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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910147566.X在审
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法包括：形成第一侧墙层和位于第一侧墙层上的第二侧墙层，第一侧墙层位于第二侧墙层和伪栅结构之间以及第二侧墙层和鳍部之间；在第二侧墙层的侧壁上形成第三侧墙层，第三侧墙层还覆盖第二侧墙层底部的第一侧墙层；形成第三侧墙层后，在伪栅结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层；去除伪栅结构和第一侧墙层，在第二侧墙层和第三侧墙层之间形成倒T型沟槽；在倒T型沟槽中形成栅极结构，栅极结构包括位于相邻第三侧墙层之间的栅极宽段，以及位于相邻第二侧墙层之间的栅极窄段。本发明实施例降低所述栅极结构与所述源漏掺杂层之间的电容耦合效应，进而使得半导体结构内的寄生电容变小，优化了半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]栅极侧墙的制造方法-CN201810768718.3有效
发明人：庄望超;李镇全 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极侧墙的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成由栅介质层、多晶硅栅和硬质掩膜层叠加而成的栅极结构；步骤二、形成侧墙介质层；步骤三、在侧墙介质层的表面形成侧墙保护介质层；步骤四、对侧墙保护介质层进行第一次全面刻蚀并使侧墙保护介质层仅位于栅极结构侧面；步骤五、对侧墙介质层进行第二次全面刻蚀形成侧墙，所保留的侧墙保护介质层对侧墙的侧面进行保护，侧墙保护介质层和硬质掩膜层自对准暴露出侧墙的顶部表面从而能调节侧墙的高度；步骤六、去除所保留的侧墙保护介质层。本发明能防止侧墙的厚度减薄，使侧墙的厚度得到保持；能调节侧墙的高度，防止形成过大的牛角，从而有利于栅极结构的平坦化。
栅极制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810010759.6有效
发明人：张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层表面具有若干相互分立的牺牲层；在牺牲层表面和待刻蚀层表面形成第一侧墙材料层；回刻蚀第一侧墙材料层直至暴露出牺牲层顶部表面和待刻蚀层表面，在牺牲层侧壁形成第一侧墙，相邻第一侧墙之间暴露出的待刻蚀层表面具有凹陷；采用原子层沉积工艺在第一侧墙侧壁、第一侧墙和牺牲层的顶部表面、以及所述凹陷中形成第二侧墙材料层；去除第一侧墙和牺牲层顶部表面的第二侧墙材料层，使第一侧墙侧壁的第二侧墙材料层形成第二侧墙，且使凹陷中的第二侧墙材料层形成补偿层；之后去除牺牲层。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201510010126.1有效
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括PMOS区域和NMOS区域；在PMOS区域和NMOS区域上形成顶部具有掩膜层的栅极结构；在栅极结构侧壁表面形成第一侧墙；在半导体衬底表面、第一侧墙和掩膜层表面形成第二侧墙材料层和第三侧墙材料层；刻蚀第三侧墙材料层和第二侧墙材料层，形成位于第一侧墙表面的第二侧墙、第三侧墙；形成第四侧墙材料层；刻蚀所述PMOS区域上的第四侧墙材料层，在PMOS区域上的第三侧墙表面形成第四侧墙；在栅极结构两侧的PMOS区域内形成第一源漏极；去除所述第四侧墙、位于NMOS区域上的第四侧墙材料层、第三侧墙、第二侧墙和掩膜层。
晶体管形成方法

[发明专利]自对准双图形的形成方法-CN201210425630.4有效
发明人：隋运奇;何其旸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种自对准双图形的形成方法，包括提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有牺牲层、以及所述牺牲层表面的掩膜层，所述掩膜层的材料为绝缘材料；在所述待刻蚀层、牺牲层和掩膜层表面形成侧墙层，所述侧墙层包括第一子侧墙层、第一子侧墙层表面的第二子侧墙层、以及第二子侧墙层表面的第三子侧墙层，所述第二子侧墙层的材料为多晶硅，所述第一子侧墙层和第三子侧墙层的材料相同；回刻蚀所述侧墙层直至暴露出掩膜层表面为止，在所述牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成侧墙；在形成侧墙之后，去除所述掩膜层；在去除所述掩膜层之后，去除所述牺牲层。
对准图形形成方法

[发明专利]氧化层/氮化层/氧化层侧墙的制作方法-CN201010027293.4有效
发明人：陈帆;徐炯;张海芳;杨华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化层/氮化层/氧化层侧墙的制作方法；包括以下步骤：步骤一、淀积掩膜层氧化硅、氮化硅、氧化硅；步骤二、打开浅槽区域，并刻蚀浅槽；步骤三、热氧化浅槽衬垫氧化膜，然后淀积氮化层，淀积氧化层；步骤四、形成浅槽内侧墙，包括氧化层、氮化层、浅槽衬垫氧化膜，向P型衬底注入杂质子形成埋层；步骤五、去除硬掩膜层中的氧化硅和侧墙氧化膜，穿透氧化硅和氮化硅注入杂质，形成集电区；步骤六、去除侧墙氮化膜。本发明利用氧化层/氮化层/氧化层ONO形成的STI侧墙保护，在湿法去除氧化层后，不产生氮化膜下的氧化膜的刻蚀底切，保护有源区。
氧化氮化层侧墙制作方法

[发明专利]侧墙的工艺方法-CN202011414336.4在审
发明人：王虎;张继亮;顾林;李志林;李雪健 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种侧墙的工艺方法，所述的侧墙包含第一层侧墙及第二层侧墙，所述的侧墙包围在栅极两侧，其中第一层侧墙贴近栅极，第二层侧墙位于最外层；首先栅极上淀积一层氮化硅层并刻蚀形成第一层侧墙，再淀积一层氧化硅层，然后再淀积第二层氮化硅层并刻蚀形成第二层侧墙。本发明在两层氮化硅层侧墙之间增加一层氧化硅层作为隔离，在进行第二层侧墙刻蚀时能利用氮化硅与氧化硅在湿法刻蚀工艺中的高选择比，作为隔离的氧化硅层能保护第一层氮化硅层侧墙不被腐蚀，避免产生横向钻蚀的现象。
工艺方法

[实用新型]一种侧墙结构-CN202222250789.9有效
发明人：张效铭;姜韬 -专利权人：中铁四局集团第五工程有限公司;中铁四局集团有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： E02D5/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种侧墙结构，包括围护结构；依次设置在围护结构一侧上的找平层、防水层、保护层以及侧墙层；降温管垂直设置在侧墙层内，降温管设置有若干个，并以梅花形阵列的形式设置在侧墙层内，降温管用于对侧墙层进行降温本实用新型中的侧墙结构通过在侧墙层内垂直设置若干个降温管，并使降温管以梅花形阵列的形式设置在侧墙层内，使得降温管能够有效的对侧墙层进行降温，避免侧墙层因温度变高而引起膨胀开裂，进而能够放置侧墙层出现渗水以及漏水的现象，通过在侧墙层的一侧依次设有保护层、防水层、找平层以及围护结构，能够进一步的避免该侧墙结构出现渗水以及漏水的现象。
一种结构

[发明专利]一种栅极结构及制作方法-CN202310713630.2有效
发明人：李家明;孟凡顺;舒思桅 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极结构及制作方法，该方法包括：提供一基底，于基底上形成栅极；于基底上形成第一侧墙层，第一侧墙层还覆盖栅极的上表面与侧壁；于基底上形成第二侧墙层，第二侧墙层共形覆盖第一侧墙层表面；采用电感耦合等离子体法刻蚀第二侧墙层以去除第二侧墙层位于栅极上方的部分及位于基底的非侧墙区域上方的部分；于基底上形成第三侧墙层，第三侧墙层还覆盖栅极上方及第二侧墙层的侧壁；采用电容耦合等离子体法刻蚀第三侧墙层。本发明中采用电感耦合等离子体法结合电容耦合等离子体法对栅极侧墙进行两步刻蚀，栅极侧墙不会出现台阶，利于后续层间介质层的填充，且栅极侧墙不会出现过刻蚀，能够较好的保护栅极。
一种栅极结构制作方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110113379.7在审
发明人：唐龙娟;胡昌杰;张冬平;韩秋华;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底上形成有核心层；形成保形覆盖所述核心层和基底的侧墙材料层；去除所述核心层和基底顶部的侧墙材料层，剩余的所述侧墙材料层作为初始侧墙层，所述初始侧墙层覆盖所述核心层的侧壁；对所述初始侧墙层的顶部进行轮廓修饰处理，形成侧墙层，且所述侧墙层的相对侧壁相互对称；形成所述侧墙层后，去除所述核心层；去除所述核心层后，以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述基底，形成目标图形。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310559678.2在审
发明人：于业笑 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成栅极结构，形成第一侧墙材料层，第一侧墙材料层至少覆盖栅极结构的侧壁及位于栅极结构之间的衬底的表面。执行第一掺杂工艺，以在位于栅极结构的两侧的衬底中形成第一掺杂区和第二掺杂区。形成第二侧墙材料层，第二侧墙材料层覆盖第一侧墙材料层，执行刻蚀工艺，去除第一侧墙材料层及第二侧墙材料层覆盖衬底表面的部分，剩余的第一侧墙材料层及第二侧墙材料层分别构成第一侧墙层和第二侧墙层。
一种半导体结构制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710133604.7有效
发明人：张冬平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成图形化的核心层；在核心层顶部和侧壁、以及待刻蚀材料层上形成侧墙膜；对侧墙膜进行至少一次顶部处理，去除高于核心层顶部的侧墙膜，保留核心层侧壁上的侧墙膜作为第一部分侧墙层，保留待刻蚀材料层上的侧墙膜作为第二部分侧墙层；顶部处理的步骤包括：在侧墙膜上形成覆盖位于核心层侧壁以及顶部上侧墙膜表面的牺牲层；去除高于核心层顶部上的牺牲层以及部分厚度或全部厚度的侧墙膜；去除剩余牺牲层；去除核心层；去除核心层后，去除第二部分侧墙层。本发明所述第一部分侧墙层的形貌对称，以第一部分侧墙层为掩膜刻蚀待刻蚀材料层后，可以得到形貌较好的目标图形。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710283218.6有效
发明人：王寅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底上具有栅极层；在栅极层侧壁上形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙包括栅极层侧壁上的第一侧墙部和基底上的初始第二侧墙部，第一侧墙部与初始第二侧墙部连接，第二侧墙位于初始第二侧墙部上，且覆盖第一侧墙部侧壁，第二侧墙侧壁暴露出初始第二侧墙部侧壁；在栅极层、第一侧墙和第二侧墙两侧基底内形成初始开口，初始开口侧壁与底部垂直；形成初始开口后，去除部分初始第二侧墙部，形成第二侧墙部，第二侧墙部侧壁相对第二侧墙侧壁向栅极层凹陷；以第二侧墙部和栅极层为掩膜，在第二侧墙部和栅极层两侧基底内形成开口，开口侧壁具有顶角，顶角向栅极层下方基底内延伸。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202310813532.6在审
发明人：韦鑫;王磊磊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：半导体结构的形成方法包括：在衬底上设置有掩膜层、图形层及侧墙层，在阵列区图形层具有第一图形，在对准标记区图形层具有第二图形，侧墙层覆盖第一图形及第二图形的侧壁及顶面，并且覆盖掩膜层暴露的表面；形成遮挡层，在阵列区遮挡层填充在侧墙层的空隙内且暴露出侧墙层的顶面，在对准标记区遮挡层填充在侧墙层的空隙内且覆盖侧墙层的顶面；去除部分侧墙层，暴露出第一图形的顶面；去除遮挡层以及部分侧墙层，第一图形及第二图形侧壁的侧墙层保留并作为侧墙；在阵列区去除图形层，侧墙构成第三图形；去除部分掩膜层，以形成掩膜图形；将掩膜图形转移到衬底中，以在阵列区形成目标图形，以及在对准标记区形成套刻对准标记。
半导体结构形成方法

[实用新型]一种用于铝及铝合金熔铸的保温炉炉衬结构-CN201620099675.0有效
发明人：宋学斌;李连地 -专利权人：江苏瑞复达新材料有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： F27D1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于铝及铝合金熔铸的保温炉炉衬结构，包括下墙防渗层、炉底防渗层、下墙背衬和炉底背衬，炉底工作层的一侧设有炉底防渗层，炉底防渗层的一侧设有下墙防渗层，下墙工作层的一侧设有下墙背衬，下墙防渗层的一侧设有炉底背衬，炉顶工作层的一侧设有炉顶保温层，烟道的两侧均设有炉顶保温层，下墙防渗层的一侧设有上墙保温层，下墙防渗层和炉顶保温层的一侧均设有炉门框，烧嘴工作层的一侧设有上墙工作层，炉底工作层和所述下墙工作层，拐直角处设计为倒角，该保温炉炉衬结构充分考虑到炉底、下墙、上墙工况及载荷变化的不同，采用分区整体浇注，不易渗漏，不易开裂，安全层浇注料需要有良好的防渗透能力。
一种用于铝合金熔铸保温炉衬结构

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