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[发明专利]一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构-CN202210577918.7在审
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅异质结太阳电池技术领域，尤其涉及一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构。本发明提供了一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构，包括依次层叠设置的晶硅衬底和界面钝化层；在所述界面钝化层的表面进行线状选区设置载流子选择性接触表面场层，未设置载流子选择性接触表面场层的区域设置电学隔离层所述晶硅异质结太阳电池的迎光面结构可以很好的提高晶硅异质结太阳电池的短路电流密度。
一种晶硅异质结太阳电池光面结构

[发明专利]异质结太阳电池镀铜种子层对非晶硅影响的检测方法-CN202211115170.5在审
发明人：王金;余义 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳电池镀铜种子层对非晶硅影响的检测方法，包括以下步骤：提供异质结太阳电池前驱体；测试所述异质结太阳电池前驱体的灰度，得到第一灰度值；采用物理气相沉积工艺在所述第一透明导电氧化物薄膜上制备第一铜种子层，得到异质结太阳电池中间体；测试所述异质结太阳电池中间体的灰度，得到第二灰度值；计算所述第一灰度值和所述第二灰度值之间的差值，得到第三灰度值；以及比较所述第三灰度值的绝对值和预定灰度值的大小关系，从而判定所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层是否受到损伤
异质结太阳电池镀铜种子非晶硅影响检测方法

[发明专利]一种改善异质结太阳电池光电性能的方法-CN201911115337.6有效
发明人：俞健;李君君;何佳龙;李兵川;陈涛;黄跃龙 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开一种改善异质结太阳电池光电性能的方法，所述覆盖层具有表面减反射、载流子传导、电极选择性沉积掩膜之功能，步骤如下：(a)制备异质结太阳电池衬底；(b)沉积金属种子层栅极；(c)非栅极区域沉积覆盖层本发明所述之方法，能显著降低电化学沉积金属电极工艺复杂性，所用之聚合物覆盖层，处理后光电性能显著提高，亦可作为异质结太阳电池的透明导电薄膜，此方法既避免了常规异质结太阳电池电化学沉积电极去除掩膜的工艺，也可少用或不用透明导电薄膜，有利于提高异质结太阳电池转换效率、降低生产成本，在工业化生产中优势显著。
一种改善异质结太阳电池光电性能方法

[发明专利]一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法-CN201710672262.6有效
发明人：吴璠;陈伟敏;唐志鲜;蒋岚;康鑫 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法，利用垂直生长于FTO衬基上的CuO纳米棒阵列作为光子吸收材料和空穴传输材料，TiO₂纳米晶体薄膜为电子传输材料，制备了CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结，并制成以FTO为阴极和Al膜为阳极的太阳电池。发现CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结太阳电池的开路电压达到0.41V、短路电流密度为7.81uA/cm²；与CuO/TiO₂双层平面异质结太阳电池相比，CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结的路电压提高了1.78倍，短路电流密度增加了16.27倍。
一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种硅锗异质结太阳电池及其制备方法-CN201510282991.1有效
发明人：沈辉;邱开富;吴伟梁;包杰 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅锗异质结太阳电池，该硅锗异质结太阳电池的结构从上至下依次包括银电极、掺铝氧化锌AZO导电层、n型单晶硅、i型SiGe合金缓冲层薄膜、p型Ge薄膜和金电极，所述硅锗异质结太阳电池具有300该电池在硅与锗之间沉积一层硅锗合金缓冲层，可以有效地降低界面态，减少界面复合，增大电池的开路电压。另外由于缓冲层的带隙渐变，可以更好地吸收太阳光，从而增大电池的短路电流。还公开了上述硅锗异质结太阳电池的制备方法。该制备方法原料安全，可直接应用现有设备，成本相对较低。
一种硅锗异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法-CN202210741331.5在审
发明人：刘明;王磊;张臻;鲁宇轩;曹心悦 -专利权人：河海大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，包括以下步骤：对预处理后的异质结太阳电池进行研磨；对研磨后的电池粉末颗粒进行元素成分和含量初步表征分析；通过对电池元素成分和含量的初步表征分析，确定电池的表面电极元素；通过对除表面电极元素的其他元素成分和含量的初步表征分析，初步确定电池TCO层的种类；对比现有的异质结电池结构，确定电池的结构。本发明能够方便异质结太阳电池结构的确定，且该方法操作简单，准确率高。
一种回收异质结太阳电池结构确定方法

[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池-CN201710593693.3在审
发明人：张晓丹;郑翠翠;朱世杰;任千尚;李盛喆;魏长春;丁毅;任慧志;黄茜;李宝璋;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池领域，提供了一种钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，该叠层太阳电池以硅异质结太阳电池为底部电池，钙钛矿太阳电池为顶部电池，以ITO作为隧穿结，利用硅电池与钙钛矿相匹配的能级，获得高开压、高效率电池。通过在顶电池空穴传输层上制备一层中间保护层，以保护其不受后续透明电极损伤、防止结构受损，提高叠层电池填充因子进而提高效率。该结构所采用的材料制备方法简单，易于实施，可获得较好的转换效率。
一种钙钛矿硅异质结两端太阳电池

[实用新型]太阳电池组件-CN202222951224.3有效
发明人：余波;尹丙伟;周华明;石刚 -专利权人：通威太阳能（合肥）有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳电池组件，包括太阳电池片，太阳电池片上具有电极栅线；互连条，平铺于电极栅线上，互连条与电极栅线电连接，且互连条通过胶体固定在电极栅线上。该太阳电池组件通过胶体将互连条固定在电极栅线上，实现了互连条与电极栅线的非焊接低温互联，解决了高温焊接对异质结电池非晶硅层破坏、需采用有主栅线电池片、电池片生产银耗较高、电池组件难以薄片化、电池组件可靠性较低等传统太阳电池组件的诸多问题该太阳电池组件可采用异质结太阳电池片、能够降低电池片的银耗、可实现太阳电池组件的薄片化，并且具有较好的可靠性。
太阳电池组件

[发明专利]一种异质结太阳能电池的界面处理技术-CN201110341023.5无效
发明人：张群芳 -专利权人：北京汇天能光电技术有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳电池界面处理的技术，其特征在于：该技术能够应用薄膜/晶硅异质结太阳电池的制备中，利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统或者热丝化学气相沉积(HWCVD)系统使反应气体电离产生H，经过气相输运到达晶硅衬底并与晶硅表面发生作用，有效钝化晶硅表面未饱和悬键等缺陷态，减小了异质结界面复合，有利于改善异质结太阳电池的整体性能。
一种异质结太阳能电池界面处理技术

[发明专利]一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202110413537.0有效
发明人：张丽平;姚宇波;刘正新;刘文柱;石建华 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池，其包括异质结主体结构和背反射结构，异质结主体结构包括作为吸收层的n型晶体硅衬底，其具有对称结构的窗口层和背场层；背场TCO薄膜连接在n型晶体硅衬底的背场层，本发明还涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的高效背反射晶体硅异质结太阳电池可以提升异质结主体结构的短路电流密度和提高转换效率，使得高效背反射晶体硅异质结太阳电池对长波段的光谱响应明显增加，减少自然光的吸收损失，从而获得更高的转换效率。
一种高效反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳电池及其制备方法-CN201810619913.X在审
发明人：沈辉;姚志荣;孟蓝翔;蔡伦;张睿 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种太阳电池及其制备方法。本发明的太阳电池采用硫化铟作为n型发射层，与硅基体成形成硅基硫化铟异质结。本发明的太阳电池采用以下方法制备而成：在双面制绒硅片的一面蒸镀过渡金属氧化物，形成欧姆接触层，以及获得铝背场；n型硫化铟发射层、导电膜、银前电极形成于硅片的另一面。本发明的硅基硫化铟异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池相比具有更好的光学性能，可减少寄生吸收增大短路电流。
硫化铟制备硅基硅基异质结太阳电池过渡金属氧化物异质结太阳电池高温处理过程欧姆接触层短路电流光学性能制备工艺制备过程制绒硅片导电膜发射层硅基体铝背场前电极异质结硅片寄生蒸镀环境保护排放节约吸收能源

[发明专利]一种基于多种异质结性能集成的杂化太阳电池及其制备方法-CN201810856544.6在审
发明人：赵秋原;王命泰;陈王伟;彭瑞祥;齐娟娟 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多种异质结性能集成的杂化太阳电池及其制备方法，太阳电池组成包括在玻璃衬基上依次沉积有阳极、TiO₂纳米结构薄膜和CdS纳米结构薄膜组成的、有机共轭聚合物和有机共轭小分子组成的有机共混体异质结薄膜本发明电池实现了无机平板型异质结、杂化平板型异质结及有机体型异质结性能的集成，克服了现有TiO₂纳米结构薄膜和纯有机共轭聚合物组成的杂化太阳电池中存在的瓶颈性不足，具有叠层状结构，关键材料膜层和器件的制备方法简便，对设备要求低，非常适合大面制备，在低价薄膜太阳电池领域具有很大的应用价值。
异质结杂化制备纳米结构薄膜有机共轭聚合物有机共轭小分子薄膜太阳电池阴极空穴传输层玻璃衬基层状结构关键材料无机平板阳极对设备共混体平板型体型膜层薄膜沉积大面电池瓶颈应用

[实用新型]一种量子点敏化有序体异质结太阳电池-CN201220020247.6有效
发明人：黄金昭;徐锡金;邵明辉 -专利权人：济南大学
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型属于太阳电池的技术领域，具体的涉及一种量子点敏化有序体异质结太阳电池。该量子点敏化有序体异质结太阳电池，所述太阳电池采用有机/无机复合结构，该太阳电池包括金属电极、表面有透明导电膜ITO的透明玻璃衬底，该透明玻璃衬底的透明导电膜ITO上为ZnO纳米薄膜层，在该ZnO纳米薄膜层上为一维有序纳米结构该太阳电池采用有机/无机复合结构，能够提高现有有机太阳电池的转换效率、降低制备成本、延长工作寿命。
一种量子点敏化有序体异质结太阳电池

[发明专利]一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202111243885.4有效
发明人：徐培强;李俊承;宁如光;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓太阳电池结构技术领域，具体是涉及一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、DBR、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池；其中，所述第一隧穿结和所述第二隧穿结结构相同，为AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多异质结结构。本发明制作的太阳电池，其隧穿结采用多异质结隧穿结，可明显提高隧穿电流，降低隧穿结处的压降，同时增强隧穿结的辐照性能，改善产品的可靠性。
一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法

[发明专利]硅异质结太阳电池的光处理方法-CN201910807141.7有效
发明人：赵晓霞;王伟;田宏波;周永谋;王恩宇;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了硅异质结太阳电池的光处理方法。硅异质结太阳电池的光处理方法包括：至少一次光照处理，所述光照处理在形成非晶硅薄膜之后进行。由此，通过光照处理，对非晶硅薄膜进行适当能量光子的注入，提高非晶硅薄膜中氢原子的迁移，有效改善非晶硅薄膜的质量和异质结的界面态密度，提高硅异质结太阳电池的开路电压和填充因子，进而提高电池效率；而且，该光处理方法无需改变电池结构，简单易操作，稳定性好，适用于硅异质结电池的规模化生产。
硅异质结太阳电池处理方法