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[发明专利]有机电致发光装置及其制造方法-CN201180023532.1有效
发明人：林直之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：有机电致发光装置，包括阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的有机层，该有机层含有空穴注入层、空穴传输层和含主体材料的发光层；其中空穴注入层、空穴传输层和发光层每层含有磷光发光材料；其中空穴注入层含有10质量%或更多且低于50质量%的磷光发光材料；并且其中空穴传输层中含有的磷光发光材料的浓度低于空穴注入层中磷光发光材料的浓度，以及发光层中含有的磷光发光材料的浓度低于空穴注入层中磷光发光材料的浓度且高于空穴传输层中磷光发光材料的浓度
有机电致发光装置及其制造方法

[发明专利]一种新型阳极界面缓冲层、空穴传输层搭配的OLED器件-CN201910860253.9有效
发明人：李崇;赵鑫栋;王芳;张兆超 -专利权人：江苏三月科技股份有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型BHT、HT搭配的OLED器件，所述OLED器件的有机功能层包括空穴传输区域、发光层以及电子传输层，空穴传输区域包括阳极界面缓冲层、空穴传输层和电子阻挡层，阳极界面缓冲层由第一空穴传输主体材料、第二空穴传输主体材料以及P型掺杂材料组成，且第一空穴传输主体材料的HOMO能级大于第二空穴传输主体材料的HOMO能级。空穴传输层包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，第一空穴传输层包括阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料的一种或多种组合，第二空穴传输层至少包含一种空穴传输材料，且第二空穴传输层中空穴传输材料的HOMO能级不大于第一空穴传输层中空穴传输材料的
一种新型阳极界面缓冲空穴传输搭配 oled 器件

[发明专利]包含含有空穴传输化合物的空穴注入层的有机电子器件-CN202180011032.X在审
发明人：托马斯·罗泽诺;维金塔斯·扬库什;马库斯·赫默特;朴茂真;弗拉迪米尔·乌瓦罗夫;安妮特·斯托伊德尔 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含阳极层、阴极层和空穴注入层的有机电子器件，其中空穴注入层布置在阳极层和阴极层之间，并且其中空穴注入层包含空穴传输化合物和金属络合物。
包含含有空穴传输化合物注入有机电子器件

[发明专利]空穴传输材料的修饰方法、发光器件及其制备方法-CN202010711473.8在审
发明人：姚振垒 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种空穴传输材料的修饰方法，包括以下步骤：获取聚合物空穴传输材料；采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，得到修饰后的空穴传输材料。本发明空穴传输材料的修饰方法，采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，提高聚合物空穴传输材料的功函数，有利于降低空穴传输层中空穴注入势垒，从而降低空穴传输层与量子点发光层之间价带的能级差，进而提高量子点发层中空穴的注入效率，提高量子点发光层中电子与空穴的复合效率，提高发光器件的发光效率和稳定性，延长使用寿命。
空穴传输材料修饰方法发光器件及其制备

[发明专利]电子器件-CN201380052539.5有效
发明人：弗兰克·福格斯;乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴;克里斯托夫·普夫卢姆;约阿希姆·凯泽;阿尔内·比辛 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请涉及包含空穴传输层A、掺杂的空穴传输层B和空穴传输层C的电子器件，其中空穴传输层A、B和C布置在阳极与发光层之间，空穴传输层B布置在空穴传输层A的阴极侧上并且空穴传输层C布置在空穴传输层B的阴极侧上
电子器件

[发明专利]有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置-CN202010412443.7在审
发明人：郝艳军;屈财玉;李彦松;杜小波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置，有机发光二极管面板包括矩阵排布的多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素，每个子像素包括空穴注入层和像素定义层，像素定义层包括多个间隔设置的开口区域和空穴阻挡区域，每个开口区域内设置有一个有机发光元件，空穴阻挡区域用于隔断或增长相邻子像素的空穴注入层中空穴的传输路径。本申请通过空穴阻挡区域隔断或增长相邻子像素的空穴注入层中空穴的传输路径，使得空穴在空穴注入层中不能横向传输或增加了子像素间空穴横向传输的路径，降低了不同子像素间的低灰阶串扰，制备过程简单，具有良好的应用前景
有机发光二极管面板及其制备方法显示装置

[发明专利]光电器件-CN202011633955.2在审
发明人：王天锋;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述空穴传输层中至少包含两种空穴传输材料，其中，至少一种空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于5.3eV，至少一种空穴传输材料的价带顶能级的绝对值大于5.3eV。本申请提供的光电器件中空穴传输层为混合材料，通过浅能级空穴传输材料、深能级空穴传输材料之间的相互搭配，实现对空穴传输材料与量子点外壳层之间的空穴注入势垒的精细调控，有利于构建≥0.5eV的能级势垒，降低空穴的注入效率，从而平衡发光层中空穴与电子的注入平衡，提高器件发光效率，同时避免电荷积累对器件寿命的影响。
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202011634860.2在审
发明人：杨一行;王天锋;周礼宽 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述空穴传输层中空穴传输层材料的价带顶能级与所述第二空穴注入层中第二空穴注入材料的功函差值小于本申请提供的光电器件，通过在空穴传输层材料与第二空穴注入材料之间构筑小于‑0.2eV的注入势垒，增大阳极向HIL的空穴注入势垒，有效控制进入QLED器件内的空穴数量，使发光层中空穴电子注入速率平衡，提高载流子复合效率保证载流子在器件稳定工作状态下注入平衡的基础上，充分有效地利用器件中注入的空穴，保证器件的发光效率，实现器件效率和寿命的同时提升。
光电器件

[发明专利]电子器件-CN201811030435.5有效
发明人：弗兰克·福格斯;乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴;克里斯托夫·普夫卢姆;约阿希姆·凯泽;阿尔内·比辛 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：具体地，本发明涉及一种包含空穴传输层A、掺杂的空穴传输层B和空穴传输层C的电子器件，其中空穴传输层A、B和C布置在阳极与发光层之间，空穴传输层B布置在空穴传输层A的阴极侧上并且空穴传输层C布置在空穴传输层
电子器件

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN201510511540.0有效
发明人：张三硕;郭雨澈;金景海;郑廷桓;白龙贤 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：p型半导体层包括空穴注入层、p型接触层以及设置在空穴注入层与p型接触层之间的空穴传输层。空穴传输层包括多个未掺杂层和设置在未掺杂层之间的至少一个中间掺杂层。未掺杂层中的至少一个包括在其中空穴浓度随着与空穴注入层或者p型接触层的距离的增加而降低的区域，并且中间掺杂层设置为与空穴传输层的区域至少部分地重叠，其中空穴传输层的空穴浓度为p型接触层的空穴浓度的62％
发光器件及其制造方法

[发明专利]光电器件-CN202011638169.1在审
发明人：杨一行;王天锋;周礼宽;严怡然 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括：阳极、在所述阳极上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点发光层和在所述量子点发光层上的阴极，所述量子点发光层中包括核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级差大于等于本申请提供的光电器件，在量子点材料的外壳层材料与空穴传输材料之间构建了大于等于0.5eV的价带顶能级差，即EEML‑HTL≥0.5eV，通过提高空穴注入势垒来降低空穴的注入效率，从而平衡发光层中空穴与电子的注入平衡。
光电器件

[发明专利]光电转换元件、太阳能电池模块、电源模块和电子装置-CN202080011802.6在审
发明人：田中裕二;堀内保;田元望;兼为直道;井出陵宏;本田哲也;斯波正名 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：提供了一种光电转换元件，其包括第一电极、电子传输层、空穴传输层和第二电极，其中空穴传输层包括空穴传输材料、碱金属盐和高价碘化合物。
光电转换元件太阳能电池模块电源模块电子装置

[实用新型]具有高空穴浓度的半导体结构及发光二极管-CN201220316929.1有效
发明人：陈晓炜;孙谢阳 -专利权人：西安华新联合科技有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种具有高空穴浓度的半导体结构，包括一基板、一电子传输层、一发光层以及一空穴注入层。电子传输层位于基板上。发光层位于电子传输层上。空穴注入层位于发光层上，其中空穴注入层具有至少1018～1020/cm3的空穴浓度。
具有空穴浓度半导体结构发光二极管

[发明专利]光电转换元件-CN201580020047.7在审
发明人：兼为直道;田中裕二;新居辽太;堀内保 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：提供的是光电转换元件，其包括：第一电极；空穴阻挡层；电子传输层；空穴传输层；和第二电极，其中空穴阻挡层包含含有钛原子和铌原子的金属氧化物。
光电转换元件

[发明专利]电子照相光电导体以及利用该电子照相光电导体的图像形成方法、图像形成设备和图像形成设备的处理盒-CN201180037290.1有效
发明人：永井一清;铃木哲郎;李洪国 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G03G5/147 文献下载
摘要：电子照相光电导体，包括传导支撑物、电荷产生层、空穴传输层和空穴传输-保护层，这些层以这样的顺序被层压在传导支撑物上，其中空穴传输-保护层包含三维交联产物，其通过用激活能量束照射自由基可聚合空穴传输化合物来链聚合至少自由基可聚合空穴传输化合物而获得，并且其中空穴传输-保护层包含由下面通式(1)或(2)表示的唑化合物：电子照相光电导体以及利用图像形成方法设备处理

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