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[发明专利]利用感应耦合等离子干法刻蚀提高摩擦电输出性能的方法-CN202210449601.5在审
发明人：应义斌;代淑芬;李逊甲;平建峰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用感应耦合等离子干法刻蚀提高摩擦电输出性能的方法。用感应耦合等离子体干法刻蚀仪对膜的上表面进行刻蚀处理，使得在膜的上表面形成纳米纹理化结构；再用感应耦合等离子体刻蚀仪对膜的上表面进行沉积处理，使得在纳米纹理化结构上表面沉积一层氟碳层。本发明是通过感应耦合等离子体干法刻蚀处理法，在PVC薄膜表面构建纳米纹理结构以及覆盖一层氟碳物质，提高薄膜的摩擦电输出性能。
利用感应耦合等离子刻蚀提高摩擦输出性能方法

[发明专利]一种用于温室薄膜的超疏水改性方法-CN202110309075.8有效
发明人：平建峰;张琪;应义斌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：将PE膜置于感应耦合等离子体刻蚀仪中；通过感应耦合等离子体刻蚀仪对PE膜的上表面进行刻蚀处理一段时间，使得在PE膜上表面形成纳米纹理化结构；通过感应耦合等离子体刻蚀仪对PE膜的上表面进行沉积处理一段时间本发明是通过感应耦合等离子体刻蚀的两步处理法，在薄膜表面构建纳米纹理结构以及覆盖一层低表面能的物质，赋予薄膜优异的超疏水特性以及自清洁能力。
一种用于温室薄膜疏水改性方法

[发明专利]显示面板及薄膜晶体管的栅极绝缘层的重工方法-CN200910207142.4有效
发明人：张嘉旭;陈姵伃 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及薄膜晶体管的栅极绝缘层的重工方法，该方法包括：提供一基板，该基板包括一作为栅极绝缘层的氮化硅层位于该基板的一表面上；进行一第一脱膜工艺，以移除该基板上的该氮化硅层，包括进行一感应耦合等离子体刻蚀工艺以刻蚀该氮化硅层，其中该感应耦合等离子体刻蚀工艺的通入气体包括六氟化硫气体与氧气，六氟化硫的流量大体上介于300sccm至500sccm之间，氧气的流量大体上介于150sccm至350sccm之间，该感应耦合等离子体刻蚀工艺的工艺压力大体上介于80mtorr至160mtorr之间，且该感应耦合等离子体刻蚀工艺的工艺功率大体上介于2000W至3000W之间。
显示面板薄膜晶体管栅极绝缘重工方法

[发明专利]基于硅片刻穿的体硅加工工艺-CN201410141817.0有效
发明人：涂良成;刘金全;范继;伍文杰;罗俊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：包括如下步骤：在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；在硅片背面镀金属膜；用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构本发明能有效提高光刻胶的选择比，刻蚀深度以及刻蚀槽侧壁的垂直度。
基于硅片加工工艺

[实用新型]一种电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件-CN202221848457.4有效
发明人：唐观扬;杨宽;左涛涛;倪图强;刘身健 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件，属于等离子刻蚀技术领域，为了解决刻蚀工艺过程中基片表面不同区域刻蚀速率不均匀的问题，本实用新型的电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件包括在反应腔内产生等离子体的射频线圈；位于射频线圈上方的通入直流电流的直流线圈，以及位于直流线圈和射频线圈之间的屏蔽层，通过设置屏蔽层，避免在等离子体工艺过程中射频线圈在直流线圈中产生感应电流，以保护直流源，减少射频损失。
一种电感耦合等离子处理设备线圈组件

[发明专利]氮化镓器件介质生长方法及系统-CN201610513019.5在审
发明人：刘新宇;康玄武;王鑫华;黄森;魏珂;王文武;侯瑞兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓GaN器件介质生长方法及系统，氮化镓器件介质生长过程中的高温感应耦合等离子体刻蚀工艺、远程等离子体修饰工艺及沉积工艺之间的转移通过集簇式封闭传送系统进行传送，从而能够在无氧传送环境中在各种工艺系统之间转移，有效避免材料表面的氧化、碳化、酸碱沾污等问题，同时无氧传输环境中的刻蚀工艺采用高温感应耦合等离子体刻蚀，有利于形成低界面态的器件。
氮化器件介质生长方法系统

[发明专利]一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备-CN202011456912.1在审
发明人：李相龙;周娜;李琳;王佳;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备，涉及半导体技术领域，用于调节气体注入部的端部与待刻蚀对象之间的距离，确保待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，提高刻蚀均匀性。所述反应腔室设备包括：气体注入部和升降调节部；气体注入部的第一端通过反应腔室的电介质窗口伸入反应腔室内，气体注入部内开设有向反应腔室内提供刻蚀气体的供气通道；升降调节部与气体注入部的第二端连接，升降调节部用于调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离所述反应腔室应用于感应耦合等离子体刻蚀设备中。
一种反应感应耦合等离子体刻蚀设备

[发明专利]一种感应耦合等离子体刻蚀设备及刻蚀方法-CN201811246568.6在审
发明人：刘小波;李雪冬;胡冬冬;车东晨;王佳;陈璐;徐康宁;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种感应耦合等离子体刻蚀设备及刻蚀方法。该感应耦合等离子体刻蚀设备包括刻蚀腔、激励射频电源、第一偏压射频电源，还包括第二偏压射频电源，第二偏压射频电源的频率明显低于第一偏压射频电源频率。本发明能够通过调节不同频率射频偏压来控制离子能量的分布，从而调节刻蚀的工艺，使得刻蚀的速度和角度更加可控。另外，由于在低气压和低偏压射频频率下，离子的平均自由程比较大，刻蚀的功率利用率比较高，因此，可以以相对低的功率快速刻蚀，实现绿色节能加工。本发明适用于磁性隧道结的刻蚀。
一种感应耦合等离子体刻蚀设备方法

[发明专利]在感应耦合等离子体刻蚀中保护刻蚀结构的方法-CN200510012079.0无效
发明人：阮勇;张大成;王阳元;张兴;李婷;田大宇;罗葵;王兆江;于晓梅;杨芳;李修函;刘晓娣 -专利权人：北京大学
申请日： 2005-07-01 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
感应耦合等离子体刻蚀保护结构方法

[发明专利]一种去除光刻胶底膜的工艺方法-CN201710731276.0有效
发明人：孔欣 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体加工制造领域，公开了一种去除光刻胶底膜的工艺方法，包括如下步骤：利用传送手臂将待处理晶圆送至感应耦合等离子体刻蚀机的工艺腔体内，并将传送手臂收回；待晶圆位置固定之后，在工艺腔体内采用Ar等离子体处理待处理晶圆，并控制感应耦合等离子体刻蚀机的功率处于第一预设功率，偏置功率处于第二预设功率，并停留预设时长；在工艺腔体内采用O
一种去除光刻胶底膜工艺方法

[发明专利]一种深硅刻蚀方法-CN201410140457.2有效
发明人：涂良成;伍文杰;范继;刘金全;罗俊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；（2）对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。本发明有效解决了现有技术中侧壁垂直度及粗糙度难以控制以及大刻蚀深度难以实现的问题，在提高刻蚀效率的同时，提高了对光刻胶的选择比，刻蚀槽侧壁垂直度高，粗糙度小，刻蚀深度大。
一种刻蚀方法

[发明专利]柔性声电基板及其制备方法、柔性声电装置-CN201910447022.5有效
发明人：韩艳玲;董学;王海生;刘英明;赵利军;郭玉珍;李佩笑;姬雅倩;张晨阳;李秀锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：柔性声电基板的制备方法包括：形成柔性基底；在所述柔性基底上形成规则排布的多个压电组件；采用感应耦合等离子体刻蚀所述柔性基底，形成与所述多个压电组件一一对应的腔室。本发明通过感应耦合等离子体刻蚀方式在柔性基底内形成腔室，腔室的刻蚀均匀性好，无刻蚀残留，易于工艺实现，有效解决了现有方法存在良品率低、工艺实现复杂等缺陷。
柔性声电基板及其制备方法装置

[发明专利]氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法-CN202111439662.5在审
发明人：淮永进;张彦秀;梁维佳;王乾 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法。该氧化钒薄膜的刻蚀方法包括：形成覆盖氧化钒薄膜的部分表面的掩模；以及采用感应耦合等离子刻蚀工艺去除暴露的氧化钒薄膜，其中，感应耦合等离子刻蚀工艺的工艺气体包括刻蚀气体和辅助气体，刻蚀气体包括NF刻蚀方法能够解决钻蚀以及悬垂的问题，避免刻蚀后腐蚀现象的发生，保证刻蚀后氧化钒薄膜的侧壁具有较高质量，使半导体器件具有较高的可靠性。
氧化薄膜刻蚀方法半导体器件制造

[发明专利]VDMOS沟槽刻蚀方法及VDMOS-CN201410476065.3在审
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种VDMOS沟槽刻蚀方法，该方法在真空腔体中采用感应耦合等离子体刻蚀工艺对半导体衬底进行刻蚀，在刻蚀的过程中所述真空腔体的压力为120到130毫托。本发明中，由于提高了刻蚀过程中真空腔体内的压力，这样能够有效降低等离子体在沟槽底部的存在时间，降低化学反应速率，从而使刻蚀过程更加可控，能够有效避免沟槽底部的过刻。
vdmos 沟槽刻蚀方法

[实用新型]电感耦合等离子体刻蚀装置-CN201821343813.0有效
发明人：陈杰;盖晨光;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供的电感耦合等离子体刻蚀装置，包括用于产生等离子体的腔室以及用于密封所述腔室的盖板，还包括线圈组件；所述线圈组件包括在所述盖板背离所述腔室的表面均匀分布的若干子线圈，用于在所述腔室内部产生均匀分布的感应电场，以提高所述腔室内部等离子体分布的均匀性。本实用新型能够提高所述腔室内等离子体密度分布的均匀性，改善等离子体刻蚀效果，确保半导体器件的性能。
腔室电感耦合等离子体刻蚀本实用新型腔室内部线圈组件盖板均匀性等离子体等离子体分布等离子体刻蚀室内等离子体半导体器件感应电场密度分布子线圈密封背离

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