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[发明专利]用于电性隔离的埋置损伤层-CN202110144026.3在审
发明人：西瓦·P·阿度苏米利;安东尼·K·史塔佩尔;M·J·阿布-哈利勒;约翰·J·艾利斯-蒙纳翰;博吉达·巴布 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于电性隔离的埋置损伤层，揭示包括电性隔离的结构以及形成包括电性隔离的结构的方法。第一多晶层位于衬底中，且第二多晶层位于该第一多晶层与该衬底的顶部表面之间。该衬底包括位于该第二多晶层与该衬底的该顶部表面之间的单晶半导体材料的第一部分。该衬底包括位于该第一多晶层与该第二多晶层之间的该单晶半导体材料的第二部分。该第一多晶层具有一厚度。该第二多晶层具有厚度大于该第一多晶层的该厚度的部分。
用于隔离损伤

[发明专利]发光二极管-CN201010142980.0无效
发明人：余国辉;王建钧;朱长信;李孟信 -专利权人：佛山市奇明光电有限公司;奇力光电科技股份有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：此发光二极管包括接合基板、第一电性电极、接合层、外延结构、第二电性电极、生长基板与封胶层。第一电性电极与接合层分别设于接合基板的第二表面与第一表面上。外延结构包括依序堆叠在接合层上的第一电性半导体层、有源层与第二电性半导体层。第一电性半导体层与第二电性半导体层的电性不同。外延结构的外围环状设置有沟槽自第二电性半导体层延伸至第一电性半导体层。第二电性电极与第二电性半导体层电性连接。生长基板设于外延结构上。生长基板具有一凹槽以暴露出部分的外延结构与沟槽。封胶层填设于凹槽中。
发光二极管

[发明专利]基板结构、封装结构及其制法-CN201110454995.5有效
发明人：林邦群;蔡岳颖;陈泳良 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种基板结构、封装结构及其制法，该基板结构包括介电层、第一电性连接垫、第二电性连接垫、线路与保护层，该介电层具有相对的第一介电层表面与第二介电层表面，该第一电性连接垫与第二电性连接垫嵌埋于该介电层，且外露于该第一介电层表面与第二介电层表面，该线路设于该第一介电层表面、第一电性连接垫与第二电性连接垫上，且各该线路的两端分别连接该第一电性连接垫与第二电性连接垫，该保护层覆盖于该介电层的第一介电层表面与线路上。
板结封装结构及其制法

[发明专利]双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法-CN200710138378.8有效
发明人：余振华;卢永诚;郑培仁;周家政;林耕竹;柯忠祁;包天一;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构及其制造方法。该双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构包括底层介电层和顶层介电层。底层介电层与顶层介电层的原子成分相同，但介电常数值较高，且底层介电层成为顶层介电层的蚀刻停止层，顶层介电层可作为化学机械研磨停止层。双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法包括形成具有第一成孔剂含量的底层介电层；形成顶层介电层，其成孔剂含量较上述第一成孔剂含量高；进行固化工艺，以使底层介电层残留的成孔剂含量比顶层介电层少。本发明使得顶部介电层的介电常数较低，同时维持与现有技术较高介电常数的单层介电层同样的薄膜硬度，并可降低工艺成本。
双层多孔性介电层半导体介电层内连线结构制造方法

[发明专利]电致发光元件及应用其的显示装置-CN202210826403.6在审
发明人：詹钧翔;范铎正;蔡庭玮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开一种电致发光元件及应用其的显示装置，其中该电致发光元件包括第一电性半导体层、第二电性半导体层、主动层、第一电极、第二电极以及光学转换材料。主动层位于第一电性半导体层和第二电性半导体层之间，且与二者电性接触。第一电性半导体层具有一个出光面，位于主动层相反一侧，且第一电性半导体层包括规则排列的多个立体结构，共同定义出至少一个腔室，由出光面向主动层延伸。此至少一个腔室的深度实质大于第一电性半导体层厚度的70％。第一电极与第一电性半导体层电性接触。第二电极与第二电性半导体层电性接触。光学转换材料填充于此至少一个腔室之中。
电致发光元件应用显示装置

[发明专利]发光二极管组件及其制造方法-CN200810214046.8无效
发明人：余国辉;朱长信;李孟信;卢宗宏 -专利权人：奇力光电科技股份有限公司
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：此发光二极管组件至少包括：一发光外延结构至少包括依序堆叠的第一电性半导体层、有源层以及第二电性半导体层，其中发光外延结构具有至少一开口贯穿发光外延结构，且开口暴露出第一电性半导体层的侧面，其中第一电性不同于第二电性；一第一电性接触层至少填设于开口中且与第一电性半导体层的侧面接触；一第二电性接触层覆盖第二电性半导体层；一保护层覆盖第一电性接触层；一反射层覆盖保护层与第二电性接触层；以及一第一基板具有相对的第一表面与第二表面，且反射层设于第一基板的第一表面。
发光二极管组件及其制造方法

[发明专利]形成电路板电性连接端的制法-CN200510125908.6有效
发明人：王音统 -专利权人：全懋精密科技股份有限公司
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：一种形成电路板电性连接端的制法，提供表面形成有多条电性连接垫的电路板，该电路板表面形成多个开孔，外露出该电性连接垫的绝缘保护层，另在该绝缘保护层及电性连接垫表面形成一导电层，并在该导电层表面设置一阻层，令该阻层对应于部分电性连接垫形成开口，外露出导电层，再在该阻层开口中形成第一金属层，并在该阻层中对应未设有第一金属层的部分电性连接垫位置形成开口，外露出导电层，之后在部分该电性连接垫上的第一金属层及部分该电性连接垫上形成第二金属层，在电路板表面形成不同类型的电性连接端；本发明以简单有效的方法在电路板的电性连接垫镀上不同高度及尺寸的焊锡，形成不同高度及尺寸的电性连接端，与不同电子元件电性连接。
形成电路板连接制法

[实用新型]低介电性胶膜-CN201520807430.4有效
发明人：杜伯贤;李韦志;金艳;林志铭 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低介电性胶膜，包括芯层、低介电胶层和离型层，芯层具有相对的上、下表面，低介电胶层具有两层且分别为上低介电胶层和下低介电胶层，上低介电胶层和下低介电胶层分别形成于所述芯层的上、下表面，离型层具有两层且分别为上离型层和下离型层，上离型层形成于上低介电胶层的表面，下离型层形成于下低介电胶层的表面。本实用新型的低介电性胶膜不但电性良好，而且可挠性佳、耐焊锡性高、接着强度佳、操作性良好，并且可以在低温进行压合，可以使用快压设备，以及压合后可使FPC有极佳的平坦性。
低介电性胶膜

[发明专利]中介层及电性元件并于基底板中的线路板制法-CN201810270033.6在审
发明人：林文强;王家忠 -专利权人：钰桥半导体股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明的线路板包含有被基底板及介电层侧向环绕且连接至路由电路的中介层及电性元件。该中介层及该电性元件分别插置于基底板的第一贯穿开口及第二贯穿开口中。该介电层覆盖基底板顶侧及电性元件顶面，并填入中介层与基底板间以及电性元件与基底板间的间隙。该路由电路沉积于该介电层上，并电性连接至电性元件及基底板的顶部线路层。
基底板电性元件中介层介电层线路板开口顶部线路层侧向环绕电性连接路由电路贯穿沉积顶侧顶面填入制法电路覆盖

[发明专利]一种多光刻层电性参数相关性分析系统和分析方法-CN201711029825.6有效
发明人：郭渊 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种多光刻层电性参数相关性分析系统和分析方法，本发明根据要进行相关分析的电性测试数据计算每层光刻层的每个电性参数与每个后续光刻层的每个关键电性参数的线性相关系数，根据所述线性相关系数确定与后续光刻层的每个关键电性参数相关的电性参数，可以帮助工程师能根据线性相关系数判定对后续光刻层关键电性性能有显著影响的前层光刻层电性参数，以便工程师可针对性地严格控制影响较大的前层光刻层电性参数，避免前层工艺的损失影响到后续工艺。
一种光刻层电性参数相关性分析系统方法

[发明专利]介电蚀刻停止层的选择性形成-CN200980110703.7有效
发明人： S·金;J·克劳斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：在图案化的金属特征之上选择性地形成介电蚀刻停止层的方法。实施例包括在栅电极之上包含这种蚀刻停止层的晶体管。根据本发明的某些实施例，金属选择性地形成在栅电极的表面上，随后其被转化为硅化物或锗化物。硅化物、锗化物、硅的台面结构或锗的台面结构的至少一部分随后被氧化、氮化或碳化，从而仅在栅电极之上形成介电蚀刻停止层。
蚀刻停止选择性形成

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410008639.4有效
发明人：李志成;林家祺;施佑霖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：半导体结构包括基板、芯片、第一介电层、基板导热柱、基板电性柱、第一介电层电性柱及走线。基板具有相对的上表面与下表面。芯片设于基板的上表面上方。第一介电层形成于基板的上表面上方且包覆芯片。基板电性柱从基板的上表面贯穿至下表面。第一介电层电性柱贯穿第一介电层并连接于基板电性柱。走线形成于第一介电层上并连接芯片与第一介电层电性柱。其中，芯片的热量通过基板导热柱传导至基板的下表面且经由走线、第一介电层电性柱与基板电性柱传导至基板的下表面。
半导体结构及其制造方法

[实用新型]电路板的电性连接结构-CN200820176685.5有效
发明人：余丞博;李少谦 -专利权人：苏州群策科技有限公司;欣兴电子股份有限公司
申请日： 2008-11-10 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：一种电路板的电性连接结构，至少包括：一介电层，该介电层具有一顶面及一底面；二导电垫，所述二导电垫其中之一埋设于该介电层的顶面，所述二导电垫其中另一埋设于该介电层的底面；二细线路，所述二细线路埋设于该介电层，所述二细线路通过该介电层彼此隔绝；以及一锥状的电性连接元件，该电性连接元件穿刺贯穿于该介电层，使该电性连接元件埋设于该介电层内部，该电性连接元件电性连接于所述二导电垫。本实用新型具有以下有益效果：利用锥状的电性连接元件刺穿贯穿于介电层，所形成的电路板的电性连接结构，达到简化工艺、成本降低、及工艺成品率提高的目的。
电路板连接结构

[发明专利]硅异质接面太阳能电池的制程-CN201010226886.3有效
发明人：杨士贤;吴永俊 -专利权人：国立清华大学
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅异质接面太阳能电池的制程，所述硅异质接面太阳能电池包含一第一电性硅基板、分别形成于第一电性硅基板两侧并与第一电性硅基板形成异质接面的第一本征硅层与第二本征硅层、分别形成第一本征硅层与第二本征硅层上的第二电性硅层与第一电性重掺杂型硅层；其中本发明以离子布植的方式形成该第二电性硅层与第一电性重掺杂型硅层，以优化第二电性硅层与第一电性重掺杂型硅层的厚度与掺杂质量。
硅异质接面太阳能电池

[发明专利]无核心层的封装基板及其制造方法-CN201110215623.7有效
发明人：曾子章;何崇文 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种无核心层的封装基板及其制造方法，该无核心层的封装基板包括：由至少一介电层、线路层与导电结构所组成的线路增层结构、埋设于该线路增层结构最下层介电层中的第一电性接触垫、设于该线路增层结构最上层线路层上的多个金属凸块、设于该线路增层结构最上层表面与该金属凸块上的介电保护层、以及埋设于该介电保护层中且电性连接该金属凸块的第二电性接触垫。借由该第二电性接触垫嵌接该金属凸块，且该第二电性接触垫的全部顶表面完全外露，以增加该第二电性接触垫与芯片之间、及该第二电性接触垫与金属凸块之间的结合力。
核心封装及其制造方法

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