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[发明专利]栅极侧墙ICP刻蚀用暖机片及其制备方法、暖机方法-CN202311140497.2在审
发明人：李家明;舒思桅 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极侧墙ICP刻蚀用暖机片及其制备方法、暖机方法，采用该暖机片结构，在进行暖机刻蚀过程中，不仅可以保证使ICP刻蚀腔室达到栅极侧墙刻蚀时所需的工作状态；同时由于暖机片上的叠层结构与栅极侧墙的层叠方式以及材料均相同，则在对暖机片进行刻蚀过程中，可有效模拟产品片栅极侧墙的刻蚀环境，能提供刻蚀终点，通过相应的刻蚀终点监控相应刻蚀层的刻蚀速率，从而及时发现刻蚀速率的异常，将刻蚀速率的异常阻挡在暖机过程中，从而有效保证首片产品片的刻蚀效果；尤其对于从未使用的全新的刻蚀腔室、进行周期性维护后的刻蚀腔室和空闲时间过长的刻蚀腔室，刻蚀速率异常更易发生，采用本发明的暖机片更能有效的监控刻蚀速率的异常。
栅极 icp 刻蚀用暖机片及其制备方法

[发明专利]侧墙形成方法及半导体器件-CN202311103428.4在审
发明人：严超雄;舒思桅;伍林 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请公开了一种侧墙形成方法及半导体器件，该侧墙形成方法包括提供一基底，基底包括半导体衬底和形成于半导体衬底上的功能层；将基底放置于电感耦合等离子体反应腔中进行沉积工艺，形成覆盖半导体衬底和功能层上的沉积层；在电感耦合等离子体反应腔中对沉积层进行第一蚀刻，以形成具有预设图案的沉积层；在电感耦合等离子体反应腔中对具有预设图案的沉积层进行第二蚀刻，以去除半导体衬底上的沉积层，保留覆盖功能层侧壁的沉积层，覆盖功能层侧壁的沉积层为侧墙。本方案可以简化形成侧墙的工艺流程，从而节省其生产成本。
形成方法半导体器件

[发明专利]一种栅极结构及制作方法-CN202310713630.2有效
发明人：李家明;孟凡顺;舒思桅 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极结构及制作方法，该方法包括：提供一基底，于基底上形成栅极；于基底上形成第一侧墙层，第一侧墙层还覆盖栅极的上表面与侧壁；于基底上形成第二侧墙层，第二侧墙层共形覆盖第一侧墙层表面；采用电感耦合等离子体法刻蚀第二侧墙层以去除第二侧墙层位于栅极上方的部分及位于基底的非侧墙区域上方的部分；于基底上形成第三侧墙层，第三侧墙层还覆盖栅极上方及第二侧墙层的侧壁；采用电容耦合等离子体法刻蚀第三侧墙层。本发明中采用电感耦合等离子体法结合电容耦合等离子体法对栅极侧墙进行两步刻蚀，栅极侧墙不会出现台阶，利于后续层间介质层的填充，且栅极侧墙不会出现过刻蚀，能够较好的保护栅极。
一种栅极结构制作方法

[发明专利]晶圆刻蚀的控制方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310507292.7在审
发明人：伍林;舒思桅 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆刻蚀的控制方法、装置、计算机设备和存储介质。晶圆刻蚀的控制方法包括：获取反应腔的边缘区域的边缘刻蚀参数以及中心区域的中心刻蚀参数；确定反应腔的边缘区域的目标边缘刻蚀参数以及中心区域的目标中心刻蚀参数；根据边缘刻蚀参数、中心刻蚀参数、目标边缘刻蚀参数以及目标中心刻蚀参数调节反应腔内的刻蚀气体流量以及中心比率；其中，中心比率为反应腔的中心区域与边缘区域的刻蚀气体流量之比。本申请提供的晶圆刻蚀的控制方法能够使得边缘刻蚀参数始终保持在目标边缘刻蚀参数附近，并使得中心刻蚀参数始终保持在目标中心刻蚀参数附近，从而能够避免晶圆的刻蚀均匀性下降。
刻蚀控制方法装置计算机设备存储介质

[实用新型]一种晶圆盒-CN202223537727.2有效
发明人：张城;张凯;胡龙辉;舒思桅 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆盒，该晶圆盒包括：晶圆盒主体、晶圆盒标牌及卡片，其中，所述晶圆盒标牌固定于所述晶圆盒主体的任一侧壁，所述卡槽所在区域的所述晶圆盒标牌上设有包括所述晶圆盒主体的号码标记区及机器识别码标记区的信息区；所述卡片放置于所述卡槽中，所述卡片上设有工艺制程信息标记区，且所述卡片中设有显露出所述号码标记区及所述机器识别码标记区的透明区域。本实用新型在进行所述晶圆盒转换的过程中，只需更换设有不同工艺制程信息的所述卡片，省去了更换工艺制程信息贴纸的步骤，降低了所述晶圆盒的转换成本，并且更换所述卡片的过程简单易操作，避免了更换工艺制程信息贴纸过程中对无尘室产生污染。
一种晶圆盒

[发明专利]改善铝蚀刻工艺腐蚀缺陷的方法及装置-CN202011239555.3有效
发明人：李超;舒思桅;陈文强;翟进 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善铝蚀刻工艺腐蚀缺陷的方法及装置。包括将负载端口与晶盒相互接触并连通，当晶盒放置在所述负载端口上且所述晶盒的处于开放状态时，所述负载端口向所述晶盒通入工艺气体，以去除所述晶盒中的水汽，进而阻止水汽与所述晶盒中的完成铝蚀刻工艺的晶圆接触。本发明将负载端口和晶盒进行相互接触并连通，通过负载端口引进工艺气体以去除晶盒中可能存在的水汽，从而减少晶圆表面产生的腐蚀缺陷，进而提高产品良率，避免晶圆报废。此外，本发明能够延长铝蚀刻到湿法清洗的限制时间(Q‑time)，减小了机台故障或人为失误导致等待时间延长时相应批次的晶圆出现良率下降或晶圆报废的可能性。
改善蚀刻工艺腐蚀缺陷方法装置

[实用新型]一种用于半导体设备的隔绝维护装置-CN202222388925.0有效
发明人： 舒思桅 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B25J21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体设备的隔绝维护装置，该隔绝维护装置包括透明上层盖、侧壁结构以及手套。其中，透明上层盖的表面上设置有至少一个开孔。沿透明上层盖的边缘向下延伸形成侧壁结构，该侧壁结构与透明上层盖形成一半开放式腔体，该半开放式腔体的开口端对应于侧壁结构的端面。手套包括套入部以及与套入部一体成型的轮廓部，套入部设置于透明上层盖的开孔内，并与开孔的孔壁密封连接，轮廓部沿开孔延伸入半开放式腔体内。本实用新型能够避免在对半导体设备进行开腔维护时，空气中的颗粒进入腔体导致维护失败的情况，同时，也能避免腔体内的有毒气体泄漏至设备外，对维护人员造成健康危害。
一种用于半导体设备隔绝维护装置

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202011451010.9在审
发明人：孟凡顺;陈耀祖;陈忠奎;易芳;舒思桅 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有金属层。在所述金属层上形成图案化光刻胶层。通入碳氢化合物气体，以在所述图案化光刻胶层表面形成一钝化层。以图案化光刻胶层和所述钝化层为掩模，刻蚀所述金属层，以形成金属线。因此，本发明通过通入碳氢化合物气体，使得图案化光刻胶层与之反应而产生钝化层。在钝化层的保护下，提高金属层相对于图案化光刻胶层的刻蚀选择比，则在相同的刻蚀条件下，完成刻蚀金属层后，图案化光刻胶层仅被消耗一小部分，从而能够保证金属层的顶端不被削圆或削尖。故本发明不仅能够保证金属层顶部的平坦形貌，还无需增加光刻胶层的厚度，符合更小关键尺寸的设计要求。
半导体器件制备方法

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