[发明专利]反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法、表征器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710827591.3 申请日: 2017-09-14
公开(公告)号: CN109507616A 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 谢亚丽;李润伟;詹清峰;王保敏;盛萍 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: G01R33/00 分类号: G01R33/00;G01R33/12;H01F1/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 单英
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法,具体是:将反铁磁材料表面设置铁磁材料,二者间发生耦合作用;对反铁磁材料提供应力,在应力作用下反铁磁材料的磁性发生变化,由于该耦合作用铁磁材料的磁性也发生变化,通过测量铁磁材料磁性的变化推出反铁磁材料在该应力作用下的磁性变化。利用该表征方法可得到反铁磁材料在应力作用下的磁性变化规律,据此可通过调控应力实现反铁磁材料磁性的调控。本发明还提供了一种表征器件,呈多层膜结构,依次为衬底层、反铁磁材料层、铁磁材料层以及保护层,具有结构简单,方便表征的优点。
搜索关键词: 反铁磁材料 磁性变化 应力作用 铁磁材料 耦合作用 反铁磁材料层 多层膜结构 铁磁材料层 表面设置 保护层 衬底层 力作用 调控 制备 测量
【主权项】:
1.一种反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法,其特征是:将反铁磁材料表面设置铁磁材料,二者间发生耦合作用;对反铁磁材料提供应力,在应力作用下反铁磁材料的磁性发生变化,由于该耦合作用铁磁材料的磁性也发生变化,通过测量铁磁材料磁性的变化推出反铁磁材料在该应力作用下的磁性变化。
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  • 赵晓锋;金晨晨;刘红梅;温殿忠 - 黑龙江大学
  • 2018-02-12 - 2018-12-11 - G01R33/00
  • 本发明公开了一种单片集成二维磁矢量传感器及其制作工艺,所述传感器包括用于检测二维磁场的八个硅磁敏三极管,其中两两硅磁敏三极管之间为并联设置,并分别形成第一磁敏感单元(MSE1)、第二磁敏感单元(MSE2)、第三磁敏感单元(MSE3)和第四磁敏感单元(MSE4),其中,所述第一磁敏感单元(MSE1)和第二磁敏感单元(MSE2)沿x轴按相反磁敏感方向设置,形成第一差分测试电路,用于x方向磁场(Bx)的检测;所述第三磁敏感单元(MSE3)和第四磁敏感单元(MSE4)沿y轴按相反磁敏感方向设置,形成第二差分测试电路,用于y方向磁场(By)的检测。本发明所述单片集成二维磁矢量传感器结构简单,实现了二维磁场的检测,芯片实现了小型化和单片集成化。
  • 磁干扰检测装置和方法以及方位估算装置和方法-201710362047.6
  • 乔智勇;刘贺飞;王萌 - 佳能株式会社
  • 2017-05-22 - 2018-12-07 - G01R33/00
  • 本发明公开了一种磁干扰检测装置和方法以及方位估算装置和方法。所述磁干扰检测装置包括:传感器数据获得单元,被配置为获得从磁性传感器生成的磁性传感器数据和从非磁性传感器生成的非磁性传感器数据;方位计算单元,被配置为基于所述磁性传感器数据计算第一方位并且基于所述非磁性传感器数据计算第二方位;提取单元,被配置为提取序列中所述第一方位与所述第二方位之间的差或相关性;磁干扰检测单元,被配置为通过将所述差或所述相关性与阈值进行比较来检测磁干扰。根据本发明,将改善用于预测磁性环境变化及提取可靠磁性传感器数据的磁干扰,从而将改善便携式设备的方位估算。
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