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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202210525884.7在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;刘奕莹;白岳青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，形成源极/漏极外延层，在源极/漏极外延层上方形成一个或多个介电层，在一个或多个介电层中形成开口以暴露源极/漏极外延层，在暴露的源极/漏极外延层上形成第一硅化物层，在第一硅化物层上形成与第一硅化物层不同的第二硅化物层，以及在第二硅化物层上方形成源极/漏极接触件。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN202111105617.6在审
发明人：李珍秀;蔡弘植;金润洙;金泰均;曹仑廷 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：多个半导体图案，在第一方向上间隔开；多个模制绝缘层，在所述多个半导体图案之间；多个硅化物图案，接触所述多个半导体图案；以及多个第一金属导电膜，在所述多个模制绝缘层之间并连接到相应的硅化物图案，其中每个硅化物图案包括面对半导体图案的第一侧壁和面对第一金属导电膜的第二侧壁，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁在第一方向上延伸，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁是弯曲表面。
半导体器件

[发明专利]波导结构及制备方法-CN201610230457.0有效
发明人：周立兵;李唯实 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种波导结构，包括硅衬底层、硅波导层、第一二氧化硅层、硅化物波导层以及第二二氧化硅层，硅衬底层、硅波导层、第一二氧化硅层、硅化物波导层以及第二二氧化硅层依次层叠覆盖，硅波导层为锥形波导层，硅波导层和硅化物波导层通过倏逝波耦合，硅化物波导层包括多个第一波导块和多个第二波导块，第一波导块材质与硅化物波导层材质相同，第二波导块材质的折射率低于第一波导块材质的折射率，多个第一波导块和多个第二波导块的尺寸沿波导结构的出光方向逐渐变大，光信号通过倏逝波从硅波导层进入硅化物波导层。
波导结构制备方法

[发明专利]结构体、其制造方法和塔尔博干涉仪-CN201510442291.4有效
发明人：手岛隆行;冈有纱 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：结构体，其包括：具有多个凹部的硅基板，每个凹部具有底部和侧壁；硅化物层，每个硅化物层与凹部的底部接触；和包括金属部的金属结构体，每个金属部设置在凹部中并且与硅化物层接触。通过硅基板将硅化物层彼此电连接。
结构制造方法塔尔博干涉仪

[发明专利]具有多个硅化物层的晶体管-CN202310073341.0在审
发明人：谷曼;余鸿;彭建伟;王海艇 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及具有多个硅化物层的晶体管。用于晶体管的结构和形成用于晶体管的结构的方法。该结构包括第一电介质间隔物、第二电介质间隔物以及横向位于第一电介质间隔物和第二电介质间隔物之间的栅极。栅极包括从第一电介质间隔物延伸到第二电介质间隔物的第一硅化物层。该结构还包括位于第一硅化物层内的第二硅化物层以及与第二硅化物层对准的接触。
具有多个硅化物层晶体管

[发明专利]存储元件及其形成方法-CN202011085013.5在审
发明人：蔡易宗;林志豪 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种存储元件包括：配置在衬底上的多个叠层结构；以及介电层。每一个叠层结构包括：第一导体层、第二导体层、栅间介电层、金属硅化物层以及阻障层。第二导体层配置在第一导体层上。栅间介电层配置在第一导体层与第二导体层之间。金属硅化物层配置在第二导体层上。阻障层配置在金属硅化物层与第二导体层之间。介电层横向环绕多个叠层结构的下部，以暴露出多个叠层结构的金属硅化物层的一部分。
存储元件及其形成方法

[发明专利]结构体、其制造方法和塔尔博干涉仪-CN201910177944.9在审
发明人：手岛隆行;冈有纱 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G21K1/10 文献下载
摘要：结构体，其包括：具有多个凹部的硅基板，每个凹部具有底部和侧壁；硅化物层，每个硅化物层与凹部的底部接触；和包括金属部的金属结构体，每个金属部设置在凹部中并且与硅化物层接触。通过硅基板将硅化物层彼此电连接。
硅化物层凹部结构体干涉仪硅基板金属部金属结构体电连接侧壁制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210378793.5在审
发明人：林大钧;叶治东;蔡馥郁;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体装置包括沟道层、在沟道层上的栅极元件、至少部分地嵌入沟道层中的多个源极/漏极元件。多个源极/漏极元件位于栅极元件的相对两侧。多个源极/漏极元件包括金属元件和下硅化物元件，下硅化物元件介于金属元件和沟道层之间。下硅化物元件具有小于2at％的氢含量。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]形成具有涂层的结构的方法及具有涂层的结构-CN202110563907.9有效
发明人：刘全璞;郑尹玮;王时安;彭柏良;陈俊宏;黄俊翰;李奕锠 -专利权人：成宏能源股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成具有涂层的结构的方法及具有涂层的结构，该方法包括：提供基底；涂布流体至基底的表面，其中流体包括载体及多个含硅纳米颗粒；以及施行加热制程，以去除载体，并且将些含硅纳米颗粒转换成含硅层、金属硅化物层、或包括含硅层及金属硅化物层的堆栈层。该结构包括：一基底，包括多个沟槽，其中各该沟槽的深宽比大于2；一含硅层，填满该些沟槽；以及一金属硅化物层，延伸设置于该基底和该含硅层之间，且该金属硅化物层覆盖住各该沟槽的内壁。
形成具有涂层结构方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202011068430.9在审
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一衬底、一叠层、一导电柱、一存储层以及一金属硅化物层。叠层设置于衬底上，其中叠层包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层。导电柱沿着第一方向穿过叠层。存储层环绕导电柱。金属硅化物层环绕导电柱，其中存储层设置于导电柱与金属硅化物层之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210566560.4有效
发明人：胡志玮;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：该半导体结构包括多个叠层结构以及多个接触结构，其中各叠层结构包括多个导电条与多个绝缘条，导电条与绝缘条交错设置(interlaced)，各接触结构分别电性连接于各叠层结构；接触结构包括一第一导电柱(conductive pillar)、一介电材料层、一金属硅化物层及一第二导电柱；介电材料层环绕第一导电柱的侧面，金属硅化物层形成于第一导电柱的上表面上，第二导电柱形成于金属硅化物层上，该多个第一导电柱的上表面为同平面。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201910785856.7有效
发明人：蔡易宗;林志豪;李健志;吴佳纬 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器装置及其制造方法，此方法包含在基底上方形成多个栅极结构，在栅极结构的两侧形成第一间隙壁，在两相邻的第一间隙壁之间填充介电层，在栅极结构上方形成金属硅化物层，在金属硅化物层、第一间隙壁和介电层上方顺应性形成间隙壁材料层，以及对间隙壁材料层进行回刻蚀，以在金属硅化物层的两侧形成第二间隙壁。通过在金属硅化物层上形成间隙壁材料层，接着通过回刻蚀工艺移除间隙壁材料层的水平部分和金属硅化物层的残留物，以在金属硅化物层的两侧形成间隙壁，可避免相邻的金属硅化物层发生短路的问题，进而改善存储器装置的良品率
存储器装置及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200710165194.0无效
发明人：宋埈宇 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-11-08 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：该方法包括：在与虚拟像素区域中的多个光电二极管对应的硅外延层上形成多个多晶硅图案，在蚀刻工艺中使用光刻胶在多个多晶硅图案上沉积具有高熔点的金属，通过去除光刻胶并随后执行灰化工艺和快速退火工艺形成高熔点金属的硅化物层，相继在硅外延层和硅化物层上形成器件保护层和平坦层，以及在与硅化物层相对应的平坦层上形成显微透镜。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]具有共通源极导线的半导体结构-CN03120284.5无效
发明人：陈柏安;徐隽 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2003-03-10 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：具有共通源极导线的半导体结构，至少包含二条字元线、多条位元线、硅层与金属硅化物层。在此硅层位于二条字元线间并与其电性隔离，但与这些位元线电性耦接，而金属硅化物层位于硅层上并与硅层电性耦接。此外，硅层与金属硅化物层二者可以用含硅传导层所取代，并且硅层与金属硅化物层二者可以用来直接电性耦接位于底材中且相互电性隔离的多个掺杂区域。
具有共通导线半导体结构

[发明专利]半导体结构与其形成方法-CN202110843753.9在审
发明人：蔡镇鸿;李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在一实施例中，半导体结构包括多个第一通道组件，位于背侧介电层上；多个第二通道组件，位于背侧介电层上；硅化物结构，位于背侧介电层上；以及源极/漏极结构，位于硅化物结构上并延伸于第一通道组件与第二通道组件之间硅化物结构延伸穿过背侧介电层的所有深度。
半导体结构与其形成方法

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