，盖盒放下后可对入液口起到封堵作用，防止处理箱不使用时外界灰尘等杂质通过入液口进入处理箱中，影响后续处理质量。
- 一种半导体超纯水系统
- [实用新型]一种半导体厂房抗微震结构-CN202123125369.X有效
-
胡加红
-
广东汉岂工业技术研发有限公司
-
2021-12-08
-
2022-05-03
-
E04B1/98
- 本实用新型公开了一种半导体厂房抗微震结构，属于房屋抗震技术领域，包括底板，所述底板上贯穿设置有若干螺纹杆，所述螺纹杆的下端设置有第一支撑竖杆，所述第一支撑竖杆的下端设置有第二支撑竖杆，所述底板的上端两侧设置有若干竖梁，两个所述竖梁之间上端设置与顶梁，所述顶梁的下侧设置有连接梁，所述连接梁的两端设置有安装板一，所述安装板一与竖梁之间通过安装螺栓一连接，本实用新型通过在两个竖梁之间设置连接梁，并将连接梁两端的安装板一通过安装螺栓一与竖梁连接固定，之后再将安装板二通过安装螺栓二与顶梁连接固定，连接梁和支撑梁对顶梁与竖梁起到支撑固定作用，顶梁与竖梁之间稳固性更强，提高结构抗震性。
- 一种半导体厂房抗微震结构
- [实用新型]一种半导体洁净室节能空调系统-CN202122975481.6有效
-
周晓兆
-
广东汉岂工业技术研发有限公司
-
2021-11-29
-
2022-04-12
-
F24F1/0076
- 本实用新型公开了一种半导体洁净室节能空调系统，属于半导体洁净室技术领域，包括机体，所述机体的一侧安装有出风口，所述机体远离出风口的一侧设置有进风口，所述机体与进风口之间通过杀菌装置进行连接；所述杀菌装置包括透明罩、杀菌灯和固定框；本实用新型通过设置杀菌装置，使得空调系统能够在需要的时候通过杀菌灯对经过固定框的空气进行一定的杀菌处理，从而降低了空调系统排出的空气中含有细菌的可能，进而提高了空调系统的实用性；本实用新型通过设置排气装置，使得使用者能够在需要的时候对空调系统排出空气的高度进行一定的调节，从而更好地满足使用者的不同需要，进而提高了空调系统的调节能力。
- 一种半导体洁净室节能空调系统
- [实用新型]一种半导体冰机冷却水杀菌去藻处理装置-CN202122975483.5有效
-
胡加红
-
广东汉岂工业技术研发有限公司
-
2021-11-29
-
2022-04-12
-
C02F1/00
- 本实用新型公开了一种半导体冰机冷却水杀菌去藻处理装置，属于杀菌消毒技术领域，包括储料仓，所述储料仓的底部设置有传动组件，所述储料仓的侧面安装有定位框，所述定位框的内部嵌有盖板，所述盖板的内部设置有卡接组件，本实用新型通过设置传动组件使电机带动调节杆转动，在固定框与通槽卡接下使电机与调节杆的传动连接更加稳定，再通过齿轮一与齿轮二之间的啮合传动使另一侧的调节杆同步转动，进而使储料仓平稳下降完成预埋；本实用新型通过设置卡接组件握住把手向一侧推动连接板，可同步带动限位杆移动与通孔脱离卡接，将盖板抬起使其进入固定套内，在弹簧的作用力下使限位杆与顶部通孔完成卡接便可对盖板实施固定。
- 一种半导体冷却水杀菌处理装置
- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010694708.7在审
-
张峰溢;苏廷锜
-
广东汉岂工业技术研发有限公司
-
2020-07-17
-
2022-01-18
-
H01L21/336
- 本发明提出了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1、提供带有鳍片(10)的硅衬底(1)，并通过光刻技术在鳍片(10)顶部开设凹槽(11)；步骤S2、将介电材料填入凹槽(11)到一定高度，以形成STI结构(20)；步骤S3、在凹槽(11)内位于STI结构(20)上方的空间中形成外表面带有限制壳层(21)的介电材料部(22)，并使限制壳层(21)顶面与鳍片(10)顶面平齐；步骤S4、通过蚀刻工艺，使鳍片(10)顶面高于硅衬底(1)顶面；然后在限制壳层(21)顶面上设置栅极(300)，从而形成SDB结构。本发明的半导体器件的制造方法设计新颖，实用性强。
- 一种半导体器件及其制造方法
- [发明专利]一种FinFET制造方法-CN202010464454.X在审
-
张峰溢
-
广东汉岂工业技术研发有限公司
-
2020-05-27
-
2021-12-03
-
H01L21/336
- 本发明公开了一种FinFET制造方法，包括：采用多重图形化掩膜工艺形成包括衬底、第一氧化层、硬掩膜层、第二氧化层和多个间隔件的结构；对上述图形化的结构进行蚀刻，在与多个间隔件位置对应的部分形成多个鳍片，每个鳍片上方形成有第一氧化层、硬掩膜层和第二氧化层；在相邻两个鳍片之间形成浅沟道隔离区，浅沟道隔离区的高度与鳍片的高度相同；对每个浅沟道隔离区进行凹陷处理在相邻两个鳍片之间形成凹槽，以露出鳍片的上部；在每个鳍片和每个凹槽表面沉积ALD薄膜；对沉积有ALD薄膜的多个鳍片和凹槽进行切割处理。由此，可以看到通过本发明方法制得的FinFET结构的鳍片并无倾斜、凹槽边缘对称、凹槽深度相同且鳍片特征尺寸相同。
- 一种finfet制造方法
|
