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[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN201811527126.9在审
发明人：张树德;魏青竹;倪志春;钱洪强;连维飞;揭建胜;张晓宏 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;苏州大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳电池，包括衬底层；位于衬底层第一表面的表面钝化层；位于表面钝化层背离衬底层的表面的空穴选择性接触层，且空穴选择性接触层为宽带隙空穴选择性接触层；位于空穴选择性接触层背离表面钝化层的表面的第一电极本申请中的异质结太阳电池中空穴选择性接触层为宽带隙空穴选择性接触层，空穴选择性接触层的带隙宽，空穴选择性接触层吸光范围小，可以大幅减小寄生光吸收，提升太阳电池短路电流密度和光电转换效率。此外，本申请还提供一种具有上述优点的异质结太阳电池制备方法。
选择性接触空穴衬底层异质结太阳电池表面钝化层本征层背离第二表面第一表面掺杂层宽带隙制备申请光电转换效率第二电极第一电极光吸收中空穴短路带隙寄生减小吸光

[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN202210380144.9在审
发明人：刘自然;何嵩;罗骞;张南;郭嘉杰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及光伏电池技术领域，公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，包括以下步骤：以N型单晶硅片为衬底，在N型单晶硅片的正面和反面分别形成二氧化硅隧道钝化层；在N型单晶硅片的正面形成宽带隙的N型多晶碳化硅层本申请所提供的异质结太阳电池的制备方法，无需制绒工序，从而避免了金属离子对电池片的污染以及KOH废液的处理工序，提升异质结太阳电池的性能同时又降低了生产成本。
一种异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池-CN201511030285.4有效
发明人：王德亮;李珣;沈凯 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种CdTe薄膜太阳电池的背接触结构，包括依次叠加设置的第一过渡金属氧化物薄膜、第二CdTe薄膜、Cu金属薄膜和金属背电极。本申请通过在两层CdTe薄膜之间设置过渡金属氧化物薄膜，以阻挡Cu原子向CdTe层及CdS/CdTe异质结区的扩散，在保证低阻接触的情况下提高了太阳电池的稳定性；本申请还提供了所述CdTe薄膜太阳电池的背接触结构的制备方法以及包括所述CdTe薄膜太阳电池背接触结构的太阳电池。
cdte 薄膜太阳电池接触结构制备方法

[发明专利]异质结太阳电池电极的制备方法、电池电极-CN202310559102.6在审
发明人：彭柱根 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供了异质结太阳电池电极的制备方法、电池电极，解决了现有技术中制备异质结太阳电池电极时，铜栅线在透明导电薄膜上的附着力差，导致电阻率高，且成本高、制备方法复杂的技术问题。本申请提供的异质结太阳电池电极的制备方法，以铜纳米颗粒为线路层的导电材料，采用丝网印刷或者喷墨打印的方式在衬底上印刷出图形化的油墨层，然后采用氙灯烧结工艺对图形化的油墨层进行烧结，形成图形化的线路层；即采用丝网印刷与脉冲氙灯烧结相结合
异质结太阳电池电极制备方法电池

[发明专利]一种异质结太阳电池金属电极的制备方法及异质结太阳电池-CN202310033929.3在审
发明人：刘怀良;顷淮斌;吴晓松 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池的技术领域，提供了一种异质结太阳电池金属电极的制备方法及异质结太阳电池。该制备方法包括以下步骤：(1)将所述电池片用含金属离子的预浸液处理；(2)将步骤(1)获得的电池片采用含金属胶体的第一活化液处理；(3)激光解胶：将步骤(2)获得的电池片用激光照射；(4)将步骤(3)获得的电池片浸入化学镀液中
一种异质结太阳电池金属电极制备方法

[发明专利]非晶硅/晶体硅异质结太阳电池及制备方法-CN201811601967.X在审
发明人：石建华;孟凡英;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池及制备方法，制备方法包括制备非晶硅/晶体硅异质结结构，其上表面和下表面分别包括中心区及包围中心区的边缘区；制备透明导电氧化物薄膜以覆盖中心区，且至少显露非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的边缘区；形成金属电极；形成覆盖薄膜，覆盖薄膜至少覆盖被显露的边缘区。本发明通过氮化硅、氧化硅及氮氧化硅的化学惰性及光学折射率可控的特点，使非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性最大化，同时减反射效果最优化，从而达到提高非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性和光电转化效率的双重目的
非晶硅晶体硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]一种硅纳米结构异质结太阳电池及其制备方法-CN201710854413.X在审
发明人：王奉友;隋瑛锐;魏茂彬;范厚刚;孙云飞 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅纳米结构异质结太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。硅纳米结构异质结太阳电池由晶体硅纳米结构衬底S、超薄氧化硅钝化层P、无掺杂空穴传输层H、无掺杂电子传输层E、透明电极T、金属栅线电极M1、背电极M2组成。上述硅纳米结构太阳电池的电子(空穴)传输层不涉及掺杂工艺，且H与T皆具有高透过、低寄生光吸收的特性，可有效降低器件缺陷态密度，且制备方法简单，易于实施。
一种纳米结构异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法-CN202011501391.7在审
发明人：常纪鹏;王永谦;张建军;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结太阳电池结构，属于太阳电池结构领域，包括N型单晶硅片、位于N型单晶硅片上表面的N型非晶硅层、位于N型单晶硅片下表面的P型非晶硅层，所述N型非晶硅层上方设有上电极，所述P型非晶硅层下方设有下电极本发明还公开了制备上述硅基异质结太阳电池结构的制备方法。本发明的优点在于能够提高太阳电池结构的短路电流。
一种硅基异质结太阳电池结构制备方法

[发明专利]有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池及制备方法-CN202210214450.5在审
发明人：陈大正;郭其睿;张春福;朱卫东;习鹤;何逸冰;白倩玉;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池及制备方法，有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池包括依次层叠的透明电极层、第一传输层、有机/钙钛矿三元混合吸光层、第二传输层和金属电极层，其中，所述有机/钙钛矿三元混合吸光层采用有机吸光材料和钙钛矿吸光材料混合的体异质结结构。该薄膜太阳电池中，有机/钙钛矿三元混合吸光层采用有机吸光材料和钙钛矿吸光材料结合三元体系，提升了太阳电池有源层对太阳光谱600～800nm波长内光子的利用效率，从而增加了吸光层的吸光范围和吸光强度，避免了纯有机光伏器件的波段跳跃性吸光，提升了太阳光谱利用率，提高了器件光电转换效率，可用于高效、低成本光伏发电。
有机钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池-CN201110123811.7有效
发明人：吴坚;王栩生;章灵军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池，包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、P型碲化镉半导体薄膜、N型晶体硅、N+背表面场和背金属电极，形成PNN+的异质结结构。本发明采用P型碲化镉半导体薄膜与N型晶体硅形成异质PN结，得到的太阳电池具有更高的开路电压和填充因子，其光电转化效率在21%左右。
基于硅片碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池

[发明专利]一种晶硅异质结太阳电池的制备方法-CN202210593575.3在审
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种晶硅异质结太阳电池的制备方法。本发明提供的制备方法将能够取出晶硅衬底中的少子的发射极层全面积制备在太阳电池的背光面，将能够取出晶硅衬底中的多子的表面场层(点状或线状分布)制备在太阳电池的迎光面，并通过掩膜、刻蚀的方式制备所述点状或线状分布的表面场层，不显著增加太阳电池制备过程的复杂性，便捷易实施；所述方法通过减小表面场层在电池迎光面上的面积占比，使太阳光更好的进入到晶硅衬底中，有效解决了表面场层处于太阳电池迎光面时因其光学自吸收所导致的太阳电池光电流下降的问题，从而可以实现提高太阳电池短路电流密度的目的。
一种晶硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜及其制备方法-CN202011354923.9在审
发明人：张悦;陈仁钊;刘曙光;庞先标 -专利权人：北京绿兴能源科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜及其制备方法，该透明导电薄膜包括依次连接的硅衬底、ITO薄膜L1层、BZO薄膜L2层、ITO薄膜L3层，其中，ITO薄膜L1层采用磁控溅射生长，BZO该透明导电薄膜层用于异质结太阳电池制备中，可以降低异质结电池的表面反射率，提高其短路电流密度，并保持良好的接触性能(不降低填充因子FF)。
一种用于异质结太阳电池复合结构透明导电薄膜及其制备方法

[实用新型]一种基于反型异质PN结的太阳电池-CN202221221773.9有效
发明人：徐迟;张韵 -专利权人：浙江省建筑设计研究院
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于反型异质PN结的双结太阳电池，包括：从顶部到底部依次设置的上电池、反向掺杂隧道结和下电池；上电池，包括石墨烯层和超薄半导体层；反向掺杂隧道结为PN镓铟磷隧道结；下电池，包括二硫化钼层和薄膜半导体层；上电池连接有第一电极，下电池连接有第二电极。本实用新型主要由两结具有不同禁带宽度的半导体异质结电池结合而成，形成两种突变反型异质结，并将该两种异质结进行结合，设计出了一种超薄、高吸收和高效率的双结电池。与传统太阳电池相比，本实用新型对太阳光各个波长都有很高的吸收效率，同时具有纳米级的超薄性，可以为各种微纳电子设备和产品提供可再生、清洁能源。
一种基于反型异质 pn 太阳电池

[发明专利]具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法-CN201310041792.2无效
发明人：邱羽;俞健;孟凡英;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上的金属栅线，并且其中的金属栅线至少包括：位于所述的透明导电层之上的金属种子层，以及依次位于金属种子层上面的金属电极本发明实施例提供了用于异质结太阳电池金属电极的方法，具有低成本，与现有HIT太阳电池制备工艺匹配的特点。
具有电镀电极异质结太阳电池制备方法

[发明专利]一种基于三元无机体型异质结薄膜的太阳电池及其制备方法-CN201710993375.6有效
发明人：齐娟娟;王命泰;董超;赵秋原 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三元无机体型异质结薄膜的太阳电池的制备方法。在玻璃衬基上依次沉积有ITO阳极、三元无机体型异质结薄膜、有机共轭聚合物PCPDTBT薄膜、PEDOT:PSS薄膜、Au阴极。电池具有0.62‑0.65V的高开路电压和300‑850nm的宽光谱响应范围；在大气环境和室温条件下，当整个太阳电池的光活性层处于光照状态时，器件的转换效率达到6.08%。本发明中，电池材料和器件的制备方法简便，对设备要求低，适合大规模应用，在光伏材料和低价太阳电池器件等领域具有很大的应用价值。
一种基于三元无机体型异质结薄膜太阳电池及其制备方法