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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种用于晶硅异质结太阳电池迎光面的局域接触结构-CN202210577612.1在审
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅异质结太阳电池技术领域，尤其涉及一种用于晶硅异质结太阳电池迎光面的局域接触结构。本发明提供了一种用于晶硅异质结太阳电池迎光面的局域接触结构，包括依次层叠设置的晶硅衬底和界面钝化层；在所述界面钝化层的表面选区设置的取出所述晶硅衬底中的多子的载流子选择性接触表面场层，未设置载流子选择性接触表面场层的区域设置的电学隔离层所述载流子选择性接触表面场层在电池迎光面上是选区存在的局域接触结构。所述局域接触结构可以很好的提高晶硅异质结太阳电池的短路电流密度。
一种用于晶硅异质结太阳电池光面局域接触结构

[发明专利]一种晶体硅异质结太阳电池-CN201610822295.X有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为：前电极、TiO_x层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiO_x与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。由于TiO_x光学带隙较宽，从迎光面入射的太阳光几乎可以全部进入到晶体硅内部，从而避免了由于窗口层的吸收而导致的光生电流损失。另外，TiO_x可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本发明所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。
一种晶体硅异质结太阳电池

[发明专利]基于P型硅片的背接触异质结太阳电池-CN201110155026.X有效
发明人：张黎明;李玉花;刘鹏;姜言森;杨青天;高岩;徐振华;张春艳;王兆光;程亮;任现坤 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳电池，具体涉及一种基于P型硅片的背接触异质结太阳电池。从背面特征分为N型区域和P型区域，N型区域形成P+a-si/i-a-si/P-c-si/P+c-si/i-a-si/N-a-si异质结结构，P型区域形成P+a-si/i-a-si/P-c-si/P+c-si异质结结构，具有更好的光谱响应，太阳光在电池内传播光程更长，电池较常规晶硅太阳电池厚度大大减薄；电极全部印刷在电池背面，即避免了常规太阳电池正面电极遮光的问题，提高了太阳电池短路电流，进而大大提高太阳电池的转化效率
基于硅片接触异质结太阳电池

[发明专利]一种基于丝网印刷制备全背接触晶硅异质结太阳电池结构的方法-CN202210576903.9在审
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于丝网印刷制备全背接触晶硅异质结太阳电池结构的方法，属于光伏发电技术领域。本发明通过采用不同的牺牲层对电池的不同构成功能层进行保护，可确保图形化结构从第一牺牲层往电池构成功能层上转移的过程中不会对电池构成功能层产生任何损伤，所述的构成牺牲层的硅薄膜、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜材料，性质稳定，对电池构成功能层的制备过程也不会产生影响，不影响太阳电池表面的钝化效果，也不影响光生少子的传输和收集，从而保障全背接触晶硅异质结太阳电池具有获得高转换效率的潜力，为全背接触晶硅异质结太阳电池的低成本制备提供一种可行途径
一种基于丝网印刷制备接触晶硅异质结太阳电池结构方法

[发明专利]一种n型背结双面太阳电池的制备方法-CN201610552013.9有效
发明人：严辉;张悦;张永哲;宋雪梅;张林睿;郁操;杨苗;张津燕;徐希翔 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：一种n型背结双面太阳电池的制备方法，属于太阳电池领域。相比传统硅异质结太阳电池，本发明采用背结结构，即将pn结置于电池背面，并采用n型非晶硅氧代替n型非晶硅，大大提高了电池的短路电流。通过以上几点对传统硅异质结电池结构进行优化，电池转换效率得到了明显的提升，同时整个工艺过程与传统异质结电池相比并未发生变化，其制备时间段、工艺简单，无需特别工艺，在成本方面也有显著优势。
一种型背结双面太阳电池制备方法

[发明专利]一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法-CN202111129300.6在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，它包括氢处理工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢处理。本发明的目的在于提供一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，不但能够提高异质结太阳能电池的转换效率，而且能够解决铸造单晶硅和多晶硅体少子寿命低、杂质缺陷多等问题，使其应用于异质结太阳能电池当中，从而进一步降低异质结太阳能电池的制作成本。
一种采用钝化处理技术异质结太阳电池制造方法

[发明专利]晶硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202310070859.9在审
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提出一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法，该晶硅异质结太阳电池包括硅片；在所述硅片的正面依次层叠的本征非晶硅层、磷掺杂的n型非晶硅层、第一透明氧化层，所述第一透明氧化层包括依次层叠于所述磷掺杂的n型非晶硅层上的第一本发明提出的硅基异质结太阳电池，能够降低传统异质结太阳电池的制作成本，同时提高其发电转化效率。
晶硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构-CN201010200422.5无效
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构，其特征在于，在由掺杂类型相反的薄膜硅层和晶体硅层构成的异质pn结的薄膜硅层和晶体硅层之间插入一层本征非晶硅锗层做异质结界面的钝化层。与现有的薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池采用的含有本征非晶硅层做异质结界面钝化层的薄膜硅/晶体硅异质pn结相比，本发明可以减小薄膜硅/晶体硅异质pn结界面处的能带失配，改善载流子输运特性，从而改善太阳电池性能
一种用于太阳电池薄膜晶体硅异质 pn 结构

[发明专利]一种GaAs-锑烯异质结太阳电池及其制备方法-CN201810538952.7在审
发明人：张曙光;温雷 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种GaAs‑锑烯异质结太阳电池及其制备方法。所述GaAs‑锑烯异质结太阳能电池由下至上依次包括背电极、GaAs衬底、锑烯层、顶电极。本发明通过在GaAs片上通过分子束外延方式直接生长二维原子晶体材料锑烯，制备的太阳电池具有GaAs/锑烯异质结，锑烯层与GaAs之间形成良好的带隙匹配，实现太阳能电池高的光电转换效率。
制备异质结太阳电池太阳能电池异质结太阳能电池光电转换效率分子束外延二维原子晶体材料直接生长背电极顶电极异质结衬底带隙匹配

[发明专利]一种含有双边场助效应的异质结太阳电池-CN201610801790.2有效
发明人：张玮;陆宏波;李欣益;杨丞;张华辉;陈杰;张梦炎;张建琴;郑奕 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有双边场助效应的异质结太阳电池，该电池依次设置的宽带隙材料区、窄带隙材料区和窗口层区域。宽带隙材料区包含依次设置的宽带隙基区和未掺杂区。宽带隙材料区和窄带隙材料区形成了第二异质结，在该异质结两侧存在i/p‑型场助和n+/n‑型场助结构。因此，该太阳电池第二异质结的载流子输运和跨越异质结势垒的能力均得到提高，从而提高了太阳电池的利用率。
一种含有双边效应异质结太阳电池

[实用新型]硅异质结太阳电池-CN201720708354.0有效
发明人：王伟;田宏波;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅异质结太阳电池，该硅异质结太阳电池包括n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；第一透明导电氧化物层；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂n型氢化非晶硅背场层该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。
硅异质结太阳电池

[发明专利]可溶液加工的平面异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN201410268785.0在审
发明人：谭占鳌;李聪;于露;屈江江 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，特别涉及一种可溶液加工的平面异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法。所述平面异质结钙钛矿太阳电池中阴极修饰层的材质为金属的乙酰丙酮螯合物膜材料。本发明将金属的乙酰丙酮螯合物引入太阳电池中可选择性的收集电子，阻挡空穴，与活性层之间可形成欧姆接触，使器件的开路电压达到最优值，电流与填充因子也有相应的提高，且具有光学间隔作用，使得内部光电场重新分配，从而增强光吸收，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。本发明的钙钛矿太阳电池的制备也具有工艺简单，成本低廉，实验重复性好，适合于大规模工业化生产等特点。
溶液加工平面异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种用于微晶异质结太阳电池光注入设备及其方法-CN202311166110.0在审
发明人：俞健;唐宁;周瑜 -专利权人：苏州莱德新能源科技有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光伏技术领域，具体的说是一种用于微晶异质结太阳电池光注入设备及其方法，该光注入设备包括加工仓，所述加工仓的两侧均安装有一对仓门，所述加工仓的内部设置有两个输送组件和一个翻面机构，且翻面机构设置在两个输送组件之间本发明通过设有输送组件和翻面机构，可以在设备对微晶异质结太阳电池板进行光注入操作的过程中，自动完成微晶异质结太阳电池板的翻面，可以避免输送辊在对微晶异质结太阳电池板进行输送的过程中挡住电池板下方的某些位置
一种用于微晶异质结太阳电池注入设备及其方法

[发明专利]一种倒装有机本体异质结太阳电池及其制备方法-CN201210544360.9有效
发明人：陈军武;蔡平;曹镛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装有机本体异质结太阳电池及其制备方法。倒装有机本体异质结太阳电池包括两两依次相连的衬底、阴极、阴极界面层、光活性层、阳极界面层和阳极，其中阴极界面层的材料由水溶性聚合物与水溶性盐组成的复合物构成。本发明利用水溶性聚合物和水溶性盐组成的复合物作为阴极界面层，制备了倒装有机本体异质结太阳电池，具有器件结构新颖性。本发明将水溶性阴极界面层应用于倒装有机本体异质结太阳电池，有效地改善了倒装电池的器件性能，所用的水溶性阴极界面层具有成本低廉，环境友好等特点。
一种倒装有机本体异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池及其制备方法-CN201010541492.7有效
发明人：陈哲艮 -专利权人：陈哲艮
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明涉及新能源领域，尤其涉及一种硅基太阳电池及其制备方法。具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池，该太阳电池包括晶体硅硅片、硅基半导体膜、透明导电膜、正面金属电极和背面金属电极，所述的晶体硅硅片为单晶硅片或多晶硅片，在晶体硅硅片的正面或背面采用扩散法形成所述的同质结，同质结为PN结、PP-、PP+、NN-或NN+浓度结；晶体硅硅片的正面设有所述的硅基半导体膜，硅基半导体膜为硅、硅/锗或碳化硅材料的非晶膜或纳米膜，硅基半导体膜与具有同质结的晶体硅硅片表层之间形成所述的异质结本发明的太阳电池在获得高转换效率和性价比的同时，改善电池光电性能的一致性与稳定性。
具有同质异质结硅基双结太阳电池及其制备方法

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