专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率器件的失效分析方法-CN202010210630.7在审
  • 芮志贤 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-03-24 - 2020-07-03 - H01L21/66
  • 本申请公开了一种功率器件的失效分析方法,包括:去除集成有功率器件的晶圆的正面的第一金属层;通过失效点定位机台对正面失效区域进行定位后,对正面失效区域进行标记,得到正面失效标记;通过失效点定位机台在背面查找到正面失效标记,对背面失效区域进行定位,背面失效区域是正面失效区域在背面的对应区域;通过失效点定位机台对背面失效区域进行标记,得到背面失效标记;根据背面失效标记对背面失效区域进行失效分析。本申请实现了对晶圆的背面进行失效分析,提高了失效分析的准确度。
  • 功率器件失效分析方法
  • [发明专利]基于感知失效的数据补偿方法以及装置-CN202310266280.X在审
  • 杨少鹏;冯亚闯;蔡思佳;邓兵 - 阿里云计算有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-06-23 - H04W4/44
  • 本说明书实施例提供基于感知失效的数据补偿方法以及装置,其中基于感知失效的数据补偿方法包括:获取多个对象的对象信息,并根据各对象的对象信息预测各对象对应的遮挡区域;遍历遮挡区域,在遮挡区域与指定关注区域存在交集的情况下,基于指定关注区域,确定感知失效区域和感知失效时间区间;根据感知失效区域和感知失效时间区间,从各对象中确定感知失效对象;获取感知失效对象对应的待处理运动预测数据,并根据待处理运动预测数据生成感知失效补偿数据通过对获取的多个对象的对象信息进行处理,确定出感知失效时间区间与感知失效区域,进而确定出感知失效对象,并对感知失效对象进行数据补偿,实现对感知失效的检测、预警及数据补偿。
  • 基于感知失效数据补偿方法以及装置
  • [实用新型]一种具有透光图案的电容式按键-CN201420475458.8有效
  • 孙楹煌;郑清交;吕岳敏;杨烨;张高明;林德志;杨柳根 - 汕头超声显示器技术有限公司
  • 2014-08-22 - 2015-01-28 - H03K17/975
  • 一种具有透光图案的电容式按键,包括透明基板、图案层、感应电极层和多个跳线连接结构,图案层上设有镂空图案,感应电极层包括相互交错的第一电极块和第二电极块,第一电极块和第二电极块均被镂空图案分隔为稳定区域和至少一个易失效区域,第一电极块的各个易失效区域均通过跳线连接结构与稳定区域连接,第二电极块的各个易失效区域均通过跳线连接结构与稳定区域连接。由于第一电极块、第二电极块的各个易失效区域均通过跳线连接结构与稳定区域连接,因此,无论第一电极块、第二电极块是否会在镂空图案边缘的台阶发生断线,易失效区域总是与稳定区域连接在一起,避免易失效区域处按键发生失效
  • 一种具有透光图案电容按键
  • [发明专利]一种基于芯片针脚测试的失效分析方法和装置-CN202310629365.X在审
  • 林健 - 成都海光微电子技术有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-08-29 - G06F11/22
  • 本发明公开了一种基于芯片针脚测试的失效分析方法和装置。该方法包括:获取晶圆测试阶段的芯片针脚测试数据,从针脚测试数据中确定芯片中每个凸点的失效数量;根据失效数量从芯片中的凸点中选择风险凸点,并统计风险凸点的坐标位置,根据坐标位置确定芯片的风险区域;导入失效芯片的失效日志,解析失效日志得到原始失效路径集合,并从原始失效路径集合中过滤得到与风险区域相对应的失效数据点;利用电性失效分析工具对失效数据点进行失效分析和验证。本发明的技术方案利用芯片针脚测试数据来定义和评估风险区域,将风险区域信息反馈给电性失效分析工具,缩小了失效数据分析和验证范围,加快了分析速度,提升了准确性。
  • 一种基于芯片针脚测试失效分析方法装置
  • [发明专利]一种晶圆失效的分析方法及系统-CN202011419830.X有效
  • 祖文秀;徐东东 - 晶芯成(北京)科技有限公司
  • 2020-12-08 - 2021-05-14 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种晶圆失效的分析方法及系统,所述晶圆失效的分析方法包括:分析芯片良率数据,获取所述晶圆的失效区域;分析每个所述晶圆上所述失效区域失效情况,获取每个所述晶圆的晶圆区域良率;实现所述芯片良率数据、所述线上测试数据和所述电性测试数据坐标的统一;在坐标统一的情况下获得选定区域中每个失效区块的权重;根据所述权重获取每个所述线上测试数据和所述电性测试数据的区域测量值;将所述区域测量值与所述晶圆区域良率做相关性分析,获取所述晶圆的所述失效区块的影响因素。通过本发明提供的一种晶圆失效的分析方法及系统,可提高分析结果的准确性。
  • 一种失效分析方法系统
  • [发明专利]失效位元的修补方法及装置-CN202010833678.3有效
  • 陈予郎 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-08-18 - 2023-09-12 - G11C29/44
  • 本公开是关于一种失效位元的修补方法及装置,涉及集成电路技术领域,可以应用于对芯片中的失效位元进行修补的场景。该方法包括:确定待修补芯片中包括多个目标修补区域的待修补区域;采用备用电路对各目标修补区域中的第一失效位元进行第一修补处理;执行第二失效位元的位置确定步骤以确定第二失效位元的位元位置,并对第二失效位元进行第二修补处理;确定各目标修补区域的未修补失效位元,并递归执行第二失效位元的位置确定步骤以得到未修补失效位元的测试修补位置,以根据测试修补位置对未修补失效位元进行第三修补处理。本公开提出最佳化备用电路分派的三个不同阶段的失效位元修补处理方案,可以得到针对芯片中失效位元的最佳修补方案。
  • 失效位元修补方法装置

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