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[发明专利]连续生长外延片的方法、装置、设备及存储介质-CN201910856218.X在审
发明人：彭伟伦;林忠宝;周亮 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种连续生长外延片的方法、装置、设备及存储介质，方法包括：经第一生长周期获得第一组外延片；获得第一组外延片中的每一个外延片的不同位置的多个波长值；根据多个波长值计算得到第一组外延片的每一个外延片的平均波长偏差值以及若干个外延片的总平均波长偏差值；比较第一生长周期的总平均波长偏差值与第一组外延片的目标波长，并根据比较结果调整气体流量参数以在第二生长周期中进行第二组外延片的生长。该方法完全可以实现外延片生长的参数的智能化自动控制，使得MOCVD系统的参数的调整更加统一，更加准确，从而提高MOCVD设备不同的生长周期生长的外延片波长一致性，提高外延片的良率。
外延片生长周期平均波长波长生长气体流量参数波长一致性外延片生长存储介质目标波长智能化良率统一

[发明专利]外延生长设备-CN201510988437.5在审
发明人：黄小辉;杨斌;滕龙;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技股份有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，包括：反应室、控制装置、测量装置；其中，控制装置分别与测量装置和反应室连接；待生长外延片设置在反应室内部的生长载体上；测量装置设置在反应室的窗口的上方；测量装置，用于实时测量待生长外延片的当前量子阱层的温度和波长，并将当前量子阱层的温度和波长发送给控制装置；控制装置，用于控制反应室生长待生长外延片，并根据当前量子阱层的温度和波长，以及预设反应参数，调整反应室在生长待生长外延片的下一量子阱层时的温度；预设反应参数包括待生长外延片的目标波长本发明提供的外延生长设备，能够提高外延片的成品率。
外延生长设备

[发明专利]基于111晶向的硅外延片制备方法、硅外延片及半导体器件-CN202310686810.6有效
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于111晶向的硅外延片制备方法、硅外延片及半导体器件。该方法包括：在硅片表面进行高速率的111晶向外延生长，得到第一外延层；对第一外延层进行刻蚀；在刻蚀后的第一外延层表面进行低速率的111晶向外延生长，得到第二外延层，硅片、刻蚀后的第一外延层和第二外延层构成基于111晶向的硅外延片。本发明首先在硅片表面高速率生长第一外延层，相比于常规生长速度具有更高的效率，然后对第一外延层进行刻蚀，能够去除第一外延层表面具有雾缺陷的部分，最后在第一外延层表面进行低速率生长，确保最终硅外延片表面平整、稳定，并且相比于全程慢速率生长具有更高的生产效率，解决了高速率生长的硅外延片表面存在雾缺陷的问题。
基于 111 外延制备方法半导体器件

[发明专利]一种外延层续长方法-CN202010622415.8在审
发明人：杨国文;赵勇明;张雨;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种外延层续长方法，所述外延层续长方法包括：将生长中断的外延片置于反应室中，通入保护气体；将所述反应室的温度升高至目标温度；通入刻蚀气体对所述外延片的生长中断层进行刻蚀；完成目标深度的刻蚀后，停止通入所述刻蚀气体；通入生长材料，继续生长目标层。本申请实现了生长中断的外延片续长，降低外延生长的报废率。
一种外延层续长方法

[发明专利]一种半导体激光器的外延生长方法-CN202210038635.5有效
发明人：马骁宇;张薇;刘素平;熊聪;林楠;仲莉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器的外延生长方法，包括：制备外延片，其中，外延片按照预设方向至少包括下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层；依次对上限制层和欧姆接触层进行部分刻蚀，露出上波导层的上表面；在露出上波导层的上表面上外延生长掺杂材料层，得到外延生长后的外延片；对外延生长后的外延片进行预处理，得到预处理后的外延片，其中，预处理用于形成非吸收窗口；对预处理后的外延片进行刻蚀，刻蚀掉掺杂材料层，再次露出上波导层的上表面；在再次露出上波导层的上表面上再次依次外延生长上限制层和欧姆接触层；其中，外延生长方法发生在同一反应腔室内。
一种半导体激光器外延生长方法

[发明专利]改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件-CN201810722379.5有效
发明人：高璇;陈建纲 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件，方法为外延层生长前，首先在承载盘表面覆盖一层多晶硅，该层多晶硅将外延片背面边缘与承载盘之间的间隙密封起来，使外延层生长时氢气无法进入外延片背面边缘，从而减少外延片背面的硅单晶点。按照本发明技术方案生产的外延片，可以完全抑制外延片背面单晶硅点的生长。
改善背面硅单晶外延制备方法半导体器件

[发明专利]一种外延生长工艺调优方法-CN202310635958.7在审
发明人：黄宋平;张斌;林志鑫;余航波 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长工艺调优方法，包括：S1：提供多个实验片，并测量各所述实验片的平坦度数据；S2：对多个所述实验片分别在不同工作参数下生长外延层，并测量各所述实验片生长外延层后的平坦度数据；S3：计算各所述实验片生长外延层前后平坦度数据的差值，并将使得生长外延层前后平坦度数据的差值最小的工作参数作为所述外延生长工艺调优方法当前的最优工作参数。采用本发明提供的外延生长工艺调优方法，使得无需工艺人员现场观察每片基片的形变并做调整直至最佳工艺设定，节省了人力和时间。
一种外延生长工艺方法

[发明专利]一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片-CN202011419880.8在审
发明人：张雪梅;王涛 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片，所述外延片的制作方法包括如下步骤：在基底上依次生长N型氮化镓层、多量子阱有源层和第一P型氮化镓层，获得氮化镓基外延片；在所述氮化镓基外延片上生长第一P型氮化镓层的一侧生长耐高温膜层；将所述耐高温膜层选择性刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片；在所述图案化的氮化镓基外延片上生长第二P型氮化镓层；将所述耐高温膜层去除，得到表面粗化的外延片。通过在第一P型氮化镓层上再生长出一层第二P型氮化镓层，使外延片的表面粗化，提高基于外延片的芯片的出光效率，增加亮度。
一种外延制作方法芯片

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201510557555.0有效
发明人：陈一峰 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：该制作方法包括：提供生长衬底，在生长衬底上制作多个孔洞；在生长衬底上形成外延片，外延片包括位于生长衬底上横向生长的成核层和位于成核层上的器件结构；提供支撑衬底，在器件结构上覆盖胶体，将支撑衬底与胶体粘合固定；将外延片与生长衬底分离；利用支撑衬底将外延片转移至目标载体，并在转移后去除胶体，得到半导体器件。通过上述方式，本发明能够通过外延片转移的方式集成不同材料衬底的优点。
半导体器件制作方法

[发明专利]一种避免大尺寸外延片裂片的外延生长方法-CN201410002107.X有效
发明人：郭丽彬;李刚 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种避免大尺寸外延片裂片的外延生长方法，其具体生长方法包括以下步骤：（1）衬底经高温氢化后，先生长优化的AlxGa1‑xN（0.2＜x＜0.8）缓冲层，Al组分在10%‑60%之间，生长时间在1‑6min，生长温度在500‑580℃之间，压力在100‑600Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为10‑500；(2)采取超晶格进行生长优化的nAlGaN层：(3) 优化的AlxGa1‑xN（0.2＜x＜0.8）缓冲层与nAlGaN层超晶格结构中的Al掺杂量可以进行搭配处理，调节生长过程中产生的应力，减少大尺寸外延片生长过程中产生的翘曲。本发明通过采用优化生长缓冲层及结合优化nAlGaN层外延生长方法，可以有效减小4吋或者6吋外延片的翘曲效应，从而使得外延片生长过程中的应力变小，最终达到避免大尺寸外延片翘曲过大造成的裂片损失。
一种避免尺寸外延裂片生长方法

[发明专利]改善硅外延片背面边缘长硅的方法-CN202210260870.7在审
发明人：米姣;薛宏伟;袁肇耿;刘永超;侯志义;任丽翠 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善硅外延片背面边缘长硅的方法，属于硅外延生长技术领域，方法包括：外延生长前，向外延反应腔室内通入大流量的气态HCl，刻蚀去除外延反应腔室以及基座内沉积的硅；外延生长采用化学气相沉积法，将具有特定弯曲度的衬底放入基座的片坑内，且衬底向远离基座的方向弯曲；外延生长之后，将外延片取出，再次向外延反应腔室通入大流量的气态HCL。本发明由于采用了具有特定弯曲度的衬底，及外延生长前后均采用大流量的气体刻蚀清洗，因此可以明显改善硅外延片背面边缘长硅问题，减小硅外延片边缘局部平整度，避免后道光刻聚焦不良问题，满足后道工序光刻要求，从而能够提高光刻图形的位置准确性
改善外延背面边缘方法

[实用新型]外延片生长基盘-CN201320559604.0有效
发明人：邓顺达;林溪汉;黄英杰 -专利权人：冠铨（山东）光电科技有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：延片生长基盘，由储槽、盘体组成，其特征是储槽设置在盘体上，储槽设置为直径相等的圆形，本实用新型的有益效果是外延片生长基盘一次能生长54片，生产效率高，生产成本低，外延片的均匀性较好，外延片的质量稳定。
外延生长

[发明专利]一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法-CN201310023732.8有效
发明人：马亮;梁信伟 -专利权人：同方光电科技有限公司;同方股份有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法，涉及半导体光电子领域。本发明的方法步骤为对外延片进行有源区薄膜生长时，先确定凹槽表面的等温面空间分布及其弯曲度；调整托盘的加热温度，使外延片表面的温度与目标发射波长相匹配；同时，通过改变外延片的结构参数和工艺条件来调整其弯曲度，使外延片弯曲度和凹槽表面等温面的弯曲度相等。同现有技术相比，本发明生长方法通过控制外延片晶体生长时的弯曲度，有效提高氮化物LED或LD外延片发射波长均匀性。
一种提高氮化物 led 外延发射波长均匀生长方法

[发明专利]一种降低LED外延翘曲应力的方法-CN201210051923.0无效
发明人：彭昀鹏;潘尧波 -专利权人：上海蓝光科技有限公司
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种降低LED外延翘曲应力的方法，在蓝宝石衬底上外延一GaN缓冲层，而后在GaN缓冲层上三维生长GaN层，形成具有岛状表面的GaN外延片；降温后，在岛状表面的GaN外延片上外延包括GaN层和Al1-xGaxN层的双层薄膜，然后多次重复外延双层薄膜，以形成所述岛状表面GaN外延片上的超晶格；在超晶格上二维生长GaN层，完成在蓝宝石衬底上GaN基础层的制备。本发明采用超晶格插入层结构，调节释放二维生长的GaN外延层与蓝宝石衬底之间的翘曲应力，进而改善外延片生长发光层时的翘曲程度，从而降低生长发光层后外延片中心部分和边缘部分的波长差，改善外延片的波长均匀性，进而提高外延片的波长良品率。
一种降低 led 外延应力方法

[发明专利]一种在线实时检测外延片生长的方法-CN201310646667.4有效
发明人：严冬;李成敏;叶龙茂;王林梓;刘健鹏;刘涛 -专利权人：北京智朗芯光科技有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法根据各外延片对应的实时拉曼散射光谱数据，实时分析各外延片带隙、微结构、组分信息，并实时反馈各外延片的波长偏差，从而在线实时检测各外延片的生长信息。该方法参数易协调一致且实时检测数据量明显降低，应用本发明提供的在线实时检测外延片生长的方法能够减小外延片质量差及报废带来的损失。
一种在线实时检测外延生长方法

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